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[发明专利]激光元件、激光元件阵列以及激光元件的制造方法-CN202280015205.X在审
发明人：林贤太郎;滨口达史;佐藤进;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：[问题]提供：具有凹面镜结构并且表现出优异的光学特性的激光元件；激光元件阵列；以及激光元件的制造方法。[解决方案]根据本技术的激光元件配备有第一光反射层、第二光反射层以及层压体。层压体包括有源层，并且具有设置在第一光反射层一侧的第一表面上的透镜。在透镜中，纵向方向被定义为第一方向并且短边方向被定义为第二方向。透镜具有朝向第一光反射层突出的透镜形状。透镜在第一方向上的中心部分具有作为沿第二方向最短宽度的第一宽度，并且透镜在第一方向上的非中心部分具有作为沿第二方向最大宽度的第二宽度。透镜的高度恒定，或者中心部分处的高度大于端部的高度。透镜在第二方向上的顶部具有恒定的曲率半径。第一光反射层层压在第一表面上，并且在透镜上形成具有凹面形状的凹面镜。
激光元件阵列以及制造方法

[发明专利]面发射激光器-CN202280014749.4在审
发明人：山口修平;渡边秀辉;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种面发射激光器，能够以良好的产量制造并且具有用于限制电流和光的配置。面发射激光器包括：包括第一多层膜反射器的第一结构；包括第二多层膜反射器的第二结构；以及包括活性层并且布置在第一结构和第二结构之间的谐振器。接合部存在于第一结构的内部、第二结构的内部、谐振器的内部、谐振器与第一结构之间的区域、以及谐振器与第二结构之间的区域中的至少一个位置中。由接合部接合的第一结构和第二结构中的至少一个结构设置有用于限制电流的第一限制部，并且第一结构和第二结构中的至少一个结构设置有用于在电流和光之中至少限制光的第二限制部。
发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器件-CN202280013377.3在审
发明人：滨口达史;仲山英次;林贤太郎;横关弥树博;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明解决了提供具有凹面镜型结构并展现出优异的偏振可控性的垂直腔面发射激光元件的问题。根据本技术的垂直腔面发射激光元件设置有第一光反射层、第二光反射层以及层叠体。该层叠体包括第一半导体层、第二半导体层和有源层，并且布置在第一光反射层和第二光反射层之间。所述层叠体具有用于限制电流并且形成电流集中的电流注入区域的电流限制结构。第一光反射层具有凹面镜，凹面镜在层叠体一侧上具有凹面并且在背对层叠体的一侧上具有凸面。当将从发射光的光轴方向观察到的电流注入区域的平面图形定义为第一图形并且将从光轴方向观察到的表示凹面镜离有源层的高度的等高线的平面图形定义为第二图形时，第一图形与第二图形不相似。
垂直发射激光器件

[发明专利]表面发射激光器、电子装置及表面发射激光器的制造方法-CN202280009903.9在审
发明人：荒木田孝博;我妻新一;幸田伦太郎;比嘉康贵;前田修;德田耕太 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：提供了一种能够抑制发光效率降低的表面发射激光器。提供了一种表面发射激光器，包括：第一多层膜反射器和第二多层膜反射器；多个活性层，在第一多层膜反射器和第二多层膜反射器之间层压在一起；隧道结，设置在多个活性层之中的在层压方向上彼此相邻的两个活性层之间；以及氧化物限制层，设置在两个相邻活性层中的一个活性层与隧道结之间。该特征能够提供能够抑制发光效率的降低的表面发射激光器。
表面发射激光器电子装置制造方法

[发明专利]半导体激光器元件-CN202180061112.6在审
发明人：中岛博;滨口达史;田中雅之;林贤太郎;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：一种半导体激光元件，具有：谐振器结构，包括第一化合物半导体层、活性层以及第二化合物半导体层堆叠的堆叠结构；以及第一光反射层和第二光反射层，沿谐振器结构的谐振方向设置在两端；以及当振荡波长被设置为λ时，第一光反射层和第二光反射层中的每个包括折射率周期结构，该折射率周期结构以堆叠方式包括多个薄膜，每个薄膜具有k0(λ/4)的光学膜厚度，以及相移层，设置在所述第一光反射层和/或所述第二光反射层中的至少一个光反射层内。
半导体激光器元件

[发明专利]发光元件、发光元件单元、电子设备、发光装置、感测装置和通信装置-CN202180022292.7在审
发明人：滨口达史;伊藤仁道;横关弥树博;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：根据本公开的发光元件包括：层压结构20，其中层压第一化合物半导体层21、活性层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，形成在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，形成在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；第一电极31，电连接至第一化合物半导体层21；以及第二电极32，电连接至第二化合物半导体层22；发光元件设置有控制电流到活性层23的电流限制区域52。当穿过由电流限制区域52包围的电流注入区域51的中心的层压结构20的厚度方向上的轴被定义为Z轴，与Z轴正交的方向被定义为X方向，并且与X方向和Z轴正交的方向被定义为Y方向时，电流注入区域51具有纵向方向在Y方向上延伸的细长平面形状。
发光元件单元电子设备装置通信

[发明专利]发光元件-CN202080093169.X在审
发明人：滨口达史;横关弥树;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该发光元件(10A)设置有：堆叠结构(20)，在堆叠结构中堆叠了具有第一表面(21a)和第二表面(21b)的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)、以及具有第一表面(22a)和第二表面(22b)的第二化合物半导体层(22)；第一光反射层(41)，形成在第一化合物半导体层(21)的第一表面(21a)侧并且在远离有源层(23)的方向上具有突出的形状；以及第二光反射层(42)，形成在第二化合物半导体层(22)的第二表面(22b)侧并且具有平坦形状。形成了在堆叠结构(20)的堆叠方向上延伸的分隔壁(24)以围绕第一光反射层(41)。
发光元件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202080018807.1在审
发明人：田中雅之;滨口达史;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：一种发光元件包括：层压结构体20，其中层压有第一化合物半导体层21、活性层23和第二化合物半导体层22；第一电极31，电连接到第一化合物半导体层21；以及第二电极32和第二光反射层42，形成在第二化合物半导体层22上。在第一化合物半导体层21的第一表面上形成突出部43，至少在突出部43上形成平滑层44，突出部43和平滑层44构成凹面镜部分，在平滑层44的至少部分上形成第一光反射层41，并且第二光反射层42具有平坦形状。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201980011047.9在审
发明人：藤井贤太郎;滨口达史;幸田伦太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2019-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该发光元件设置有通过层压以下元件而获得的层压结构：通过层压多个薄膜而形成的第一光反射层41；发光结构20；以及通过层压多个薄膜而形成的第二反光层42。通过层压第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22获得发光结构。在发光结构20中，平行于由有源层23占据的虚构平面形成光吸收材料层71(32)。Lop的值不同于Λ的值，并且第二光反射层42的厚度Tave具有不同于第二光反射层42的理论厚度TDBR的值，其中，λ0是振荡波长，neq是从有源层到光吸收材料层等效折射率，Lop是从有源层到光吸收材料层的光学距离，并且Λ≡{(2m+1)λ0}/(4neq)(其中，m是等于或大于零的整数)。
发光元件

[发明专利]半导体激光设备组件-CN201510072811.7有效
发明人：河野俊介;仓本大;宫岛孝夫;幸田伦太郎;渡边秀辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体激光设备组件，包括：半导体激光设备；以及色散补偿光学系统，在此入射和出射从半导体激光设备出射的激光，以控制从半导体激光设备出射的激光的每个波长的群速度色散值。
半导体激光设备组件

[发明专利]半导体激光设备组件-CN201410183449.6有效
发明人：河野俊介;仓本大;幸田伦太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括：锁模半导体激光元件组件，包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统，从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光；以及半导体光学放大器，具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体，该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
半导体激光设备组件

[发明专利]光半导体元件和激光装置组件-CN201580056071.6在审
发明人： 幸田伦太郎;仓本大;河野俊介;渡边秀辉;吉田浩 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01S5/50 文献下载
摘要：一种光半导体元件，包括由第一化合物半导体层21、第三化合物半导体层(有源层)23和第二化合物半导体层22构成的层叠结构体20。依次布置波导宽度为W1的基模波导区域40、宽度大于W1的自由传播区域50以及光射出区域60，所述光射出区域60具有朝着光射出端面25的方向而宽度增大的锥形(喇叭形)形状。
半导体元件激光装置组件

[发明专利]次载具、次载具组件和次载具装配方法-CN201210020425.X有效
发明人：渡边秀辉;幸田伦太郎;仓本大;长沼香;横山弘之 -专利权人：索尼公司;国立大学法人东北大学
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有阻止制造成本的增加与成品率和可靠性的减小的结构和构造并包括倾斜波导的次载具、次载具组件和次载具装配方法。具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上的次载具，波导具有相对于半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG(度)的轴线，并由具有折射率nLE的半导体材料制成，次载具包括第一表面上的熔接材料层；以及形成于熔接材料层中的对准标记，允许以角度θSM＝sin‑1[nLE·sin(θWG)/n0]识别对准标记，其中，半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0。
次载具组件装配方法

[发明专利]具有色散补偿外腔的锁模半导体激光二极管-CN201280054166.0在审
发明人：河野俊介;仓本大;宫岛孝夫;幸田伦太郎;渡边秀辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：提供了一种半导体激光设备。该半导体激光设备包括锁模半导体激光装置和外部谐振器，该外部谐振器包括色散补偿系统，其中，该半导体激光设备被配置为生成自调制，将负群速度色散引入外部谐振器中，并用于在外部谐振器之后提供光谱过滤。
具有色散补偿半导体激光二极管

[发明专利]发光器件及其制造方法-CN201280045924.2无效
发明人：仓本大;幸田伦太郎;渡边秀辉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种能够发出单模光束的高输出发光器件。所述发光器件设置有层压结构（20）、第二电极（32）和第一电极（31），所述层压结构本体通过在基板（20'）上按顺序层压第一化合物半导体层（21）、活性层（23）和第二化合物半导体层（22）构成。第一化合物半导体层（21）具有从所述基板侧开始的第一包覆层（121A）和第一光导层（121B）的层压构造，以及所述层压结构具有由第二化合物半导体层（22）、活性层（23）以及所述第一光导层在厚度方向上的部分（121B'）构成的脊条状结构（20A）。满足6×10^-7m<t₁以及0（m）<t₁'≤0.5·t₁，其中第一光导层（121B）的厚度是t₁，以及构成所述第一光导层的脊条状结构（20A）的部分（121B'）的厚度是t₁'。
发光器件及其制造方法

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