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- [实用新型]一种放大倍率可调的虚拟成像光路及装置-CN202223444140.7有效
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廖汉忠
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深圳远像技术有限公司
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2022-12-22
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2023-06-09
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G02B27/01
- 本实用新型涉及一种放大倍率可调的虚拟成像光路及装置，其中，包括：1/4玻片，将真实影像源出射的线偏振光转换成圆偏振光；分光镜，将1/4玻片转换的圆偏振光线反射，分光镜置于1/4玻片上方；曲面反射镜，将分光镜的反射光线作为入射光线进行反射后形成虚拟放大的影像，曲面发反射镜置于分光镜反射面一侧接收分光镜的反射光线。通过设置真实影像源与曲面反射镜的水平和垂直距离之和小于曲面反射镜的焦距，从而实现真实影像源的光线经由1/4玻片将线偏振光转换成圆偏振光，在分光镜的作用下使光线反射后经曲面反射镜显示成放大的虚拟影像，而由于真实影像源与曲面反射镜的中心距离可变，因此其放大倍数也可随之改变，得到最适合的放大倍数进行观看。
- 一种放大倍率可调虚拟成像装置
- [实用新型]一种发光二极管倒装芯片-CN202222001053.8有效
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任加洛;李冬梅;王思博;廖汉忠
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淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
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2022-07-29
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2023-05-02
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H01L33/20
- 一种发光二极管倒装芯片，包括衬底、N‑GaN半导体层、发光区、P‑GaN半导体层、CBL电流阻挡层、ITO透明导电层、ISO刻蚀槽、N‑GaN台阶处、第一电极N‑Finger、第一电极P‑Finger、PV绝缘层/DBR反射层、第一电极P‑Finger通孔、第二电极P‑METAL、第一电极N‑Finger通孔、第二电极N‑METAL、DIEL绝缘保护层、电极焊盘层P‑PAD和电极焊盘层N‑PAD，所述衬底的表面为带有PSS微图形的衬底；所述ISO刻蚀槽中设置有高度为H的GaN半导体缓冲层，所述微图形PSS的漏出高度为h；所述GaN半导体缓冲层的高度H0，微图形PSS漏出高度h0，且H+h等于PSS的总高度。本实用新型通过设置在ISO刻蚀槽中的GaN半导体缓冲层，可以增加微图形PSS底部的间距，加大光能够传播出去的临界角，降低光产生全反射的概率，降低损耗，提升芯片的发光亮度。
- 一种发光二极管倒装芯片
- [发明专利]一种发光元件-CN202211737373.8在审
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李冬梅;王思博;廖汉忠;芦玲
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淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
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2022-12-30
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2023-04-25
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H01L33/46
- 本申请提供了一种发光元件，衬底具有第一表面和第二表面；外延层位于衬底的第一表面上并依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，反射结构包括设置在衬底的第二表面上，和/或P型半导体层上的反射膜组；反射膜组至少包括第一绝缘反射层和第二绝缘反射层，第一绝缘反射层对第一波长范围的光比对第二波长范围的光具有更高的反射率，第二绝缘反射层对第二波长范围的光比对第一波长范围的光具有更高的反射率，第二波长范围中的波长大于第一波长范围中的波长；第二绝缘反射层的总厚度大于第一绝缘反射层的总厚度，反射结构对波长范围在400nm～900nm的光的反射率大于等于85％。本申请能够减少膜层的吸收损耗，达到提高外量子效率的效果。
- 一种发光元件
- [发明专利]一种发光二极管芯片-CN202211717680.X在审
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李冬梅;王思博;廖汉忠;任加洛;芦玲
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淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
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2022-12-29
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2023-04-25
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H01L33/38
- 本发明涉及半导体芯片技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管芯片，包括：以及依次设置在所述基板上的外延结构单元以及与外延结构单元电极连接的电极结构单元，其中，所述外延结构单元至少包括N型半导体层、有源层、P型半导体层；所述电极结构单元至少包括依次设置的电流扩展层、第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和焊盘层，所述第一电极层的厚度小于1.2μm；所述第一电极和所述第二电极层不包含金属Au。所提供的发光二极管芯片降低和限定了第一电极的高度，大大降低了第一电极的高度，使其厚度小于1.2μm，并且第一电极层和/或第二电极层均不使用金属Au，避免了现有存在金颗粒造成的绝缘层断裂所带来的一系列问题。
- 一种发光二极管芯片
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