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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]超结半导体元件-CN201510995559.7有效
  • 郭家展;许志维;庄如旭;于世珩 - 敦南科技股份有限公司
  • 2015-12-25 - 2019-10-18 - H01L29/78
  • 一种超结半导体元件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、场绝缘层、浮接电极层、隔离层及至少一晶体管结构。漂移层内的多个n型及p型掺杂柱交替地排列，而形成超结结构。漂移层定义出元件区、过渡区及位于元件区外围的终止区，过渡区位于元件区与终止区之间。场绝缘层设置于漂移层的表面上，并覆盖终止区以及部分过渡区。浮接电极层设置于场绝缘层上，并具有一部分位于终止区内。晶体管结构包括由元件区延伸到过渡区的源极导电层，其中源极导电层由元件区延伸至过渡区，并通过隔离层与浮接电极层电性绝缘。本发明的超结半导体元件通过设置延伸到终止区内的浮接电极层，可扩大终止区内的电场分布范围，从而提高超结半导体元件整体的击穿电压。
  • 半导体元件
  • [发明专利]二极管元件及其制造方法-CN201510866262.0有效
  • 于世珩;蔡松颖;张有宏;庄如旭;许志维 - 敦南科技股份有限公司
  • 2015-12-01 - 2019-09-13 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种二极管元件及其制造方法。二极管元件包括基板、位于基板上的磊晶层、沟槽式栅极结构、肖特基二极管结构及终端结构。磊晶层定义一主动区及一终止区。肖特基二极管结构与沟槽式栅极结构皆位于主动区，而终端结构位于终止区。终端结构包括终端沟槽、终端绝缘层、第一间隙壁、第二间隙壁及第一掺杂区。终端沟槽形成于磊晶层中。终端绝缘层顺形地覆盖于终端沟槽的内壁面。第一间隙壁与第二间隙壁分别位于终端沟槽的两侧壁面。第一掺杂区形成于终止区，并位于终端结构下方，其中第一掺杂区与磊晶层具有相反的导电型。本发明可改变电场分布，从而提高肖特基二极管的反向崩溃电压，并降低反向漏电流。
  • 二极管元件及其制造方法
  •  1 
  • 共 3 条
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