专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图形形成方法-CN03158115.3无效
  • 川嶋光一 - 松下电器产业株式会社
  • 2003-09-11 - 2004-05-12 - H01L21/027
  • 本发明提供一种图形形成方法,是在使用由ArF准分子激光感光用的抗蚀剂材料构成的抗蚀剂图形进行刻蚀的工序中,能够防止抗蚀剂坍塌,在被刻蚀膜中可靠地得到各向异性形状,同时能够控制图形的尺寸。在将形成了抗蚀剂图形(16)的晶片(11)投入到干法刻蚀装置中,以抗蚀剂图形(16)作为刻蚀掩模,对反射防止膜(15)及氮化硅膜(14)进行干法刻蚀。据此,对晶片(11)的中心,相对厚地附着堆积在抗蚀剂图形(16)的内侧的第1堆积物(17A)和堆积在它的外侧的第2堆积物(17B)的任何一个。这时的刻蚀气体使用SF6、CHF3及Ar的混合气体。
  • 图形形成方法

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