“张圭伯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]生成器件结构预测模型的方法和器件结构仿真设备-CN202211020165.6在审
发明人：马阿米;卢弦均;李伸旭;任东哲;张圭伯;郑载勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：提供了一种器件结构仿真设备和创建预测目标器件的结构的模型的方法。该器件结构仿真设备包括：存储器，其存储器件结构仿真程序；以及处理器，其被配置为执行存储在存储器中的器件结构仿真程序。通过执行器件结构仿真程序，器件结构仿真设备还被配置为接收目标器件的谱数据，通过对谱数据执行预处理来生成输入数据集，并且基于输入数据集来训练模型，使得模型被配置为预测目标器件的结构。预处理包括基于谱数据选择特定基函数并且将谱数据分离为特定基函数的集合，并且模型包括至少一个子模型。
生成器件结构预测模型方法仿真设备

[发明专利]晶片缺陷测试设备、晶片缺陷测试系统和制造晶片的方法-CN202211011520.3在审
发明人：李成熙;金载润;文廷桓;朴正熏;张圭伯;郑载勋;朱敃劲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种晶片缺陷测试设备、晶片缺陷测试系统和制造晶片的方法。晶片缺陷测试设备包括：晶片变量生成器，其基于接收的第一晶片的第一结构测量数据和第一工艺条件数据生成第一工艺变量和第二工艺变量，基于接收的第二晶片的第二结构测量数据和第二工艺条件数据生成第三工艺变量和第四工艺变量；异常晶片指数生成电路，其生成第一晶片向量和第二晶片向量，计算第一晶片向量和第二晶片向量之间的第一欧几里德距离和第一余弦距离，基于第一欧几里德距离和第一余弦距离的乘积生成第一晶片的第一异常晶片指数；和预测模型生成电路，其接收第一特征变量，基于第一工艺变量、第二工艺变量、第一特征变量和第一异常晶片指数通过回归生成晶片缺陷预测模型。
晶片缺陷测试设备系统制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201611087672.6有效
发明人：宋升炫;金润硕;张圭伯;权义熙;金曜澖;金宗哲;郑椙旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
半导体器件

[发明专利]检测应力、训练简化模型、释放应力的方法及计算系统-CN201510400408.2有效
发明人：申在弼;康彰佑;金宗沅;李昊俊;张圭伯;郑元永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供了检测应力、训练简化模型、释放应力的方法及计算系统。一种对包括了由不同材料形成的第一图案和第二图案的集成电路的应力进行检测的方法，该方法可以包括：确定第一图案的一个或多个应力检测点；将包括了一个或多个应力检测点中的第一应力检测点的区域划分为多个分隔区；计算第二图案在各分隔区处的面积；以及/或者基于第二图案在各分隔区处的面积来检测由第二图案施加至第一图案的第一应力检测点的应力水平。
检测应力训练简化模型释放方法计算系统

[发明专利]半导体装置-CN201610637818.3有效
发明人：任峻成;张圭伯;许星会;金宇中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括基底、多个存储单元阵列和气隙结构。基底包括单元区、外围电路区和边界区。边界区在单元区与外围电路区之间。多个存储单元阵列在单元区上。气隙结构包括形成在基底的边界区中的沟槽。气隙结构限定气隙。
半导体装置