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- [发明专利]一种高耐磨Ni60基复合梯度涂层及制备方法-CN202211036508.8有效
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庄栋栋;陶望望;张书豪;连鑫龙
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江苏大学
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2022-08-26
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2023-10-20
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C23C24/10
- 本发明提供了一种高耐磨Ni60基复合梯度涂层及制备方法，属于合金涂层技术领域。在本发明中，先采用激光熔覆技术制备Ni60涂层，再采用激光刻蚀在涂层表面完成“井”型微纳加工，再利用激光冲击对刻蚀组织实现强化，再熔覆具有相同基体成分的Ni60+TiC复合涂层，所以不同的涂层之间通过互相嵌入的方式能够实现紧密结合，不易出现脱落。另外，不同涂层之间的热膨胀系数基本一致，能够有效减少涂层中的裂纹。再采用同样的方式在Ni60+TiC涂层表面制备Ni60+TiC+La2O3涂层。最后再采用超声辅助激光熔凝的方式对成品涂层进行表面强化和有效减少表层的裂纹源。因此，本技术发明能够获得具有梯度渐进性能的涂层，不同涂层之间的结合紧密且不出现裂纹。
- 一种耐磨ni60复合梯度涂层制备方法
- [发明专利]一种BCD半导体器件-CN202010884171.0有效
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乔明;张书豪;李怡;袁章亦安;张波
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电子科技大学
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2020-08-28
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2023-09-22
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H01L27/06
- 本发明提供一种集成有SG‑VDMOS的BCD半导体器件，能够在一块芯片上同时集成两类JFET、两类VDMOS、LIGBT、七类LDMOS、低压NMOS、低压PMOS、低压NPN、低压PNP及四类二极管等二十类半导体器件，将应用在模拟电路中的Bipolar器件、开关电路中的功率器件、逻辑电路中的CMOS器件等各类横纵向器件集成到一起，节约成本的同时极大提高芯片集成度。不同于传统器件结构，该发明集成包含了槽型JFET、槽栅LIGBT、槽栅VDMOS、快恢复二极管，所集成的SG‑VDMOS与常规VDMOS相比能有效降低栅漏电容，降低了开关损耗，提升了开关速度，通过超结自然形成的槽状隔离结构贯穿整个漂移区将各个器件完全隔离，能够同时兼顾高的关断耐压和低的导通电阻，所述制造方法简单，工艺难度相对较低，构成的BCD器件可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。
- 一种bcd半导体器件
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