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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池-CN201710389651.8有效
发明人：朴昶绪;秦胤实;崔荣嫮 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池。太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一电极，电连接到发射极层；第一保护层，位于所述发射极层的没有布置第一电极的正表面上；背表面场层，位于基板的另一表面处；第二电极，电连接到背表面场层；和第二保护层，位于基板的没有布置第二电极的背表面上。第一保护层和第二保护层每一个均由具有第一导电类型的固定电荷的材料形成。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201210399301.7有效
发明人：河廷珉;崔荣嫮;朴昶绪 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池。一种太阳能电池，所述太阳能电池包括第一导电类型的基板；多个第一电极，所述多个第一电极位于所述基板的一个表面上并且沿第一方向延伸；发射极区，所述发射极区电连接至所述第一电极并且是与所述第一导电类型相反的第二导电类型；多个第二电极，所述多个第二电极位于所述基板的另一个表面上并且沿所述第一方向延伸；以及背表面场区，所述背表面场区包括多个第一场区，所述多个第一场区沿与所述第二电极相同的方向局部地形成在与所述第二电极相对应的位置处并且电连接至所述第二电极。相邻的第一场区之间的距离小于相邻的第二电极之间的距离。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201610806629.4在审
发明人：张在元;崔荣嫮 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池，该太阳能电池包括：基板；多个第一电极，它们沿着第一方向设置在所述基板的第一表面上；多个第一集流器，它们沿着与所述第一方向交叉的第二方向设置在所述第一表面上，其中，所述多个第一集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第一电极；多个第二电极，它们沿着所述第一方向设置在所述基板的第二表面上；以及多个第二集流器，它们沿着所述第二方向设置在所述第二表面上，所述多个第二集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第二电极，其中，所述多个第二电极的数量大于所述多个第一电极的数量。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201310750739.X有效
发明人： 崔荣嫮;张在元;金亨锡 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池及其制造方法。该方法包括：在第一导电类型的基板的背面上形成第一杂质层和第二杂质层，第一杂质层包含与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，第二杂质层包含第一导电类型的杂质；通过加热基板，在基板的形成有第一杂质层的部分中第一射极部分，在基板的形成有第二杂质层的部分中形成第一背面场部分；通过在第一杂质层的一部分上照射激光束，形成第二射极部分，第二射极部分的杂质浓度高于第一射极部分的杂质浓度，并且，通过在第二杂质层的一部分上照射激光束，形成第二背面场部分，第二背面场部分的杂质浓度高于第一背面场部分的杂质浓度；以及形成连接到第二射极部分的第一电极以及连接到第二背面场部分的第二电极。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201080067145.3有效
发明人：沈玖奂;朴昶绪;尹必源;秦胤实;金珍圣;崔荣嫮;张在元 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：基板；发射层，所述发射层设置在所述基板的所述第一表面处；第一抗反射层，所述第一抗反射层设置在所述发射层的表面上，所述第一抗反射层可以包括露出所述发射层的一部分的多条第一接触线；第一电极，所述第一电极电连接至通过所述多条第一接触线露出的所述发射层，并且所述第一电极可以包括与所述发射层直接接触的电镀层；以及第二电极，所述第二电极设置在所述基板的第二表面上。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法-CN201210019251.5有效
发明人：洪钟泾;俞在民;金泰润;李恩珠;文世泳;崔荣嫮;禹泰基 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：讨论一种太阳能电池模块及其制造方法。太阳能电池模块包括多个太阳能电池；前基板，其设置在该多个太阳能电池的第一表面处；后基板，设置在该多个太阳能电池的第二表面处；前保护部件，设置在该前基板和该多个太阳能电池之间，该前保护部件包括第一硅树脂；后保护部件，设置在该后基板和该多个太阳能电池之间，该后保护部件包括第二硅树脂；以及纤维材料，布置在该前基板和该后基板之间。
太阳能电池模块及其制造方法

[发明专利]双面太阳能电池-CN201210063297.7在审
发明人：张在元;崔荣嫮 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：提供了一种双面太阳能电池，该双面太阳能电池包括：基板；多个第一电极，它们沿着第一方向设置在所述基板的第一表面上；多个第一集流器，它们沿着与所述第一方向交叉的第二方向设置在所述第一表面上，其中，所述多个第一集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第一电极；多个第二电极，它们沿着所述第一方向设置在所述基板的第二表面上；以及多个第二集流器，它们沿着所述第二方向设置在所述第二表面上，所述多个第二集流器以电气方式和物理方式连接到所述多个第二电极，其中，所述多个第二电极的数量大于所述多个第一电极的数量。
双面太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201210026086.6有效
发明人：秦胤实;沈玖奂;崔荣嫮;朴昶绪 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，其包括：基板；第一绝缘层，其位于所述基板的第一表面上，所述第一绝缘层具有多个第一开口，所述多个第一开口暴露出所述基板的多个部分；以及多个第一电极，所述多个第一电极通过所述多个第一开口电连接到所述基板，其中，所述多个第一电极中的一个或更多个第一电极被构造成使得位于所述第一绝缘层上的上部的宽度比位于对应的第一开口中的下部的宽度宽。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201110282976.9在审
发明人：朴昶绪;秦胤实;崔荣嫮 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池。太阳能电池包括：第一导电类型的基板；位于基板的一个表面上的第二导电类型的发射极层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一电极，电连接到发射极层；第一保护层，位于所述发射极层的没有布置第一电极的正表面上；背表面场层，位于基板的另一表面处；第二电极，电连接到背表面场层；和第二保护层，位于基板的没有布置第二电极的背表面上。第一保护层和第二保护层每一个均由具有第一导电类型的固定电荷的材料形成。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法、以及形成杂质区的方法-CN201080005000.0无效
发明人： 崔荣嫮;张在元;金亨锡 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池的制造方法。该制造方法包括以下步骤：在第一导电类型的基板上形成杂质层，所述杂质层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；通过加热具有所述杂质层的所述基板，使用所述杂质层在所述基板中形成具有第一杂质浓度的第一射极部分；通过在所述杂质层的区域上照射激光束，使用所述杂质层在所述第一射极部分形成具有第二杂质浓度的第二射极部分，所述第二杂质浓度大于所述第一杂质浓度；并且形成连接到所述第二射极部分的第一电极以及连接到所述基板的第二电极。
太阳能电池及其制造方法以及形成杂质

[发明专利]太阳能电池及制造太阳能电池的方法-CN201010207365.3无效
发明人：朴铉定;李大龙;崔荣嫮;韩东昊 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池及制造太阳能电池的方法。一种用于制造太阳能电池的方法可以包括以下步骤：形成发射区，所述发射区与第一导电类型的半导体衬底形成p-n结；在所述半导体衬底上形成钝化层；在所述钝化层上形成包含第一导电类型的杂质的掺杂层；以及通过将激光束照射在所述半导体衬底上以使所述第一导电类型的杂质扩散到所述半导体衬底中，在所述半导体衬底处局部地形成背面场区。
太阳能电池制造方法

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