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[发明专利]薄膜光伏装置及制造方法-CN201610654658.3有效
发明人：阿德里安·希里拉;阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里;帕特里克·布罗什;西胁士郎;戴维·布雷莫 -专利权人：弗立泽姆公司;瑞士材料科学技术研究所
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制造薄膜光伏装置(100)的方法，所述方法包括：a)在背面接触层上沉积吸收层的第一区，所述背面接触层设置在基板上，其中，所述第一区包含选自由In、Ga和Al组成的组中的一种或多种第一元素；b)在所述第一区上沉积所述吸收层的第二区，在沉积所述第二区期间，保持第一沉积速率比率；c)在所述第二区上沉积所述吸收层的第三区，在沉积所述第三区期间，保持第二沉积速率比率，且所述第二沉积速率比率小于所述第一沉积速率比率的0.83倍；以及d)在所述第三区上沉积所述吸收层的第四区，在沉积所述第四区期间，保持第三沉积速率比率，并且，所述第三沉积速率比率大于所述第二沉积速率比率的1.2倍。
薄膜装置制造方法

[发明专利]薄膜光伏装置及制造方法-CN201280012915.3有效
发明人：阿德里安·希里拉;阿约蒂亚·纳什·蒂瓦里;帕特里克·布罗什;西胁士郎;戴维·布雷莫 -专利权人：弗立泽姆公司;瑞士材料科学技术研究所
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制造薄膜光伏装置（100）的方法，该装置包括沉积在一个背面接触层（120）上的光伏Cu(In,Ga)Se2或等效ABC吸收层（130），例如ABC2层，该方法的特征在于包括至少五个沉积步骤，其中在至少一种C元素存在于一个或多个步骤的情况下第三或第四步骤对是顺序地可重复的。在第一步骤中，沉积至少一种B元素，接下来在第二步骤中，以沉积速率比率Ar/Br沉积A和B元素，在第三步骤中以低于先前的比率Ar/Br沉积，在第四步骤中以高于先前的比率Ar/Br沉积，并且在第五步骤中仅沉积B元素以实现全部经沉积的元素的最终比率A/B。所得的光伏装置的特征在于由光曝露侧开始，该光伏装置（100）的吸收层（130）包括一个具有渐减的Ga/(Ga+In)比率的第一区（501）、紧接着一个具有渐增的Ga/(Ga+In)比率的第二区（502），其中在该第二区（502）的光曝露半侧上Ga/(Ga+In)值的增加小于0.15并且包括至少一个隆起。
薄膜装置制造方法