“左涛涛”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果127个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]散热片抛光装置-CN202311013644.X在审
发明人：吴修春;左涛涛;张志良 -专利权人：苏州市华盛源机电有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本申请涉及抛光装置技术领域，尤其是涉及一种散热片抛光装置，包括工作台，所述工作台上设有用于对所述散热片进行定位的定位台，所述工作台上还设有第一抛光工位和第二抛光工位，所述第一抛光工位包括用于对翅片进行支撑的夹持机构和用于打磨翅片的打磨组件，所述夹持机构设置在所述散热片长度方向的两侧，所述打磨组件设置在所述散热片的顶部，所述第二抛光工位包括用于对翅片进行支撑的定位机构和用于打磨翅片的抛光组件，所述定位机构设置在所述散热片的顶部，所述抛光组件设置在所述散热片长度方向的两侧。本申请能够在抛光打磨的过程中实现对翅片的支撑，尽量避免翅片产生形变，有助于实现更好的打磨抛光效果。
散热片抛光装置

[发明专利]等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备-CN201910598506.X有效
发明人：苏宜龙;左涛涛;陈妙娟 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理装置，其中，用于等离子体处理设备的射频电极组件包括：基座，所述基座内设置有第一流体通道，所述第一流体通道连接第一流体源；位于所述基座上的静电夹盘，所述静电夹盘上用于放置待处理基片；位于所述静电夹盘外围的聚焦环，在所述聚焦环内具有至少一空腔，每个空腔内设置至少一个温控器件设置在所述空腔中，以控制所述聚焦环的温度。所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物的分布进行分区域局部地调节。
等离子体处理设备射频电极组件

[发明专利]一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘-CN201911059867.3有效
发明人： 左涛涛;吴狄;倪图强;黄国民 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及其下电极组件、静电卡盘，其中静电卡盘用于在等离子体处理装置的反应腔中支撑待处理基片，其包括穿过该静电卡盘上表面至下表面，用于向所述静电卡盘与待处理基片之间通入冷却气体的若干气孔；所述气孔内填塞有至少一个孔塞；所述孔塞设置有穿过该孔塞上表面至下表面的若干通孔，所述通孔的内径小于所述气孔的内径。本发明通过在静电卡盘气孔内填塞至少一个孔塞，而孔塞上布置有若干通孔，实现了在保证静电卡盘上基片的温度均匀性的情况下，进一步避免了因静电卡盘的气孔内冷却气体解离所造成的气孔内壁被击穿，而在气孔中产生杂质颗粒的问题。
一种等离子体处理装置及其电极组件静电卡盘

[发明专利]气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备-CN201910500583.7有效
发明人： 左涛涛;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备，气体调节装置设置在半导体处理设备的真空反应腔内，气体调节装置至少包含一个一级气体扩散槽和一个二级气体扩散槽，一级气体扩散槽与多个进气口连接，以获得反应气体，二级气体扩散槽上设置多个出气口，以向真空反应腔内提供反应气体，相邻的气体扩散槽之间设置有多个气体通道，以实现气体扩散槽之间的气体联通。本发明通过在反应腔内部设置多层气体扩散槽，并对不同的径向角度范围内的气体流量进行独立调节，能够在反应腔中360°圆周方向实现均匀的气体分布，保证了刻蚀的均匀性，提高了刻蚀效率，提高了产品的良率。
气体调节装置应用等离子体刻蚀设备

[发明专利]波纹管结构、调整垂直度的方法及其等离子体处理装置-CN201911327071.1有效
发明人：毛杰;左涛涛;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：波纹管结构、调整垂直度的方法及其等离子体处理装置。本发明涉及一种波纹管结构及其调整波纹管轴的垂直度的方法。波纹管结构包括波纹管轴、波纹管本体及调整块。波纹管本体套设波纹管轴。调整块可调整套设位置地套设波纹管轴，用于改变波纹管轴的垂直度。本发明通过调整块套设并调整波纹管轴，以达到使波纹管轴具有更好的垂直度的功效。
波纹管结构调整垂直方法及其等离子体处理装置

[发明专利]一种接地组件及其等离子体处理装置与工作方法-CN202010716962.2有效
发明人： 左涛涛;连增迪;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体处理装置中的接地组件及其等离子体处理装置与工作方法，该等离子体处理装置包含：真空反应腔；下电极组件，位于真空反应腔内，下电极组件包括承载面，用于承载待处理晶圆；接地组件，其环绕设置在下电极组件的外侧，接地组件内包含若干个电磁场屏蔽的容纳空间；晶圆边缘保护环，环绕覆盖在待处理晶圆的边缘；若干个升降装置，其包含升降杆和驱动装置，驱动装置设置在容纳空间内，驱动装置与升降杆连接以便驱动升降杆带动晶圆边缘保护环升降。其优点是：在接地组件内设置容纳空间，将驱动装置设置于容纳空间内，避免过多占用真空反应腔内的空间，使驱动装置免受真空反应腔内的电磁场影响，有利于刻蚀工作的稳定性。
一种接地组件及其等离子体处理装置工作方法

[实用新型]静电夹盘及等离子体处理装置-CN202223365142.7有效
发明人： 左涛涛;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种静电夹盘及等离子体处理装置。静电夹盘包括第一介电层和第二介电层，第二介电层的电阻率大于第一介电层的电阻率；还包括用于产生静电吸力的电极，电极位于第一介电层的顶表面和第二介电层的底表面之间。本实用新型提出的静电夹盘能够使用于高功率应用场景，而不会导致打火或电弧放电等现象的发生；还能够改善晶圆解吸附困难的问题。
静电等离子体处理装置

[实用新型]基座及等离子体刻蚀装置-CN202223404089.7有效
发明人： 左涛涛;倪图强;吴狄;蔡楚洋 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基座及等离子体刻蚀装置，所述基座包括：陶瓷板，陶瓷板包括顶面和底面，顶面用于放置基片；依次设置在底面上的电极层，绝缘层和粘接层，绝缘层覆盖电极层；基板，其位于粘接层的下侧；适配板，其位于粘接层和基板之间，适配板与陶瓷板的热膨胀系数相匹配。本实用新型能够降低ESC制备工艺的难度，并使其适用于高温制备工艺。
基座等离子体刻蚀装置

[发明专利]薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔内真空度的方法-CN202111599495.0在审
发明人：连增迪;左涛涛;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔真空度的方法，所述薄膜真空计应用于等离子体处理设备中等离子体处理设备包括反应腔；包括：由外壳围成的空腔，空腔中设置有测量压力的薄膜；与空腔连通的气体通路，气体通路可以与反应腔气密连通；反应腔内部的气体通过气体通路进入空腔，用于测量所述反应腔内的气压；气体通路吸收从其内通过的气体中的氟离子，防止薄膜真空计中的膜片变性，保证了薄膜真空计零点的稳定性，及提高了反应腔内真空度测量的准确度。
薄膜真空计等离子体处理设备测量反应真空方法

[发明专利]提高刻蚀均匀性的静电吸盘、等离子体反应装置-CN202111319511.6在审
发明人：蔡楚洋;左涛涛 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种提高刻蚀均匀性的静电吸盘，包含：基座；设置在所述基座上的第一介电层，用于承载晶圆；设置在第一介电层与基座之间的第二介电层，所述第二介电层不同区域的介电常数不相同；通过第二介电层实现按区域调节静电吸盘的等效电容，使等离子体能量沿晶圆径向方向的分布满足工艺要求；所述第二介电层维持所述基座与所述第一介电层之间连续的热传导。本发明还提供一种等离子体反应装置。本发明通过改变静电吸盘本身的材料特性实现改变电场分布，实现按区域调节晶圆刻蚀速率，有效改善边缘效应，提高制程均一性。
提高刻蚀均匀静电吸盘等离子体反应装置

[发明专利]等离子体刻蚀装置-CN201811603960.1有效
发明人： 左涛涛;连增迪;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体刻蚀装置，包括：反应室，用于容纳反应气体；介电窗，其设置与反应室顶部；边缘环，其固定于反应室和介电窗之间；介电窗和边缘环用于真空密封反应室；进气系统，其用于向反应室内通入反应气体，其包括设置在介电窗的中心区域上的第一进气通道，和环绕设置在介电窗的边缘区域上的第二进气通道，第二进气通道使得反应气体从上向下穿过介电窗，被反应室内的边缘环阻挡后向反应室内中心区域扩散。本发明解决了由于反应气体是腐蚀性气体时对设置在边缘环内部放入侧壁进气通道腐蚀产生污染物，污染物随着反应气体进入反应室内，导致反应室内的晶圆被污染的问题。
等离子体刻蚀装置

[实用新型]一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件-CN202221848457.4有效
发明人：唐观扬;杨宽;左涛涛;倪图强;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件，属于等离子刻蚀技术领域，为了解决刻蚀工艺过程中基片表面不同区域刻蚀速率不均匀的问题，本实用新型的电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件包括在反应腔内产生等离子体的射频线圈；位于射频线圈上方的通入直流电流的直流线圈，以及位于直流线圈和射频线圈之间的屏蔽层，通过设置屏蔽层，避免在等离子体工艺过程中射频线圈在直流线圈中产生感应电流，以保护直流源，减少射频损失。
一种电感耦合等离子处理设备线圈组件

[发明专利]下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法-CN201911381446.2有效
发明人：林雅萍;左涛涛;蔡楚洋 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法，其中，所述下电极组件包括：基座，具有预设工作温度，其内具有冷却通道，冷却通道包括冷却输入端和冷却输出端；冷却气体，其液化温度低于所述预设工作温度；冷却装置，用于对冷却气体进行降温；第一气体输送管道，用于将冷却气体输送至冷却装置；第二气体输送管道，与冷却输入端连通，用于将降温后的冷却气体输送入所述冷却通道内，降温后的所述冷却气体对基座进行降温以达到预设工作温度；第三气体输送管道，与冷却输出端连通，用于将对基座降温后的所述冷却气体输出。利用所述下电极组件对基座进行降温时，有利于降低冷却气体对接触部件造成损伤，提高下电极组件的密封性。
电极组件等离子体处理装置及其工作方法

[实用新型]半导体处理设备及其聚焦环加热装置-CN202222020884.X有效
发明人：连增迪;倪图强;左涛涛 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体处理设备及其聚焦环加热装置，半导体处理设备包括一真空反应腔，真空反应腔内设有用于支撑待处理基片的静电吸盘，环绕静电吸盘设置一聚焦环和一插入环，插入环设置在聚焦环下方，在所述聚焦环内部或所述聚焦环下方设置一加热器，用于将热量传输至聚焦环，加热器与聚焦环之间设置第一导热衬垫，加热器与插入环之间设置第二导热衬垫，第一导热衬垫的导热系数大于等于第二导热衬垫的导热系数。本实用新型通过选用不同材料、厚度和导热系数的导热衬垫，实现对聚焦环的优化升温和优化降温，从而调节基片中心和边缘的温度差异，获得均匀的基片处理结果，提高了产品良率。
半导体处理设备及其聚焦加热装置

[发明专利]气体供应系统及其气体输送方法、等离子体处理装置-CN201911243135.X有效
发明人：连增迪;左涛涛;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种气体供应系统，包括多个气体输入管路和气体输出管路，所述气体输入管路包括并联的第一气体输出支路和第二气体输出支路，所述气体输出管路包括第一气体输出管路和第二气体输出管路，所述第一气体输出管路的输出端与所述第二气体输出管路的输入端相连，第二气体输出管路的输出端用于给等离子体处理设备的腔室输送气体，第一气体输出管路与多个气体输入管路中的第一气体输出支路的输出端相连通，第二气体输出管路与所多个气体输入管路中的第二气体输出支路的输出端相连通，从而在多个气体输入管路中输出不同流量需求的第一气体和第二气体时，以解决小流量需求的第二气体对等离子体处理工艺过程的改善效果较为有限的问题。
气体供应系统及其输送方法等离子体处理装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 127 条