“张宗隆”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]触控显示装置-CN202111098171.9在审
发明人：廖启昇;简伯儒;张宗隆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触控显示装置，具有显示区及周边区，且包括基板、信号线、接垫以及保护层。信号线位于基板上，且从显示区延伸至周边区。接垫位于周边区，且与信号线电连接。保护层位于信号线及接垫上、具有重叠接垫的通孔、且包括平坦部及环孔部，其中，平坦部包围环孔部且具有第一高度，环孔部构成通孔的侧壁且具有第二高度，且第一高度大于第二高度。
显示装置

[发明专利]用于制造TFT的掩膜及制造TFT的源极/漏极的方法-CN200910173935.9有效
发明人： 张宗隆;张家铭;萧祥志;江俊毅;赖哲永;余宙桓;廖达文 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造薄膜晶体管的掩膜，包括：透明基板、半透膜层、第一至第四遮光层以及多个岛型遮光层。半透膜层覆盖透明基板的U形沟道形成区及矩形沟道形成区。第一及第二遮光层分别位于U形沟道形成区的外侧与内侧，而第三及第四遮光层分别位于矩形沟道形成区的相对两侧，以作为源极/漏极形成区。岛型遮光层位于矩形沟道形成区内。本发明亦揭示以该掩膜制造薄膜晶体管的源极/漏极的方法。通过本发明实施例的用于制造薄膜晶体管的掩膜以及用于制造薄膜晶体管的源极/漏极的方法，可以维持或增加薄膜晶体管的成品率，提高工艺的稳定度。
用于制造 tft 方法

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200810134304.1有效
发明人：赖哲永;张宗隆;蔡佳琪;童振邦;张家铭;江俊毅;余宙桓;萧祥志;周汉唐;张峻恺;廖达文 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法如下所述。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成沟道层并于沟道层与栅绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为光掩膜图案化导电层以于沟道层上形成源极与漏极。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使漏极暴露并形成与漏极电连接的像素电极。
像素结构制作方法

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200810134305.6有效
发明人：余宙桓;江俊毅;蔡佳琪;童振邦;萧祥志;张家铭;张宗隆;赖哲永;周汉唐;张峻恺;廖达文 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层。之后，于栅绝缘层上依序形成半导体层、导电层以及彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，感光型黑矩阵包括第一区块以及第二区块，且第一区块的厚度小于第二区块的厚度。之后，以感光型黑矩阵为光掩膜，于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极。接着，于上述膜层上形成保护层，并通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并形成介电层，且进行介电层与保护层的图案化工艺，以暴露漏极。之后，形成一与漏极电连接的像素电极。
像素结构制作方法

[发明专利]像素结构的制作方法-CN200810134306.0有效
发明人：廖达文;童振邦;张家铭;张宗隆;赖哲永;江俊毅;余宙桓;萧祥志;周汉唐;张峻恺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。继之，于薄膜晶体管以及栅绝缘层上形成保护层，并于保护层上形成黑矩阵，其中黑矩阵具有位于漏极上方的接触开口以及彩色滤光层容纳开口。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。接着，图案化介电层与保护层，以使漏极暴露。接着，形成与漏极电连接的像素电极。
像素结构制作方法

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top