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[发明专利]对称半桥变换器的控制方法及系统-CN202310949357.3在审
发明人：解金军 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-07-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本申请涉及直流变换器领域，包括获取所述对称半桥变换器在当前周期的输入电压，并利用所述输入电压和所述对称半桥变换器中的变压器的磁通密度摆幅值，计算获得所述对称半桥变换器的第一开关功率管、第二开关功率管在当前周期的第一最大允许占空比；获取所述对称半桥变换器在当前周期的输出电压，并利用所述输出电压和预设置的基准电压，计算获得所述对称半桥变换器的第一开关功率管、第二开关功率管在当前周期的第二最大允许占空比；将所述第一最大允许占空比和所述第二最大允许占空比中的最小值，用于控制所述对称半桥变换器中的第一开关功率管、第二开关功率管在当前周期的实际占空比。本申请具有防止半桥变换器中变压器磁饱和的效果。
对称变换器控制方法系统

[发明专利]一种FLASH数据存储方法、系统、电子设备及介质-CN202310643600.9在审
发明人：陈华龙 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种FLASH存储方法、系统、电子设备及介质，涉及数据存储技术领域。该方法包括，接收存储数据，查找存储区域中最近一次存储数据的存储扇区，其中，存储区域包括若干按预置排序规则排序的存储扇区，存储扇区包括若干存储单元；判断最近一次存储数据的存储扇区是否为排序中位于末尾的存储扇区；若否，则删除排序中下一个存储扇区的数据，并将存储数据存储到排序中下一个存储扇区中；若是，则删除排序中位于首位的存储扇区的数据，并将存储数据存储到首位的存储扇区中。实施本申请提供的技术方案，通过对存储区域中的若干存储扇区进行循环存储，达到了提高存储空间利用率，更大限度减少FLASH擦除次数提升寿命的效果。
一种 flash 数据存储方法系统电子设备介质

[发明专利]一种基于输出线通信的方法及相关设备-CN202310884757.0在审
发明人：陈华龙 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于输出线通信的方法及相关设备，包括电源设备根据输出线连接的负载和预设检测电流电路确定电流信号；所述电源设备根据所述电流信号确定电源标定参数；所述电源设备对所述电源标定参数进行校验，并生成校验结果；所述电源设备根据所述校验结果获取预设电源参数，并根据所述电源标定参数更新所述预设电源参数。通过电源设备的预设检测电流电路和标定器的预设可调负载完成电源设备标定参数的设置，解决了需要一个通信接口对电源设备写入标定参数的技术问题，本发明具有降低生产电源设备成本较高的效果。
一种基于输出通信方法相关设备

[发明专利]一种双向逆变器充电功率协调控制方法、系统及存储介质-CN202310884758.5在审
发明人：许恩兵 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02J5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双向逆变器充电功率协调控制方法、系统及存储介质，方法包括：定时获取市电信号以及市电所提供的最大功率，判断市电信号是否属于正常信号，若属于，生成启动信号，根据启动信号接通市电开关和负载开关；获取双向逆变器中蓄电池的SOC值，以及双向逆变器连接的负载需要的负载功率；判断负载功率是否大于最大功率，若大于，判断SOC值是否超过预设的放电标准值，若超过，获取蓄电池可提供的蓄电池功率，断蓄电池功率与最大功率之和是否不小于负载功率，若不小于，生成第一工作信号，根据第一工作信号维持市电开关和负载开关的接通状态，并使蓄电池和市电同时向负载供电。本申请可提高双向逆变器整体性能的稳定性。
一种双向逆变器充电功率协调控制方法系统存储介质

[发明专利]输出斜率可调电路及升压电路-CN202310860542.5在审
发明人：沈仁波 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本申请涉及直流电压变换领域，其包括输出斜率可调电路，包括：锯齿波发生器，用于输出锯齿波信号第一电压V1，控制第十八PMOS管P18的栅极电压；第一镜像电流源的第一支路，用于给第十八PMOS管P18提供静态偏置电流；第二镜像电流源，用于将第一输出可调电流单元输出的第一原始电流，镜像输出至第十一电阻R11，获得第二电压V2；第一输出可调电流单元，用于利用锯齿波信号第一电压V1除以串联在一起的若干电阻中的被选中的电阻阻值，获得所述第二镜像电流源需要的第一原始电流；所述第一原始电流的波形斜率随所述被选中的电阻阻值的大小可调。本申请具有便于用于升压电路；斜率可调电路不受温度变化影响，能够稳定输出可调的电压输出斜率的效果。
输出斜率可调电路升压

[发明专利]一种高压驱动电路和芯片-CN202310802700.1在审
发明人：程君永 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压驱动电路和芯片，包括电平位移模块、高侧驱动模块、低侧驱动模块、自举电路模块和驱动功率管电路。电平位移模块、高侧驱动模块、自举电路模块和驱动功率管电路依次连接，低侧驱动模块的输出连接驱动功率管电路，电平位移模块将第一电压范围的高低电平转换为第二电压范围的低高电平输出；高侧驱动模块基于偏置电压输出第二电压范围的高低电平信号；低侧驱动模块输出第一电压范围的高低电平信号；自举电路模块用于输出第三电压范围的高低电平信号；驱动功率管电路根据第一电压范围的高低电平信号和第三电压范围的高低电平信号，输出第三电压范围的高低电平信号。本申请采用低压管和内部自举电路，减少了面积，降低了成本。
一种高压驱动电路芯片

[发明专利]一种PMOS管内阻取样保护电路-CN202310759951.6在审
发明人：沈仁波 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本申请涉及MOS管保护的技术领域，尤其是涉及一种PMOS管内阻取样保护电路，其包括内阻取样电路、电流源电路、比较器A2、控制电路、驱动电路和温度补偿电路，所述内阻取样电路用于连接外部PMOS管，所述内阻取样电路连接于所述控制电路，所述内阻取样电路还连接于所述比较器A2，所述温度补偿电路连接于所述比较器A2，所述比较器A2连接于所述控制电路，所述控制电路连接于所述驱动电路，所述内阻取样电路和所述温度补偿电路均连接于所述电流源电路。本申请具有降低功耗，降低成本，并且更好的保护PMOS管的效果。
一种 pmos 内阻取样保护电路

[发明专利]一种迟滞比较器-CN202310775347.2在审
发明人：程君永 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种迟滞比较器，包括：偏置电流模块，用于为迟滞量控制模块、比较模块以及驱动模块提供偏置电流；比较模块，用于接收从第一外部接口输入的电压信号，根据电压信号，生成比较信号，并将比较信号输出至驱动模块；迟滞量控制模块，用于接收从第二外部接口输入的迟滞量控制信号，根据迟滞量控制信号产生迟滞时长，并将迟滞时长输出至比较模块；比较模块，还用于确定接收到迟滞时长的第一时刻，在迟滞时长内，持续输出第一时刻的比较信号至驱动模块；驱动模块，用于输出比较信号至第三外部接口。采用本申请的迟滞比较器可以根据实际情况调节迟滞量。
一种迟滞比较

[发明专利]充电器控制电路及方法-CN202310640607.5在审
发明人：陈华龙 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02J7/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种充电器控制电路及方法，该方法包括：发送检测信号至检测模块，所述检测信号为占空比低于阈值的脉冲信号，所述检测信号用于导通所述检测模块，以使交流直流转换模块输出充电电压于电池；获取反馈模块采集所述电池的反馈电压，根据所述反馈电压，确定电池的接入状态；若所述接入状态为非正接状态，则保持继电器关闭。采用本申请实施例，可以减少充电器在充电过程中对继电器以及功率元件的损耗，进而提高充电器的寿命。
充电器控制电路方法

[发明专利]直流无刷电机转子初始位置判断方法、系统、介质及设备-CN202310643836.2在审
发明人：李卫伟 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02P6/20 文献下载
摘要：一种直流无刷电机转子初始位置判断方法、系统、介质及设备，涉及无刷电机技术领域，所述方法包括：控制电机启动，确定所述电机的多个预设相位；获取所述电机的电机转子在每个所述预设相位下每间隔预设时长的定子电流，得到多组定子电流值；获取所述电机转子从启动开始每隔所述预设时长的定子电流值，得到一组定子电流值；分别计算所述多组定子电流值中每组定子电流值与所述一组定子电流值的均方差值；根据各所述均方差值确定所述电机转子的初始位置。实施本申请提供的技术方案，可以提高对电机转子初始位置判断的通用性和准确性。
直流电机转子初始位置判断方法系统介质设备

[实用新型]H桥拓扑电源-CN202320248171.0有效
发明人：许恩兵 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种H桥拓扑电源，其包括电路板和铜板，所述电路板设有印刷电路，所述铜板连接于电路板，且所述铜板与印刷电路导通。铜板能够承载大电流并作为MOS管、电路板的散热器，使得逆变控制器的散热效果更好，延长了逆变控制器的使用寿命。
拓扑电源

[实用新型]MPPT控制器-CN202320181475.X有效
发明人：解金军;叶剑 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种MPPT控制器，包括壳体、电感以及主板，电感与主板之间电连接，壳体内开设有安装腔，安装腔内壁连接有散热板，散热板将安装腔分隔形成散热腔一以及散热腔二，主板安装在散热腔一内壁上，电感安装在散热腔二内壁上。本申请中散热板的设置，主板和电感处于两个腔室内同时进行工作，电感将部分电能转换成内能，限制电感将内能热传递给主板，使主板不易升温而损坏，从而提高MPPT控制器的使用寿命；散热层的设置，MOS管将内能热传递给散热层，从而降低MOS管的内能，使MOS管不易长时间处于高温状态而损坏，从而提高MOS管的使用寿命。
mppt 控制器

[发明专利]集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片及驱动电路-CN202310571794.6在审
发明人：程君永 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请涉及一种集成新型自举控制电路的高压半桥驱动芯片及驱动电路，其芯片包括高侧驱动模块、低侧驱动模块、自举控制电路和供电端VCC，高侧驱动模块的第一输入端HIN用于接收第一控制信号，高侧驱动模块的第二输入端VB用于连接自举控制电路，高侧驱动模块的第一输出端HO用于连接被驱动的第一MOS管，高侧驱动模块的第一连接端S也用于连接被驱动第一MOS管，自举控制电路用于连接外部的自举电容C1，低侧驱动模块的第一输入端LIN用于接收第二控制信号，低侧驱动模块的输出端LO用于连接被驱动的第二MOS管，供电端VCC连接于自举控制电路，供电端VCC还连接于低侧驱动模块。本申请具有简化电路，降低使用成本的效果。
集成新型控制电路高压驱动芯片电路

[实用新型]烧录座-CN202320246686.7有效
发明人：王珍晶 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01R13/40 文献下载
摘要：本申请涉及一种烧录座，其包括探针和底座，探针包括针体、针套和定位环，针套上端面同轴设有针孔，针体阻尼连接于针孔内，针体的上端凸出针套的端面并用于抵接芯片针脚；底座设有用于供针套穿设的定位孔，定位环固定连接于针套外周，定位环的下端面用于抵接底座上表面。针体阻尼连接于针套内，针体发生腐蚀或磨损的情况下，可将单个待更换的针体自烧录座中拆卸并更换新的针体，以提高烧录座的使用寿命。
烧录座

[发明专利]一种磁性编码器自校正方法、系统、存储介质及电子设备-CN202310561990.5在审
发明人：李卫伟 -专利权人： 屹晶微电子（台州）有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性编码器自校正方法、装置、存储介质及电子设备，涉及磁性编码器领域。本申请根据每个霍尔信号对的实时差值与实时平均值，在上一时刻的第一交叉点的基础上对下一时刻的第二交叉点进行预测，从而能够及早根据实时的霍尔信号的实际值，提前预测出即将发生的交叉点的数值，从而提前对霍尔信号的偏差带来的磁性编码器的角度偏差进行校正，相对于直接使用第一交叉点的数值进行角度校正，能够提高磁性编码器的角度校正的准确性。
一种磁性编码器校正方法系统存储介质电子设备

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