专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备-CN202310317554.3有效
  • 巴兰松;张云森;李辉辉;余泳 - 北京超弦存储器研究院
  • 2023-03-28 - 2023-10-20 - H10B61/00
  • 本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备。该半导体结构包括:衬底、背栅、半导体层、漏极、磁性隧道结以及位于半导体层远离衬底一侧的第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极。半导体层与背栅叠层设置且绝缘;磁性隧道结位于漏极远离衬底的一侧,且与漏极接触;第一源极和第一栅极位于漏极的一侧,第二源极和第二栅极位于漏极的另一侧,且第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极分别在衬底上的正投影均与半导体层在衬底上的正投影交叠。本申请提供的半导体结构包括一个磁性隧道结和两个晶体管,相对于传统的MRAM存储单元,能够提升MRAM存储单元读写稳定性。
  • 半导体结构存储器及其制作方法电子设备
  • [发明专利]一种强静磁场下消除凝固材料偏析的方法-CN202011423055.5在审
  • 李喜;巴兰松;侯龙;王越;周婷;杨思远;王建涛;龙智鹏 - 上海大学
  • 2020-12-08 - 2021-04-23 - C22F1/057
  • 本发明公开了一种强静磁场下消除凝固材料偏析的方法,包括以下步骤:a.选取纯度为99.99%的高纯合金原料配置合金,b.采用电火花线切割的方法将合金切割出直径为3mm,长度为100mm的试样棒,并将表面打磨干净放入刚玉管中,c.将装有样品的刚玉管放入加热炉中,加热到预设温度,在保温阶段将强静磁场打开,保温1小时后开启伺服抽拉系统。本发明中,通过在合金定向凝固过程中施加一种强静磁场来控制金属熔体的质量、热量和动量的传输,并将磁化能无接触的施加到体系中,改变原子的匹配和迁移,改变材料的热力学状态,在达到消除偏析目的同时,合金不会氧化损耗严重,而且所需能耗低、时间短。
  • 一种磁场消除凝固材料偏析方法

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