专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种可编程可扩展光子处理核心结构-CN202310149109.0在审
  • 胡国华;孙耀辉;周悦;吴浩宇;邓春雨;汪冬宇;恽斌峰;崔一平 - 东南大学
  • 2023-02-22 - 2023-09-05 - H04B10/80
  • 本发明涉及一种基于马赫泽德干涉仪及微环谐振器单元结构的可编程可扩展光子处理核心,包括一种可调谐基本单元TBU,该TBU包括一个可调谐光耦合器以及一个微环谐振器型光开关。其中,可调谐光耦合器内部设置有移相器,通过控制电路实现耦合系数的调节;微环谐振器型光开关为双环结构,并在环波导上设置移相器,可调节其谐振波长与光开关的通带或阻带带宽。多个核心元胞连接到可调谐基本单元TBU以构成预定形状的核心元胞,根据所设置的光耦合系数、相位及波长范围将光信号以预定光路径进行传输。本发明的光子处理核心可重构为对称MZI、不对称MZI、微环谐振器、线性光计算网络、波分复用/解复用系统以及波束形成等。
  • 一种可编程扩展光子处理核心结构
  • [发明专利]一种基于光开关的收发可切换波束形成芯片-CN202110632300.1有效
  • 恽斌峰;林冬冬;胡国华;崔一平 - 东南大学
  • 2021-06-07 - 2023-04-25 - H04Q11/00
  • 本发明公开了一种基于光开关的收发可切换波束形成芯片。所述芯片包括N个光输入端口,N个光电探测器,N个光开关,N‑1个可调光延时线,分束/合束器。本发明利用2×2光开关的路径选择性,当光载微波信号从芯片左侧第一光输入端口输入时,通过第一、第二、第三、第四、至第N光开关选择对应路径可以实现波束的发射功能;当光载微波信号从芯片右侧第二、第三、第四、至第N光输入端口输入时,通过第一、第二、第三、第四、至第N光开关选择对应路径可以实现波束的接收功能。该芯片可实现具有大带宽、避免波束斜视效应、抗电磁干扰的微波光子波束发射与波束接收。
  • 一种基于开关收发切换波束形成芯片
  • [发明专利]一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管-CN202010577585.9有效
  • 张雄;田勇;胡国华;崔一平 - 东南大学
  • 2020-06-23 - 2023-04-25 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管,芯片层结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、第一电流阻挡层、N‑GaN横向耗尽区、第二电流阻挡层、GaN沟道层,AlxGa1‑xN势垒层,以及设置在所述N‑GaN横向耗尽区右侧和所述GaN沟道层右侧的绝缘层,其中0x0.5,在所述AlxGa1‑xN势垒层两端分别设置源极和栅极,所述栅极靠近所述绝缘层一端,在所述N‑GaN横向耗尽区上表面设置漏极,所述漏极靠近所述源极一端。本发明的高电子迁移率晶体管,利用N‑GaN作为横向耗尽区,获得具有高耐压性能、高响应特性、不漏电的器件。
  • 一种具有横向耗尽电子迁移率晶体管
  • [发明专利]一种磁性可循环表面增强拉曼基底及其制备方法-CN202010840133.5有效
  • 王著元;姜国华;宗慎飞;崔一平 - 东南大学
  • 2020-08-19 - 2023-04-07 - G01N21/65
  • 本发明涉及一种磁性可循环表面增强拉曼基底及其制备方法,该基底以刺状镍纳米线作为负载基质,在刺状镍纳米线表面依次修饰类过氧化物酶活性MOF层与银纳米粒子。其制备方法包括如下步骤:步骤一,采用层层组装法在刺状镍纳米线表面修饰类过氧化物酶活性MOF层;步骤二,在MOF层修饰的刺状镍纳米线表面原位还原沉积银纳米粒子。该基底既利用刺状镍纳米线表面丰富的活性位点提高了MOF材料修饰效率,又发挥了类过氧化物酶活性MOF层优良的催化降解性能,可实现多次循环检测,且循环操作简单高效,无需特殊仪器设备,能显著降低检测成本。
  • 一种磁性循环表面增强基底及其制备方法

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