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- [发明专利]一种TC-SAW的金属电极制造方法-CN202011320104.2有效
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宋晓辉;许欣;翁志坤;冉忠堂
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广东广纳芯科技有限公司
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2020-11-23
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2023-10-20
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H03H3/10
- 本发明提供一种TC‑SAW的金属电极制造方法，所述方法包括：于压电材料衬底上沉积第一IDT金属层；形成第一正性光刻胶层；形成一次IDT图形；对所述第一IDT金属层进行刻蚀，以暴露出部分所述压电材料衬底，并形成与所述一次IDT图形相应的指状电极；沉积第二IDT金属层；去除第一正性光刻胶层以及在第一正性光刻胶层上沉积的所述第二IDT金属层，以露出所述第一IDT金属层；在所述第一IDT金属层和所述第二IDT金属层上形成第一介质层；形成第二正性光刻胶层；形成二次IDT图形；剥离部分所述第一介质层以及部分所述第二IDT金属层，以露出部分所述压电材料衬底；去除所述第二正性光刻胶层；在所述第一介质层及暴露出的部分所述压电材料衬底上沉积第二介质层。
- 一种tcsaw金属电极制造方法
- [实用新型]用于制造声表面波滤波器的通用掩模版-CN202223489159.3有效
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许欣;吴旭
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广东广纳芯科技有限公司
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2022-12-26
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2023-08-04
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G03F1/50
- 本实用新型涉及一种用于制造声表面波滤波器的通用掩模版，所述通用掩模版包括至少一个曝光区，所述至少一个曝光区的每个曝光区包括至少一个掩模版单元，所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的面积被设置为，以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的面积满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的面积的要求，所述至少一个掩模版单元的每个掩模版单元中的开窗的数量和位置被设置为，以使得利用所述通用掩模版进行光刻工艺所得到的所述声表面波滤波器的开窗层的开孔的数量和位置满足具有相同尺寸的至少两种所述声表面波滤波器所需要的植球区域的数量和位置的要求。
- 用于制造表面波滤波器通用模版
- [发明专利]滤波器-CN202211687180.6在审
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吴旭;许欣
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广东广纳芯科技有限公司
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2022-12-27
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2023-04-11
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H01P1/20
- 本发明的滤波器，具有层叠体，该层叠体包括：顶层金属层，该顶层金属层上形成有输入口植球位、输出口植球位、第一线圈、第二线圈，所述第一线圈和所述第二线圈分别具有螺旋形状，并且所述第一线圈与所述输入口植球位相连接，所述第二线圈与所述输出口植球位相连接；底层金属层，该底层金属层上形成有输入口焊接位、输出口焊接位、以及接地焊接位；以及通孔层，该通孔层形成在所述顶层金属层和所述底层金属层之间，并且在该通孔层上形成有多个通孔，所述第一线圈通过所述通孔中的导体与所述输入口焊接位相连接，所述第二线圈通过所述通孔中的导体与所述输出口焊接位相连接。
- 滤波器
- [发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法-CN202210295297.3在审
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王伟超;潘会福;许欣
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广东广纳芯科技有限公司
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2022-03-24
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2022-11-25
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H03H9/02
- 本发明的薄膜体声波谐振器(10)具有：衬底(1)，该衬底(1)由压电晶体构成；压电层(2)，该压电层(2)垂直于衬底(1)的表面、且由衬底(1)的一部分来构成；第一电极(3)，该第一电极(3)在衬底(1)上与压电层(2)平行地形成于压电层(2)的一侧；第二电极(4)，该第二电极(4)在衬底(1)上与压电层(2)平行地形成于压电层(2)的另一侧；第一空腔层(5)，该第一空腔层(5)在衬底(1)上与第一电极(3)平行地形成于第一电极(3)的远离压电层(2)的一侧；第二空腔层(5)，该第二空腔层(5)在衬底(1)上与第二电极(4)平行对地形成于第二电极(4)的远离压电层(2)的一侧。
- 薄膜声波谐振器及其制造方法
- [发明专利]温度补偿型谐振器及其制造方法-CN202210447361.5在审
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许欣
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广东广纳芯科技有限公司
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2022-04-26
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2022-09-30
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H03H9/02
- 本发明的温度补偿型谐振器(10)具有压电基底层(1)；在压电基底层上以相互平行地形成的第一汇流条(2a)和第二汇流条(2b)；形成于第一汇流条的多个第一叉指电极(3a)；形成于第二汇流条上的多个第二叉指电极(3b)；在多个第一叉指电极上远离第一汇流条一侧的端部、和在第二叉指电极上远离第二汇流条一侧的端部形成的多个第一加厚层(4a)；在多个第一叉指电极上与相邻的第二叉指电极的端部平齐的部位、和在多个第二叉指电极上与相邻的第一叉指电极的端部平齐的部位形成的多个第二加厚层(4b)；以及覆盖于压电基底层、第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极以及第二叉指电极的上方的温度补偿层(5)，相邻的第一叉指电极之间的汇流条区域和相邻的第二叉指电极之间的汇流条区域均为圆弧形。
- 温度补偿谐振器及其制造方法
- [实用新型]测量装置-CN202221125897.7有效
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许欣;周国明
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广东广纳芯科技有限公司
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2022-05-10
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2022-08-30
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G01R31/00
- 本实用新型提供一种测量装置，所述测量装置用于进行器件的压电特性测量，并且所述测量装置包括：底座，所述底座具有多个定位孔和定位部，所述定位部设置于多个定位孔的外围区域，并从底座的上表面向上延伸；测试板，所述测试板通过使自身的多个测试板孔分别与多个定位孔相对准来定位在底座上，并且测试板的上表面预留有测试位置，当器件被放置于测试位置时，器件与测试板上的电路电连通；以及施压部，所述施压部包括压锤和压杆，所述压杆垂直贯穿压锤，其中，压锤的外轮廓的形状与定位部的内轮廓的形状相匹配，当施压部从上方进入由定位部限定的空间后，定位部限定压锤在径向上的移动，并且压杆的底部与测试位置对准来与器件抵接。
- 测量装置
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