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[发明专利]一种基于风能及太阳能的新能源充电装置-CN202210254459.9在审
发明人：朱序飞;崔博垚 -专利权人：朱序飞
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B60L53/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于风能及太阳能的新能源充电装置，包括智能自动充电控制器，所述智能自动充电控制器设于交通设备上，并与设于交通设备上的电瓶装置电性连接，用于给所述电瓶装置充电；风力发电机组，所述风力发电机组设于交通设备的迎风面处，并与所述智能自动充电控制器电性连接；光伏太阳能电池板，所述光伏太阳能电池板设于交通设备的向阳面上，并与所述智能自动充电控制器电性连接。本发明中充分利用车辆行进过程中的相对风速及照射的太阳能，将上述清洁能源转化成电能，有效提高了交通设备的续航里程，方案设计具有清洁环保的优点，降低碳排放，提升新能源车辆的竞争力，具有良好的市场推广价值。
一种基于风能太阳能新能源充电装置

[发明专利]一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法-CN201910548899.3有效
发明人：韩军;崔博垚;邢艳辉;赵佳豪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法属于GaN材料外延技术领域，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，生长的低位错密度非极性GaN材料，外延结构从下向上依次为:r面蓝宝石衬底，低温GaN成核层；高压、高V/III比(V族与III族源摩尔流量比)生长条件生长的高温三维GaN层；第一次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；InGaN插入层；第二次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层。本发明的特点是在二维GaN层中插入InGaN插入层，其能够缓解应力，并且阻挡了部分蓝宝石衬底与GaN失配产生的穿透位错的传递。本发明改善了现有技术的不足，能够减小非极性GaN材料位错密度，改善材料表面形貌，提高外延片的质量。
一种插入 ingan 改善极性 gan 材料质量外延生长方法

[发明专利]一种插入InGaN/GaN超晶格结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法-CN201910639441.9有效
发明人：韩军;赵佳豪;邢艳辉;崔博垚 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种插入InGaN/GaN超晶格结构改善非极性GaN材料外延质量的方法，是一种减小非极性GaN材料位错密度，改善外延片表面形貌，从而提高材料质量的外延生长方法。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，外延结构从下向上依次为，r面蓝宝石衬底，低温GaN成核层；高压、高V/III比(V族与III族源摩尔流量比)生长条件生长的高温三维GaN层；第一次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；InGaN/GaN超晶格结构插入层；第二次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层。本发明的特点是在二维GaN层中插入InGaN/GaN超晶格结构插入层，其能够缓解应力，并且阻挡部分蓝宝石衬底与外延生长的GaN材料失配产生的穿透位错传递。本发明能够减小非极性GaN材料位错密度，改善表明形貌，提高外延片的质量。
一种插入 ingan gan 晶格结构改善极性材料质量外延生长方法