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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]减小曝光图形宽度的光刻方法-CN200810041141.2无效
发明人：冯士祯;崔彰日 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种减小曝光图形宽度的光刻方法，包括如下步骤：提供表面具有光刻胶层的半导体衬底；对光刻胶层进行曝光，在光刻胶层中定义图形；采用含三价态氮原子的钝化剂与曝光后的光刻胶层发生钝化反应，钝化剂中的三价态氮原子与存在于光刻胶层曝光部分表面的氢离子结合，在光刻胶层曝光部分表面及侧面形成包覆层；对钝化后的光刻胶层进行显影处理，除去光刻胶层中的未曝光部分，保留包覆层和被包覆层包裹的光刻胶层中的曝光部分。本发明的优点在于，采用含有三价态氮原子的钝化剂对光刻胶曝光部分表面以及侧面的氢离子结合，形成包覆层，降低未曝光部分的图形宽度，突破了波长对最小宽度的限制，可以得到具有更小宽度的图形。
减小曝光图形宽度光刻方法

[发明专利]图形转移方法-CN200810112514.0有效
发明人：刘畅;崔彰日 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明提供一种图形转移方法，包括步骤：提供具有若干掩膜层的半导体基底，离半导体基底最远且未被刻蚀的掩膜层上具有光刻胶层，所述光刻胶含有感光成酸剂和对烷基苯氧基甲酸树酯；将目标图形曝光至光刻胶层，形成具有半导体器件图形的光刻胶层，且光刻胶层上半导体器件图形的深度小于光刻胶层的厚度；用硅烷化剂对具有目标图形的光刻胶层表面进行硅烷化处理，在光刻胶层上形成具有目标图形形状的抗等离子刻蚀层；以光刻胶层上的抗等离子刻蚀层为掩膜，对光刻胶层进行等离子刻蚀至暴露掩膜层；以抗等离子刻蚀层或光刻胶层为掩膜，刻蚀掩膜层。本发明不需要在被刻蚀的表面涂覆抗反射层，避免抗反射层涂布不平整，从而避免光刻胶层形成的图形线条结构不稳定。
图形转移方法

[发明专利]光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法-CN200710094552.3无效
发明人： 崔彰日;李冬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：一种光刻胶的硅化方法，包括：提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；将曝光后的涂敷有光刻胶的半导体衬底置于反应室中；提供包括硅基有机物的反应物质：使反应物质流过半导体衬底表面的光刻胶。本发明还提供了一种形成光刻胶掩模图形的方法。本发明所提供的技术方案的优点在于，由于采用硅化工艺对光刻胶掩模作处理，提高了光刻胶的强度，因此可以降低光刻胶的厚度，节约材料成本；因为光刻胶厚度降低，曝光所需的能量相应降低，所以可缩短曝光时间，提高光刻效率。
光刻方法形成胶掩模图形

[发明专利]光刻胶掩模图形的显影方法-CN200710094405.6有效
发明人： 崔彰日 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：一种光刻胶掩模图形的显影方法，包括：一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：a)提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；b)将半导体衬底置于刻蚀反应室中；c)采用含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻蚀；d)采用第二刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀。本发明的优点在于可以提高掩模图形侧壁的平整度，提高光刻工艺的精确度。
光刻胶掩模图形显影方法

[发明专利]在浮栅上形成微细图案的方法-CN200710043588.9有效
发明人： 崔彰日;邱何 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种在浮栅上形成微细图案的方法，在已经形成浮栅的硅衬底上依次形成多晶硅层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影；对所得到的光刻胶图案进行热回流，通过控制回流温度和回流时间得到具有预定线宽和间隔的光刻胶图案；再将具有预定线宽和间隔的光刻胶图案转移到多晶硅层；进行后续制程。通过该方法，只采用KrF(ASML PAS/850C)扫描机和热回流KrF光刻胶，即可获得必须由更先进的ArF(ASML PAS/1150C)扫描机和ArF光刻胶才可以获得浮栅上间隔在80nm及以下的图案，而且制程容许度较之更大。
浮栅上形成微细图案方法

[发明专利]缩小光刻胶接触孔图案的临界尺寸的方法-CN200610024870.8有效
发明人： 崔彰日 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-03-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体器件的光刻过程中缩小用于形成接触孔的光刻胶图案的临界尺寸，从而允许得到临界尺寸在90nm以下的接触孔图案的方法。所述方法包括a)在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；b)利用具有预定图案的掩模对光刻胶层进行曝光；c)在曝光后的光刻胶层上涂布光酸抑制剂；d)对涂布有光酸抑制剂的光刻胶层进行曝光后烘烤；和e)利用显影剂对经上述处理的光刻胶层进行显影，得到临界尺寸缩小的接触孔图案。
缩小光刻接触图案临界尺寸方法

[发明专利]一种微细光刻图案方法-CN200510024213.9有效
发明人： 崔彰日 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种微细光刻图案方法，采用改进的深紫外(DUV)光刻胶和底层树脂。此方法在未使用光学改进方法的条件下可以减小光刻胶的厚度，实现光刻图案安全的高宽比，从而提高图案的分辨率和关键尺寸的均匀性、曝光宽容度和聚焦深度。由于采用底层树脂，在后续刻蚀工艺中不需要通常薄层光刻胶需要的硬掩模，而得到衬底上高分辨率的转移图案，使DUV光刻胶的应用可延伸至0.11μm及以下的技术。此方法的应用可以简化量产工艺，降低成本，提高产能。
一种微细光刻图案方法

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