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- [发明专利]高频模块以及通信装置-CN202180080759.3在审
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广部正和
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株式会社村田制作所
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2021-11-26
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2023-08-08
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H03H7/38
- 能够抑制低输出模式时的输出信号的损耗，并且还能够抑制高输出模式时的输出信号进入到低输出模式用的信号路径。高频模块(1)具备第一功率放大器(4A)、第二功率放大器(4B)、滤波器(6A)、开关(7)以及匹配电路(5B)。第一功率放大器(4A)输出第一放大信号。第二功率放大器(4B)输出第二放大信号。滤波器(6A)使第一放大信号和第二放大信号通过。开关(7)具有第一端子(7b)和第二端子(7a)。第一端子(7b)与第一功率放大器(4A)的输出部连接。第二端子(7a)与滤波器(6A)连接。开关(7)对第一端子(7b)与第二端子(7a)之间的导通与切断进行切换。匹配电路(5B)连接于第二功率放大器(4B)的输出部与以下信号路径之间：开关(7)的第二端子(7a)与滤波器(6A)之间的信号路径。
- 高频模块以及通信装置
- [发明专利]高频模块以及通信装置-CN202180061183.6在审
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广部正和;上岛孝纪;大门义弘;汤村七海
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株式会社村田制作所
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2021-08-02
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2023-05-16
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H04B1/00
- 高频模块(1)具备：发送滤波器(11)，使FDD用的频段A的发送信号通过；接收滤波器(12)，使频段A的接收信号通过；滤波器(20)，使TDD用的频段B的收发信号通过；功率放大器(15以及25)；低噪声放大器(35)；开关(42)，对接收滤波器(12)以及滤波器(20)和低噪声放大器(35)的连接进行切换；开关(41)，对滤波器(20)和功率放大器(25)以及低噪声放大器(35)的连接进行切换；匹配电路(13)，连接在功率放大器(15)与发送滤波器(11)之间；匹配电路(23)，连接在功率放大器(25)与开关(41)之间；和模块基板(91)，在模块基板(91)上，功率放大器(15、25)以及开关(41)分别配置在匹配电路(13)与匹配电路(23)之间。
- 高频模块以及通信装置
- [发明专利]高频电路和通信装置-CN202180055963.X在审
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山下贵弘;广部正和
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株式会社村田制作所
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2021-08-02
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2023-05-02
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H03H7/01
- 提供一种能够使差动放大下的谐波分量衰减的高频电路和通信装置。高频电路包括差动放大电路(16)。差动放大电路(16)包括第一放大元件(161)、第二放大元件(162)、第一布线(R1)、第二布线(R2)以及串联电路(165)。第一放大元件(161)具有第一输入端子(161a)和第一输出端子(161b)。第二放大元件(162)具有第二输入端子(162a)和第二输出端子(162b)。第一布线(R1)与第一输出端子(161b)连接。第二布线(R2)与第二输出端子(162b)连接。串联电路(165)连接于第一布线(R1)与第二布线(R2)之间。串联电路(165)包括第一电感器(例如，电感器Lc1)、第二电感器(例如，电感器Lc2)以及电容器(C1)。
- 高频电路通信装置
- [发明专利]高频电路以及通信装置-CN202180037864.9在审
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广部正和
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株式会社村田制作所
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2021-01-27
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2023-03-17
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H03F1/52
- 更高精度地限制放大电路的输出功率。高频电路(100)具备放大电路(2)、偏置电路(3)、偏置控制电路(54)、比较部(4)、可变电阻电路(6)和控制部(55)。放大电路(2)包含将输入到输入端子的高频信号放大并从输出端子输出的特定的晶体管(Tr2A)。偏置电路(3)向特定的晶体管(Tr2A)的输入端子供给偏置电流或偏置电压。比较部(4)对与特定的晶体管(Tr2A)的输出端子连接的电源端子(11)的电源电压(Vcc)和阈值电压(Vref)进行比较。可变电阻电路(6)连接在电源端子(11)与输出端子之间。可变电阻电路(6)包含电阻元件(R1)和开关元件(SW1)的并联电路(61)。控制部(55)根据比较部(4)的比较结果对可变电阻电路(6)的电阻值进行变更。
- 高频电路以及通信装置
- [发明专利]高频电路以及通信装置-CN202180037917.7在审
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广部正和
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株式会社村田制作所
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2021-04-23
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2023-02-03
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H03F1/30
- 本发明更加精度良好地限制放大电路的输出功率。高频电路具备放大电路(2)、偏置电路(3)、偏置控制电路(54)、比较部(6)、信号输入端子、天线端子、衰减电路(4)、以及控制部(55)。放大电路(2)包含特定的晶体管(Tr2A)。偏置电路(3)对特定的晶体管(Tr2A)的输入端子供给偏置电流或偏置电压。偏置控制电路(54)对偏置电路(3)供给控制电流或控制电压。比较部(6)对与特定的晶体管(Tr2A)的输出端子连接的电源端子(11)的电源电压(Vcc)和阈值电压(Vref)进行比较。衰减电路(4)连接于信号输入端子与天线端子之间的信号路径，能够对高频信号进行衰减。控制部(55)根据比较部(6)的比较结果来变更衰减电路(4)的衰减量。
- 高频电路以及通信装置
- [发明专利]功率放大电路-CN202080086224.2在审
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广部正和
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株式会社村田制作所
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2020-08-28
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2022-07-22
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H03F1/32
- 实现放大电路的输入功率‑输出功率特性的线性度的提高。功率放大电路(1)具备放大电路(2)、偏置电路(3)、检测部(4)以及控制电路(5)。放大电路(2)具有第一双极型晶体管(Tr2)。偏置电路(3)的射极跟随器(30)包括第二双极型晶体管(Tr3)。射极跟随器(30)将偏置电流供给到第一双极型晶体管(Tr2)的基极。检测部(4)检测与第一双极型晶体管(Tr2)的集电极连接的电源端子(11)的电压(Vcc)。控制电路(5)具有设置于电池端子(12)与第二双极型晶体管(Tr3)的集电极之间的限流电路(54)。控制电路(5)根据检测部(4)的检测电压，来变更向第二双极型晶体管(Tr3)的集电极供给的控制电流(Ice)的上限值。
- 功率放大电路
- [发明专利]半导体装置-CN201410503154.2在审
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堀口健一;广部正和;美保谕志;佐佐木善伸;山本和也
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三菱电机株式会社
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2014-09-26
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2015-04-15
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H03K17/687
- 本发明的目的在于提供一种适合于小型化的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具有：将多个频带的RF信号进行放大的功率放大器(16)；与该功率放大器的输出连接的输出匹配电路(18)；一端与该输出匹配电路的输出连接的第1电容器(30)；多条输出路径(34)；与该第1电容器的另一端连接，并根据频带使该RF信号进入该多条输出路径中的某一条的开关(32)；以及具有多个分别与该多条输出路径串联连接的第2电容器的多个第2电容器(40)，该第1电容器和该多个第2电容器中的至少一方与该开关由同一MMIC(46)构成。
- 半导体装置
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