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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080102980.X在审
发明人：本间一郎;川越刚 -专利权人：超极存储器股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制贯穿电极区域的面积的增加的半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具有：基准单元(100)，其以使电路层(11、21)邻接的方式层叠有至少两个电路模块(10、20)；附加单元(200)，其以使电路层(31、41)邻接的方式层叠有其他的至少两个电路模块(30、40)，附加单元(200)层叠在基准单元(100)；以及过孔(300)，其跨越基准单元(100)和附加单元(200)来配置，且在层叠方向延伸，过孔(300)具有配置在基准单元(100)的基准过孔(310)和配置在附加单元(200)的附加过孔(320)，附加过孔(320)在与基准过孔(310)接触的位置具有比基准过孔(310)的直径小的直径。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置-CN201310093687.3无效
发明人：玉井幸夫;中野贵司;粟屋信义;相泽一雄;浅野勇;日向野直也;川越刚 -专利权人：夏普株式会社;尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置。本发明实现一种动作裕度宽的高集成存储器。在第一电极（14）和第二电极（12）之间夹持包含金属氧化物的可变电阻体（13）而构成的可变电阻元件（1）中，在这样的金属氧化物中具有流过两电极（12、14）间的电流的电流密度局部高的电流路径，在两电极（12、14）中至少电阻率更高的一个特定电极的电阻率为100μΩcm以上的情况下，将这样的特定电极与可变电阻体（13）接触的接触区域的短边方向或短轴方向的尺寸（R）相对于特定电极的膜厚（d）设定为1.4倍以上。由此，降低起因于电极的加工偏差而在电极部分产生的寄生电阻的偏差，抑制起因于寄生电阻的偏差而产生的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差。
可变电阻元件以及非易失性半导体存储装置

[发明专利]非易失存储元件的制造方法-CN200610170067.5无效
发明人： 川越刚;浅野勇 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明中的非易失存储元件的制造方法，包括：第一步，在层间绝缘膜上形成黏附层，以使得与下电极建立电连接；第二步，在所述黏附层上形成包含相变材料的记录层；第三步，形成上电极，其电连接至所述记录层；以及第四步，在所示记录层内，对位于至少所述下电极和所述记录层之间的部分黏附层进行扩散。
非易失存储元件制造方法

[发明专利]半导体存储器-CN200610105510.0无效
发明人：浅野勇;川越刚 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：在半导体存储器中，所述的半导体存储器包含存储单元的矩阵，每个存储单元由一个晶体管和作为存储元件的一个硫属元素化物层组成，在连接到硫属元素化物层的上电极线和另一配线层之间的接头处没有安置硫属元素化物层。
半导体存储器

[发明专利]相变存储器装置-CN200610006478.0有效
发明人：浅野勇;藤幸雄;中井洁;川越刚 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。
相变存储器装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200410098253.3无效
发明人：中村吉孝;川越刚;佐久间浩;浅野勇;黑木启二;五嶋秀和;饭岛晋平 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在形成上电极保护膜从而使其与上电极的钌膜紧密接触而并未损坏钌膜之后，对上电极进行刻蚀，从而获得MIM电容器，其中并不会由于上电极的钌膜的氧化而导致漏电流的增加。
半导体器件制造方法