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[发明专利]一种LED系统-CN202111289795.9有效
发明人：周尧;吴春达;吴国平;崔凤敏 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司;无锡麟聚半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本发明提供一种LED系统，包括：LED模块，正极连接电源电压；所述LED模块包括至少一个LED灯珠，在所述LED灯珠的数量大于等于两个时，多个所述LED灯珠串联；电流设定模块，连接所述LED模块的负极，用于设定流经所述LED模块电流的大小；分压调节模块，连接于所述LED模块的负极和所述电流设定模块的输出端之间，用于根据电源电压的大小调节接入所述LED模块负极的分压电阻的数量。通过本发明提供的LED系统，解决了现有LED系统在电源电压变化范围很大时，随着电源电压升高，存在LED灯串或功率开关管M1功耗变大，从而导致LED灯串或功率开关管M1过热甚至烧毁的问题。
一种 led 系统

[实用新型]芯片测试选择电路及芯片测试系统-CN202320414788.5有效
发明人：李孝琛;阮洁娜;崔凤敏;许佳佳 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片测试选择电路及芯片测试系统，包括：控制信号产生单元以及选择单元；控制信号产生单元的输入端连接输入信号，输出端连接选择单元的输入端，基于输入信号发出相应的控制信号；选择单元连接控制信号，并基于控制信号产生选择信号，基于所述选择信号选通相应的测试通道进行芯片测试。本实用新型可以实现在芯片测试箱外，通过单片机控制完成对大规模芯片的测试工作，在避免了外部干扰对采集数据的影响的同时，实现了芯片的自动测试以及单个检测的设置，操作简便。
芯片测试选择电路系统

[实用新型]一种恒流电路结构及电流源-CN202320175533.8有效
发明人：周尧;崔凤敏;吴春达;吴国平 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种恒流电路结构及电流源，至少包括：第一恒流模块及第二恒流模块，其中：所述第一恒流模块连接第一端口；所述第二恒流模块连接于第二端口与所述第一恒流模块之间；其中，基于所述第一端口与所述第二端口的信号，使所述第一恒流模块处于恒流控制状态、所述第二恒流模块处于电流通路状态，或所述第一恒流模块处于电流通路状态、所述第二恒流模块处于恒流控制状态，进而使所述恒流电路结构提供双向恒流驱动。能够抵消耗尽型NMOS管恒流电路的正温度属性，提供稳定的双向恒流驱动。结构简单，适用范围广。
一种流电结构电流

[发明专利]咔唑三胺衍生物及其制备方法和应用-CN202110549920.9有效
发明人：杜亚;崔凤敏;张瑛頔;李震 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C07D209/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于咔唑三胺衍生物及其制备方法。所述咔唑三胺衍生物具有如下式所示的结构：本发明提供基于咔唑三胺衍生物的制备方法操作简单，原料易得，价格低廉，且纯度极高有很高的反应收率；本发明制备的咔唑三胺衍生物在医学、生物学和发光材料等领域均有着广泛的应用前景。
咔唑三胺衍生物及其制备方法应用

[发明专利]一种驱动电路及芯片-CN202211138890.3在审
发明人：金楠;崔凤敏;霍晓强;叶娟 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供一种驱动电路及芯片，用于驱动DCDC降压电路，包括：控制模块、检测模块、振荡模块、调制模块、触发模块、第一或非门及第一非门，其中：检测模块与第一控制信号及驱动DCDC降压电路中自举电容连接；调制模块输出调制信号；触发模块在自举电压欠压时，输出超前于调制信号的触发信号；第一或非门的输入端连接于调制模块与触发模块的输出端；第一非门的输入端连接于第一或非门的输出端；振荡模块的输入端连接于第一非门的输出端；控制模块的输入端与第一非门及振荡模块的输出端连接。通过检测模块、触发模块及振荡模块，在自举电压欠压时，对第一NMOS管强制关闭，优化第一NMOS管的开启效率，避免第二NMOS管误触发，提高DCDC降压电路的占空比。
一种驱动电路芯片

[发明专利]基于量子点的单光子源及其制备方法-CN202211112724.6有效
发明人：刘桂芝;吴国平;蒋小强;崔凤敏 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明提供一种基于量子点的单光子源及其制备方法，基于量子点的单光子源由下至上依次包括：基板、正电极、空穴注入层、内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三氧化二铝层、电子注入层及负电极；内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三氧化二铝层由三氧化二铝膜及分散于三氧化二铝膜中的硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点组成；硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点由硒化银核、包覆在硒化银核表面的硫化银壳及包覆在硫化银壳表面的硫硒化银合金壳组成。本发明可获得超高纯度、可警示驱动过强、高效率、工作在通信波长内、背景噪声小以及环境友好的电驱动单光子源。
基于量子光子及其制备方法

[发明专利]吩噁嗪二维共价有机框架材料及其制备方法与应用-CN202110549918.1有效
发明人：杜亚;崔凤敏;李震;谭晓宇;陈江海 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C08G12/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于吩噁嗪的二维共价有机框架材料及其制备方法与应用。所述基于吩噁嗪的二维共价有机框架材料具有如下式中任一者所示的结构：本发明制备的基于吩噁嗪的二维共价有机框架材料具有高的结晶性和比表面积，孔径分布均一并且热稳定性较好，同时所述基于吩噁嗪的二维共价有机框架材料在有机溶剂中具有特定波长的荧光发光且荧光发射强度与有机溶剂中的水分含量有关。因此，本发明制备的基于吩噁嗪的二维共价有机框架材料可应用于检测有机溶剂中水分含量，同时在功能性有机材料领域中有良好的应用前景。
吩噁嗪二维共价有机框架材料及其制备方法应用

[发明专利]电源开关状态检测电路-CN202010622313.6有效
发明人：夏虎;刘桂芝;何云;崔凤敏 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种电源开关状态检测电路，包括：第一、第二PMOS管、比较器、电阻、电流源和参考电压源；第一、第二PMOS管栅极连接第二PMOS管漏极，第二PMOS管漏极连接电流源；电阻一端连接第一PMOS管漏极，另一端接地；比较器的第一信号输入端连接第一PMOS管漏极与电阻的连接点，第二信号输入端连接参考电压源；第一PMOS管源极连接检测电路检测端；第二PMOS管源极连接检测电路电源端。本发明检测电路检测的二极管反接时，其反向电压值始终较低，使得反向漏电流接近于0，避免反向漏电流造成比较器输入电压信号过高。二极管的反向电压不会随供电电源的增大而增大。在高温环境下工作，反向漏电流不会异常增大，比较器不会输出错误逻辑信号，提高了系统可靠性。
电源开关状态检测电路

[发明专利]驱动控制电路及驱动控制方法-CN202210049934.9在审
发明人：夏虎;刘桂芝;王冬峰;崔凤敏 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司;无锡麟聚半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种驱动控制电路及驱动控制方法，所述驱动控制电路包括PMOS开关管及放电调节模块，其中，所述PMOS开关管的栅极接入PWM信号，源极接入电源电压，漏极连接所述NMOS功率管的栅极；所述放电调节模块连接于所述NMOS功率管的栅极和地之间，并受控于所述PWM信号，用于在所述PWM信号由低电平变为高电平时，跟随所述NMOS功率管的栅极电压变化，基于不同放电通路来对所述NMOS功率管的栅极寄生电容进行阶段性放电。通过本发明提供的驱动控制电路及驱动控制方法，用于改善现有技术中存在的电磁干扰问题以及过压击穿问题。
驱动控制电路控制方法

[发明专利]一种线性充电升压芯片-CN202111090099.5有效
发明人：霍晓强;金楠;崔凤敏 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种线性充电升压芯片，包括欠压锁定模块、线性充电模块及升压模块，所述欠压锁定模块用于比较电池电压和第一设定电压，根据比较结果产生充电切换控制信号，并在电池电压不小于第一设定电压时产生升压控制信号；所述线性充电模块受控于所述充电切换控制信号，用于通过输入电压对电池进行涓流充电或恒流充电，并在电池电压达到满充设定值时结束充电；所述升压模块受控于所述升压控制信号，用于对输出电压进行升压操作以使其达到输出设定值。通过本发明提供的线性充电升压芯片，解决了现有蓝牙充电仓存在造成管壳面积浪费及DCDC升压芯片倒灌回线性充电管理芯片的问题。
一种线性充电升压芯片

[发明专利]垂直型JFET器件及其制备方法-CN202111071595.6有效
发明人：许剑;崔凤敏 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型JFET器件及其制备方法，形成了贯穿第一导电类型体区、第二导电类型体区，且与第一导电类型外延层相接触的第一导电类型沟道区，从而通过第一导电类型沟道区，可精确的优化垂直型JFET器件的沟道区宽度，以在缩小垂直型JFET器件面积的同时，可以调整垂直型JFET器件的夹断电压，以进一步提高器件的集成度和设计的灵活性。
垂直 jfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种多孔聚合物阻燃剂及其制备方法与应用-CN202010502452.5在审
发明人：杜亚;杨海申;董梦青;孟智颖;崔凤敏 -专利权人：南京工业大学;上海电力大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： D21H21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔聚合物阻燃剂及其制备方法与应用。所述多孔聚合物阻燃剂具有如式(I)所示的结构：本发明制备的多孔聚合物阻燃剂结构新颖，磷含量为35.3wt％，氮含量为15.9wt％，硼含量为12.3wt％，阻燃元素总含量高达63.5wt％，稳定性高。本发明提供的制备方法简单，成本低廉，适于规模化生产，同时本发明制备的多孔聚合物阻燃剂在水基阻燃涂料、阻燃纸张有很好的应用前景。
一种多孔聚合物阻燃及其制备方法应用

[发明专利]吩噁嗪二胺衍生物和/或吩噻嗪二胺衍生物及其制备方法-CN202010483754.2在审
发明人：杜亚;杨海申;孟智颖;张悦;崔凤敏;李震;张瑛頔 -专利权人：南京工业大学;上海电力大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C07D265/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种吩噁嗪二胺衍生物和/或吩噻嗪二胺衍生物及其制备方法。所述吩噁嗪二胺衍生物和/或吩噻嗪二胺衍生物具有如式(I)所示的结构：其中，Y选自O或S，R选自直链烷基、支链烷基、芳环基中的任一者。本发明提供的制备方法操作简单，原料易得，价格低廉，且有很高的反应收率；本发明制备的吩噁嗪二胺衍生物和/或吩噻嗪二胺衍生物在医药、催化、发光、材料科学等领域均有着广泛的应用前景。
吩噁嗪二胺衍生物吩噻嗪二胺及其制备方法

[发明专利]适于电池并联充电及串联使用的电路结构-CN202110422252.3有效
发明人：周尧;吴春达;崔凤敏;蒋小强 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种适于电池并联充电及串联使用的电路结构，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、充电控制模块、衬底选择模块及时序控制模块。本发明可以有效解决传统的串联电池充电导致的两节充电容量均衡问题，保证两个电池都能有效充满，大大提高了电池组的寿命。本发明可以有效解决传统串联充电由于串联后电池电压高导致整个系统的输入电源电压高从而限制了低压场合尤其是现在常用的USB系统的使用的问题，本发明使用并联结构可以很好的解决这个问题，输入电源可以使用低压的5V电源，从而使得现在的常用的USB系统成为可能。
适于电池并联充电串联使用电路结构

[发明专利]一种芯片的制备方法-CN201910067934.X有效
发明人：刘桂芝;周尧;崔凤敏;蒋小强 -专利权人：上海南麟电子股份有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片的制备方法，包括步骤：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括若干芯片区域以及位于所述芯片区域之间的划片槽区域；于所述划片槽区域形成测试焊盘结构，所述测试焊盘结构包括形成于所述划片槽区域的测试焊盘凹槽和形成于所述测试焊盘凹槽内的测试焊盘导电层，所述测试焊盘结构与所述芯片区域电性连接；采用激光于所述划片槽区域形成划片凹槽，以去除所述划片凹槽内的所述测试焊盘导电层；基于划片凹槽对所述半导体晶圆进行划片。本发明的芯片的制备方法能降低划片难度，提高划片效率，保护划片刀，减小划片时对内部芯片的损伤，减小芯片体积，提高了芯片的集成度，流程简单，能量产。
一种芯片制备方法

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