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[发明专利]磁存储装置-CN202310210170.1在审
发明人：吉野健一;泽田和也;秋山直纪;岛野拓也;董且德;崔巨洛;丁潽敬;金国天 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本公开涉及磁存储装置。根据一个实施方式，提供具备将磁阻效应元件和开关元件层叠而形成的层叠构造的磁存储装置，所述开关元件设置在所述磁阻效应元件的下层侧，从所述磁阻效应元件和所述开关元件的层叠方向观察，所述开关元件的图案位于所述磁阻效应元件的图案的内侧。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN202310122512.4在审
发明人：秋山直纪;吉野健一;泽田和也;赵亨峻;岛野拓也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：实施方式提供特性、可靠性优异的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备多个存储单元，所述多个存储单元各自包括磁阻效应元件和开关元件，所述开关元件设置在所述磁阻效应元件的下层侧且相对于所述磁阻效应元件串联连接，所述开关元件包括下部电极、上部电极以及设置在所述下部电极与所述上部电极之间的开关材料层，所述上部电极包括由第1材料形成的第1部分、和设置在所述第1部分的下层侧且由与所述第1材料不同的第2材料形成的第2部分。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN202310055470.7在审
发明人：及川忠昭;吉野健一;泽田和也;岛野拓也;李永珉;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：实施方式提供维持存储单元的特性且抑制不良的产生的磁存储装置。实施方式的磁存储装置包括第1铁磁性层(32)、第1铁磁性层(32)之上的第1非磁性层(33)、第1非磁性层(33)之上的第2铁磁性层(34)、第2铁磁性层(34)之上的氧化物层(35)及氧化物层之上的第2非磁性层(36)。氧化物层(35)包含稀土类元素的氧化物。第2非磁性层(36)包含钴即Co、铁即Fe、硼即B及钼即Mo的每一个。
存储装置

[发明专利]磁存储装置及磁存储装置的制造方法-CN202211056416.6在审
发明人：泽田和也;永濑俊彦;吉野健一;富冈和广;秋山直纪;岛野拓也;相川尚德;五十岚太一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：实施方式提供包括具有高的电特性的存储单元的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置包括实质上由非磁性的非氮材料形成的第1导电体。第1绝缘体覆盖第1导电体的侧面，由非氮材料实质上形成。第2导电体位于第1导电体上，由非磁性的非氮材料实质上形成。可变电阻材料位于第2导电体上。第3导电体位于可变电阻材料上，由非磁性的非氮材料实质上形成。第1铁磁性层位于第3导电体上。绝缘层位于第1铁磁性层上。第2铁磁性层位于绝缘层上。第4导电体位于第2铁磁性层上，由非磁性的非氮材料实质上形成。第2绝缘体覆盖第1铁磁性层的侧面、绝缘层的侧面以及第2铁磁性层的侧面，由非氮材料实质上形成。第3绝缘体位于第2绝缘体的表面上。
存储装置制造方法