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[发明专利]一种半导体模具的制备方法和细胞培养板的制备方法-CN202310860621.6在审
发明人：孟利园;李西军;黄欢欢;张公开 -专利权人：西湖大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：一种半导体模具的制备方法和细胞培养板的制备方法，半导体模具的制备方法包括：以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的半导体晶片，在掩膜开口底部的半导体晶片中形成第一开孔；在第一开孔的侧壁表面和底部表面形成保护膜；对第一开孔底部的保护膜和半导体晶片进行特征刻蚀，在特征刻蚀中，对第一开孔底部表面的保护膜的中心区的刻蚀速率大于对第一开孔底部表面的保护膜的周缘区的刻蚀速率，对第一开孔底部的半导体晶片的中心区的刻蚀深度大于对第一开孔底部的半导体晶片的周缘区的刻蚀深度，以在第一开孔底部的半导体晶片中形成与第一开孔的侧壁连接的V型开口；之后，去除图形化的掩膜层。降低加工难度，提高加工效率，降低加工成本。
一种半导体模具制备方法细胞培养

[发明专利]一种氮磷共掺杂直立石墨烯及其制备方法、应用-CN202310482061.5在审
发明人：沈永龙;张公开;武智恒;邵国胜 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮磷共掺杂直立石墨烯及其制备方法、应用，属于石墨烯制备技术领域。本发明的氮磷共掺杂直立石墨烯的制备方法，包括以下步骤：通过高通量等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积直立石墨烯；在沉积直立石墨烯时，同步通入气态氮源作为反应气体，并同步在等离子束流中放置单质磷源。本发明的氮磷共掺杂直立石墨烯的制备方法，利用高通量等离子体增强化学气相沉积技术，在沉积直立石墨烯的过程中引入固态单质磷源和气态氮源，在高密度等离子体作用下通过一步法制备得到氮磷共掺直立石墨烯，避免多步法繁琐过程。
一种氮磷共掺杂直立石墨及其制备方法应用

[发明专利]一种以N,N`-二甲基丙烯酰胺为主体的阳离子型高分子絮凝剂及其制备方法和应用-CN202110121538.8在审
发明人：谭桂平;陈孟镛;官永昌;陈梓杰;梁鑫然;张公开;王卫雄;郭智强;邱永福 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C08F226/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种以N,N'‑二甲基丙烯酰胺为主体的阳离子型高分子絮凝剂及其制备方法和应用。该阳离子型高分子絮凝剂通过N,N'‑二甲基丙烯酰胺、二甲基二烯丙基氯化铵、丙烯酸丁酯聚合得到，所述N,N'‑二甲基丙烯酰胺、二甲基二烯丙基氯化铵、丙烯酸丁酯的摩尔比为1:1.45～1.46:0.06～0.07。本发明提供的阳离子型高分子絮凝剂以N,N'‑二甲基丙烯酰胺为主体，避免了选用丙烯酰胺作为单体时易溶出导致的三致效应，且除油效果优异，可推广应用于含油废水的处理。
一种甲基丙烯酰胺主体阳离子高分子絮凝及其制备方法应用