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[发明专利]有提供线性正电阻温度系数的掺杂SiC电阻的温度相关器件-CN200510125044.8无效
发明人： J·D·帕森斯 -专利权人： 希脱鲁尼克斯
申请日： 2001-07-20 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：一种高温混合电路结构，其中包括一通过电极(4a，4b)与一导电安装层(8)连接的温度感测器件(2)，该温度敏感器件包含SiC、AlN和/或Al_xGa_1－xN(x＞0.69)，所述导电安装层(8)与一A1N模片(6)相结合。所述模片、温度感测器件以及安装层(它可以是W、WC或W₂C)的温度膨胀系数彼此都在1.06内。安装层可完全由W、WC或W₂C黏合层或一带有一金属化叠层(14)的黏合层(12)构成，所述金属化叠层的热膨胀系数不大于所述黏合层的约3.5倍。可使用反应的硼硅酸盐混合物(18)，用或不用有助于保持住导线(16)并增加结构完整性的上模片(22)来封装该器件。本发明可用于温度感测器、压力感测器、化学感测器以及高温和高功率电子线路。
提供线性电阻温度系数掺杂 sic 相关器件

[发明专利]带有晶片型感应器的质流仪-CN03815196.0无效
发明人： C·万西斯;J·吉步森;J·D·帕森斯;T·费尔曼 -专利权人： 希脱鲁尼克斯
申请日： 2003-06-28 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G01F1/68 文献下载
摘要：一种质流计，其利用分离式晶片类型之温度感应器(U1，U2，D1，D2)以感应流体流速。该感应器可以是一种半导体晶片，如碳化硅(SiC)或硅，或是氮化铝(AlN)基板(30)上的钨薄膜(28)。为了精确的流速监测，感应器可以相对于流体流经的导线管(4)对称地分布，并且可以连接成四个感应器的桥接电路。质流计的输出可以用来控制流速。
带有晶片感应器质流仪

[发明专利]具有钨/氮化铝的稳定高温传感器/加热器系统和方法-CN03815057.3无效
发明人： J·D·帕森斯 -专利权人： 希脱鲁尼克斯
申请日： 2003-06-28 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01C3/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种传感器系统，其具有一氮化铝(AlN)基板(4)、一在该基板之上的W层(2)、一经调适以向该W层施加电致动信号的信号源(70)及一经调适以感测该W层的响应的传感器(72)。该W层可包含一薄膜，该薄膜上具有多种类型的可选择保护层(12)。应用包括感测温度、流体流速、流体水平、压力及化学环境。对一平面加热器而言，该W层包含分布在该基板上的多个传导线(34)，对于一矩形基板(32)而言该等线大致平行且蜿蜒成型，且对于一圆形基板(42)而言该等线沿在该基板的相对极点(44)处合并的各自的经线(40)延伸。
具有氮化稳定高温传感器加热器系统方法

[发明专利]采用单晶SiC检测电磁辐射-CN02814194.6无效
发明人： J·D·帕森斯 -专利权人： 希脱鲁尼克斯
申请日： 2002-05-13 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：采用至少200微米厚度的单晶SiC(6)，透过声音吸收机理探测波长约少于10微米的电磁辐射(4)。其应用包括IR辐射探测，非接触温度探测及IR控制变阻器。
采用 sic 检测电磁辐射

[发明专利]利用经反应的硼硅酸盐混合物的连结结构-CN02804956.X无效
发明人： J·D·帕森斯 -专利权人： 希脱鲁尼克斯
申请日： 2002-01-07 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：环境感测器(2)和其他本体连同相关联的导线(6)藉由经反应的硼硅酸盐混合物(RBM)(18，20)安装在可氧化的基体(4)上供高温应用，在高温反应过程中，RBM藉由形成在RBM和基体间的氧化界面(22)使本体相对于基体固定。亦可以氧化本体形成氧化界面(24)而提供更进一步安装强度。该RBM是B₂O₃－SiO₂混合物，为了黏着目的，B₂O₃部分至少为70wt％，最好至少为75wt％，而为了包胶目的，至少为50wt％。
利用反应硅酸盐混合物连结结构

[发明专利]高温电路结构-CN01817768.9无效
发明人： J·D·帕森斯 -专利权人： 希脱鲁尼克斯
申请日： 2001-07-20 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：一种高温混合电路结构，其中包括一通过电极(4a，4b)与一导电安装层(8)连接的温度感测器件(2)，该温度敏感器件包含SiC、AlN和/或Al_xGa_1－xN(x＞0.69)，所述导电安装层(8)与一AlN模片(6)相结合。所述模片、温度感测器件以及安装层(它可以是W、WC或W₂C)的温度膨胀系数彼此都在1.06内。安装层可完全由W、WC或W₂C黏合层或一带有一金属化叠层(14)的黏合层(12)构成，所述金属化叠层的热膨胀系数不大于所述黏合层的约3.5倍。可使用反应的硼硅酸盐混合物(18)，用或不用有助于保持住导线(16)并增加结构完整性的上模片(22)来封装该器件。本发明可用于温度感测器、压力感测器、化学感测器以及高温和高功率电子线路。
高温电路结构