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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]在数字单元与射频单元之间发送和接收以太网数据的方法及其装置-CN201180007593.9有效
发明人：金根福;金昌源;H-U.文;崔昶源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-01-24 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H04L12/56 文献下载
摘要：提供了一种在数字单元（DU）中发送以太网数据的方法，该数字单元处理基带并与至少两个射频（RF）单元（RU）相接。该方法包括：在无线帧的第一子信道中设置两个或更多个以太网信道的位置信息；使用所述位置信息，在所述无线帧的第二子信道中分配两个或更多个以太网信道；以及向所述至少两个RU发送所述无线帧。
数字单元射频之间发送接收以太网数据方法及其装置

[发明专利]晶片边缘刻蚀设备及方法-CN200410047417.X无效
发明人： 崔昶源;金太龙;金宗范;徐廷宇;边昌柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-05-27 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于刻蚀半导体晶片边缘的晶片边缘刻蚀设备和方法，包括布置在半导体晶片下面且作为支撑半导体晶片的载物台的底电极。一种刻蚀半导体晶片的方法，包括：将半导体晶片插入室中，增加室内的压力，将至少一种蚀刻剂气体供应到室，同时进一步增加压力，提供电源到室，并在半导体晶片的边缘圈或背面刻蚀半导体晶片，中止电源和蚀刻剂气体，用通风气体对室进行通风，以及从室净化通风气体。
晶片边缘刻蚀设备方法

[发明专利]动态随机存取存储器单元电容器的制造方法-CN99105861.5有效
发明人： 崔昶源;李昌桓;郑澈;韩民锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-04-23 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：公开了一种制造DRAM单元电容器的改进方法，能防止多晶硅存储节点的过腐蚀。该方法包括：腐蚀半导体衬底上的第一绝缘层，形成存储接触孔，用第一导电材料填充存储接触孔以形成存储接触栓塞，在包括存储接触栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成掩模以限定出存储节点区，使用掩模并腐蚀所述第二和第一绝缘层，形成到存储接触栓塞上表面的开口，以及用第二导电材料填充开口以形成存储节点。
动态随机存取存储器单元电容器制造方法

[发明专利]气体喷射器以及包含该喷射器的蚀刻装置-CN01144821.0无效
发明人：李斗元;金太龙;许鲁铉;崔昶源;崔炳旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2002-08-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体喷射器,其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括陶瓷材料块形式的主体;和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分,而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分,每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出,并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。
气体喷射器以及包含蚀刻装置

[发明专利]形成没有凹陷的沟槽隔离的方法-CN99109273.2无效
发明人：南信祐;徐俊;崔昶源;洪瑛基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-24 - 公布日： 1999-12-29 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：提供一种形成嵌埋于半导体衬底中的沟槽隔离的方法，其中采用干法腐蚀去掉氮化物沟槽掩模，以抑制氮化物沟槽衬里的凹陷现象。干法腐蚀以相同的腐蚀速率腐蚀沟槽掩模和沟槽衬里。
形成没有凹陷沟槽隔离方法

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