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[发明专利]半导体激光发光装置-CN202280010920.4在审
发明人：四郎园启希;广木均典;林茂生 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：半导体激光发光装置(1)具备：安装基板(10)，是具有台阶(11)的安装基台的一例；副装配件(20)，配置在台阶(11)的底面的上方；以及半导体激光器(30)，配置在副装配件(20)；台阶(11)的作为内侧面之一的第1侧面与副装配件(20)的作为半导体激光器(30)的光射出侧的面的前表面(20a)热接触。
半导体激光发光装置

[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光装置-CN202211136232.0在审
发明人：光井靖智;久纳康光;广木均典;林茂生;粂雅博;能米雅信 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：半导体发光装置，具有半导体发光元件。半导体发光元件(20)，具有：半导体层叠体(30)，具有n型层(32)、以及p型层(36)，并且具有作为n型层(32)露出的凹部的一个以上的n露出部(30e)；被配置在p型层(36)上的p布线电极层(42)；绝缘层(44)，连续地覆盖一个以上的n露出部(30e)的内侧面(30s)、以及p布线电极层(42)的上方的一部分，具有使n型层(32)露出的开口部(44a)；n布线电极层(46)，在开口部(44a)与n型层(32)接触，被配置在p型层(36)以及p布线电极层(42)的上方；以及一个以上的第一n连接部件(51)，一个以上的第一n连接部件(51)，分别在一个以上的第一n端子区域(51r)与n布线电极层(46)连接，在一个以上的第一n端子区域(51r)的下方，配置n布线电极层(46)以及p型层(36)。
半导体发光元件以及装置

[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光装置-CN202080003367.2有效
发明人：光井靖智;久纳康光;广木均典;林茂生;粂雅博;能米雅信 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：半导体发光元件(20)，具有：半导体层叠体(30)，具有n型层(32)、以及p型层(36)，并且具有作为n型层(32)露出的凹部的一个以上的n露出部(30e)；被配置在p型层(36)上的p布线电极层(42)；绝缘层(44)，连续地覆盖一个以上的n露出部(30e)的内侧面(30s)、以及p布线电极层(42)的上方的一部分，具有使n型层(32)露出的开口部(44a)；n布线电极层(46)，在开口部(44a)与n型层(32)接触，被配置在p型层(36)以及p布线电极层(42)的上方；以及一个以上的第一n连接部件(51)，一个以上的第一n连接部件(51)，分别在一个以上的第一n端子区域(51r)与n布线电极层(46)连接，在一个以上的第一n端子区域(51r)的下方，配置n布线电极层(46)以及p型层(36)。
半导体发光元件以及装置

[发明专利]半导体装置-CN202110747866.9有效
发明人：大屋满明;广木均典;政元启明;林茂生 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：半导体装置，具备第一电极，设于半导体层叠构造；第二电极，设于安装衬底；以及接合金属层，将上述第一电极和上述第二电极进行接合；在上述接合金属层的内部存在间隙；上述接合金属层具有：第一层，与上述第一电极相接，具有第一平均晶粒径；第二层，位于上述第一电极的相反侧，具有第二平均晶粒径；以及第三层，位于上述第二层与上述安装衬底之间，具有第三平均晶粒径；上述第一平均晶粒径及上述第三平均晶粒径比上述第二平均晶粒径大；上述间隙存在于上述第二层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110861192.5有效
发明人： 广木均典;林茂生;中岛健二;福久敏哉;政元启明;山田笃志 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：安装基板(20)；以及半导体元件(10)，隔着金属凸块(30)被配置在安装基板(20)，半导体元件(10)，具有半导体层叠结构(11)以及第1电极，安装基板(20)，具有第2电极，金属凸块(30)具有与半导体元件(10)的第1电极相接的第1层(31)、以及位于该第1电极的相反侧的第2层(32)，构成第1层(31)的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层(32)的结晶的平均结晶粒径大，第2层(32)位于与半导体元件(10)的第1电极隔开的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体发光元件-CN202080039798.4在审
发明人：政元启明;大屋满明;林茂生;广木均典;粂雅博;西川学 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：半导体发光元件(1)具备：半导体层，由化合物半导体构成；以及n侧电极(20)，配置在半导体层上，具有供电部(E1)和从供电部(E1)延伸的延伸部(E2)；供电部(E1)的宽度比延伸部(E2)的宽度大；n侧电极(20)具有配置在半导体层侧的n侧电极层(21)和配置在n侧电极层(21)之上的n侧布线层(22)；n侧电极层(21)具有配置在供电部(E1)的第1金属层(21a)、以及配置在比第1金属层(21a)靠延伸部(E2)侧并且与第1金属层(21a)直接连接的第2金属层(21b)；第1金属层(21a)及第2金属层(21b)与半导体层欧姆连接；第1金属层(21a)的电导率比第2金属层(21b)的电导率高；n侧布线层(22)连续地配置在第1金属层(21a)及第2金属层(21b)上。
半导体发光元件

[发明专利]半导体装置-CN202111018478.3在审
发明人： 广木均典;林茂生;中岛健二;福久敏哉;政元启明;山田笃志 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：安装基板(20)；以及半导体元件(10)，隔着金属凸块(30)被配置在安装基板(20)，半导体元件(10)，具有半导体层叠结构(11)以及第1电极，安装基板(20)，具有第2电极，金属凸块(30)具有与半导体元件(10)的第1电极相接的第1层(31)、以及位于该第1电极的相反侧的第2层(32)，构成第1层(31)的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层(32)的结晶的平均结晶粒径大，第2层(32)位于与半导体元件(10)的第1电极隔开的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201880088260.5有效
发明人： 广木均典;林茂生;中岛健二;福久敏哉;政元启明;山田笃志 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：安装基板(20)；以及半导体元件(10)，隔着金属凸块(30)被配置在安装基板(20)，半导体元件(10)，具有半导体层叠结构(11)以及第1电极，安装基板(20)，具有第2电极，金属凸块(30)具有与半导体元件(10)的第1电极相接的第1层(31)、以及位于该第1电极的相反侧的第2层(32)，构成第1层(31)的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层(32)的结晶的平均结晶粒径大，第2层(32)位于与半导体元件(10)的第1电极隔开的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201980043532.4有效
发明人：大屋满明;广木均典;政元启明;林茂生 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备设于半导体层叠构造(11)的第一电极(E1)、设于衬底(21)的第二电极(E2)、以及将第一电极(E1)和第二电极(E2)接合的接合金属层(30)，在接合金属层(30)的内部存在间隙(33)。
半导体装置

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