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[发明专利]固态摄像元件和电子装置-CN202180013417.X在审
发明人： 岩渊信;伊藤智美;正垣敦;工藤義治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及不仅小而且能够抑制在晶体管附近产生强电场的固态摄像元件和电子装置。固态摄像元件包括执行光电转换的光电转换元件；元件隔离，其在包括所述光电转换元件的像素之间从基板的第一主面贯穿至第二主面；以及导体部，其附着在所述元件隔离的第一主面侧。例如，本发明可以应用于固态摄像元件和包括固态摄像元件的电子装置。
固态摄像元件电子装置

[发明专利]半导体装置、固态成像元件和电子设备-CN202110429058.8在审
发明人：小林正治;岩渊信;柴山利一;铃木守;丸山俊介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、固态成像元件和电子设备。其中，半导体装置可包括：在其中形成多个元件的元件形成单元；和叠置在所述元件形成单元上并且形成有连接所述元件的配线的配线单元，其中以下各部件配置在所述元件形成单元中被构造成受光影响的无源元件，形成配置在所述无源元件周围的周边电路的有源元件，和形成在所述无源元件和所述有源元件之间的构造物，使得在所述元件形成单元的厚度方向上所述构造物的前端与所述元件形成单元的背面或前面之间的间隙为短波长400nm以下的规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成，并且其中在平面图中，形成一个或多个所述构造物的构造物形成区域包围形成所述有源元件的区域。
半导体装置固态成像元件电子设备

[发明专利]半导体装置和成像元件-CN202110498741.7在审
发明人：小林正治;岩渊信;柴山利一;铃木守;丸山俊介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置和成像元件。其中，半导体装置可包括：元件形成单元；和配线单元，所述配线单元叠置在所述元件形成单元上，其中，所述元件形成单元中形成有无源元件、有源元件和构造物，所述无源元件配置为受光影响，所述有源元件位于形成在所述无源元件周围的周边电路中，且在所述元件形成单元的截面图中，所述构造物位于所述无源元件和所述有源元件之间。
半导体装置成像元件

[发明专利]固态图像拾取装置、其制造方法和电子设备-CN201980005924.1在审
发明人： 岩渊信 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够在增大饱和电荷量的同时抑制暗电流的劣化的固态图像拾取装置(1)、固态图像拾取装置的制造方法和电子设备(300)。所述固态图像拾取装置设有：第一光电转换部，其形成在基板的与光入射面侧相对的前面侧；第二光电转换部，其相对于所述第一光电转换部沿基板深度方向层叠；和像素隔离部(51)，其形成在相对于相邻像素的边界部处，并且贯通所述基板。所述第一光电转换部包括在平行于所述基板的光入射面的平面方向上接合的第一平面方向PN结区域(42,43)和沿着所述像素隔离部的侧壁延伸的第一垂直方向PN结区域(61,62)。所述第二光电转换部包括在平行于所述光入射面的平面方向上接合的第二平面方向PN结区域(45,46)和沿着所述像素隔离部的侧壁延伸的第二垂直方向PN结区域(61,63)。例如，本技术能够适用于固态图像拾取装置。
固态图像拾取装置制造方法电子设备

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN201880070103.1在审
发明人：大浦雅史;岩渊信;奥山敦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够抑制暗电流特性的劣化的固态成像装置和电子设备。本发明设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在深度方向上贯通半导体基板，并且形成在各自形成于彼此相邻的像素中的所述光电转换部之间；和作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。所述P型区域具有突出到所述N型区域的下侧的区域。本发明还设有：具有pn结的无机光电转换部和具有有机光电转换膜的有机光电转换部，所述无机光电转换部和有机光电转换部在同一像素内从受光面侧沿深度方向层叠；和作为所述无机光电转换部的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。此外，本发明还设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在未贯通半导体基板的情况下挖入到所述半导体基板中；作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括第一P型区域和N型区域；和在所述光电转换部的受光面侧的第二P型区域。例如，本技术可以适用于背面照射型CMOS图像传感器。
固态成像装置电子设备

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN201880005264.2在审
发明人：内田哲弥;铃木亮司;安斋久浩;上田洋一;吉田慎一;武谷佑花里;平野智之;森裕之;野村宏利;工藤义治;大浦雅史;岩渊信 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种成像装置，其包括：针对每个像素形成并且被构造成执行光电转换的N型区域；在深度方向上贯通半导体基板并且形成在被构造成执行光电转换的N型区域之间的像素间遮光壁，每个N型区域针对彼此相邻的各像素形成；形成在被构造成执行光电转换的N型区域和所述像素间遮光壁之间的P型层；和与所述P型层相邻并且形成在所述N型区域和所述半导体基板的光入射面侧的界面之间的P型区域。
光电转换半导体基板像素形成遮光壁像素固态成像装置成像装置电子设备光入射面贯通

[发明专利]半导体装置、固态成像元件和电子设备-CN201480048183.2在审
发明人：小林正治;岩渊信;柴山利一;铃木守;丸山俊介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种可以抑制由于热载流子发光造成的不利影响的半导体装置、固态成像元件和电子设备。本发明中，在其中形成多个元件的元件形成单元和形成有连接所述元件的配线的配线单元被叠置。构造物形成在接收光并进行光电转换的光接收元件和形成配置在所述光接收元件周围的周边电路的有源元件之间，使得在所述元件形成单元的厚度方向上的间隙不超过规定间隔，并且由抑制光传播的材料形成。本技术例如可以适用于背面照射型固态成像元件。
半导体装置固态成像元件电子设备

[发明专利]固态摄像器件及其制造方法和电子装置-CN201110300013.7有效
发明人：柳田刚志;尾崎裕司;岩渊信;荻田知治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态摄像器件及其制造方法和采用该固态摄像器件的电子装置。所述固态摄像器件包括：基板，在所述基板中形成有多个像素，所述像素包括光电转换器；布线层，其包括多层的布线，所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧；基电极焊盘部，其包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分；开口，其从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部；以及埋入电极焊盘层，其通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。根据本发明，能够获得包括可实现稳定接合的电极焊盘的固态摄像器件，并能够获得其片上透镜的形状得到优化的固态摄像器件。
固态摄像器件及其制造方法电子装置

[发明专利]固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底-CN201010107222.5有效
发明人： 岩渊信 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-02-01 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底。提供了一种固态摄像装置，包括：半导体衬底主体，包括设置在其上层上的元件形成层和吸杂层；光电转换元件，每个光电转换元件都包括设置在元件形成层中的第一传导型区域以及；电介质膜，其设置在吸杂层的上层上并且在吸杂层的表面中感应出第二传导型区域。
固态摄像装置及其制作方法设备半导体以及衬底

[发明专利]半导体图像传感器模块及其制造方法-CN200910262216.4有效
发明人： 岩渊信;元吉真 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。
半导体图像传感器模块及其制造方法

[发明专利]半导体图像传感器模块及其制造方法-CN200910262215.X无效
发明人： 岩渊信;元吉真 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。
半导体图像传感器模块及其制造方法

[发明专利]半导体图像传感器模块及其制造方法-CN200680026625.9无效
发明人： 岩渊信;元吉真 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。
半导体图像传感器模块及其制造方法

[发明专利]固态成像设备和照相机-CN200610150676.4有效
发明人： 岩渊信;唐泽信浩 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态成像设备。所述固态成像设备包括基于像素被形成在基板上并且对从所述基板的第一表面侧入射的光进行光电变换的多个传感器；以及被形成在所述基板的第二表面侧上并且对来自所述多个传感器的信号进行处理的读出电路，所述第二表面侧是所述第一表面侧的对侧。所述读出电路包括多个晶体管并且所述晶体管以对齐的方式被布置在所述像素之间的区域中。
固态成像设备照相机

[发明专利]固态图像拾取器件和使用其的电子装置及制造其的方法-CN200610079369.1有效
发明人： 岩渊信;横田一秀;柳田刚志;丸山康 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-03-07 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照明型固态图像拾取器件(1041)，包括在半导体衬底(1042)的一个表面上形成的以读取来自形成在半导体衬底(1042)上的光电转换元件(PD)的信号的读取电路(Tr1，Tr2)，其中通过在光电转换元件(PD)中形成的电场把在至少一部分读取电路(Tr1，Tr2)下形成的光电转换区(1052c1)中产生的电荷(e)收集到在光电转换元件(PD)的半导体衬底(1042)的一个表面上形成的电荷累积区(1052a)中。由此，在不降低饱和电荷量(Qs)和灵敏度的情况下，该固态图像拾取器件和摄像机能够使得像素尺寸变得非常小。
固态图像拾取器件使用电子装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200480023641.3无效
发明人： 岩渊信 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种MCM型的半导体装置，可高速动作并实现低功耗，同时，可防止MCM的可靠性或者成品率的降低。直接电连接芯片内部电路(30)、(32)间的信号线，由此，谋求低功耗和高速化。在该信号线上设置保护静电损伤的保护电路(406)。制造装置时，通过连接布线(12)连接芯片内部电路(30)、(32)之间时，预先将保护电路(406)连接到信号线(内部引出线(12a)、内部布线(14))上，由此，即使半导体芯片(20)、(22)所带的电荷流入到信号线上，也可由保护电路(406)进行吸收，所以，可保护电路元件免受静电损伤。连接完成后，将保护电路(406)从信号线上断开，由此，通常使用时，保护电路(406)不成为芯片内部电路(30)、(32)的负载，可防止动作速度的降低。
半导体装置及其制造方法

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