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[发明专利]双向开关、交流二线式开关、开关电源电路以及双向开关的驱动方法-CN201110159275.6有效
发明人： 山际优人;桥诘真吾;柳原学;井腰文智 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种抑制部件数量增加的双向开关。双向开关中的半导体装置(101)包括：第一电极(109A)、第二电极(109B)、第一栅电极(112A)以及第二栅电极(112B)，在过渡期间，在所述第一电极(109A)的电位比所述第二电极(109B)的电位高的情况下，向第一栅电极(112A)施加比第一阈值电压低的电压，且向所述第二栅电极(112B)施加比第二阈值电压高的电压，相反的情况下，向所述第一栅电极施加比第一阈值电压高的电压，且向所述第二栅电极施加比第二阈值电压低的电压。
双向开关交流二线开关电源电路以及驱动方法

[发明专利]交流二线式开关-CN201110043180.8有效
发明人：桥诘真吾;井腰文智;山际优人;上本康裕;柳原学 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：提供一种能够抑制在内部所具有的双向开关元件的散热的交流二线式开关。交流二线式开关(100a)连接于交流电源(101)与负载(102)之间而被使用，包括：双向开关元件(103)，由III氮化物半导体构成，除具有使电流双向流动的构成以外，还使该电流的流动导通或断开，并且与交流电源及负载串联连接，且与交流电源及负载构成闭合电路；全波整流器(104)，对交流电源的电源进行全波整流；电源电路(105)，将全波整流后的电压平滑化后，提供直流电源；第一栅极驱动电路(107)及第二栅极驱动电路(108)，将控制信号输出到双向开关元件；以及控制电路(106)，对第一栅极驱动电路及第二栅极驱动电路进行控制。
交流二线开关

[发明专利]场效应晶体管-CN201110051597.9无效
发明人：井腰文智;桥诘真吾;引田正洋;山际优人;柳原学 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管，其具备形成于基板(100)上并具有第1氮化物半导体层(122)和第2氮化物半导体层(123)的半导体层层叠体(102)。在半导体层层叠体(102)上，相互留有间隔地形成有源电极(131)和漏电极(132)。在源电极(131)与漏电极(132)之间，与源电极(131)和漏电极(132)留有间隔地形成有栅电极(133)。在漏电极(132)的附近形成有空穴注入部(141)。空穴注入部(141)具有p型的第3氮化物半导体层(142)和形成于第3氮化物半导体层(142)上的空穴注入电极(143)。漏电极(132)与空穴注入电极(142)的电位实质相等。由此，能够容易地实现抑制了电流崩塌的使用了氮化物半导体的场效应晶体管。
场效应晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201110050229.2无效
发明人：井腰文智;山际优人;桥诘真吾;柳原学;上本康裕 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：减少向电流驱动型的半导体装置的栅极的因寄生电感而引起的干扰噪声，使栅极驱动高精度化及稳定化。半导体装置(100)包括电流驱动型的半导体元件(3)、控制半导体元件的栅极驱动电路(11)及连接端子部，半导体元件具有：栅极电极焊盘(1)，形成在氮化物半导体层的层叠体上；欧姆电极焊盘(2)及(5)，连接端子部具有：与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(6)；与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(10)；与欧姆电极焊盘连接的栅极驱动用端子(7)；与栅极电极焊盘连接的栅极端子(8)，栅极驱动电路的输入端子与栅极驱动用端子连接，栅极驱动电路的输出端子与栅极端子连接，将栅极驱动电路的基准电位作为欧姆电极焊盘的电位。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201110032851.0无效
发明人： 山际优人;桥诘真吾;井腰文智;柳原学;上本康裕 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其能够将保护元件的元件面积控制得较小并且能够简化复杂工序地实现电涌抗性较高的半导体装置。该半导体装置具备形成于第1元件区域(106A)上的第1晶体管(111)和包括在第2元件区域(106B)形成的第2晶体管(121)的第1保护元件。第2保护元件欧姆电极(123B)与第1保护元件栅极电极(115)连接，第1保护元件欧姆电极(123A)与第1欧姆电极(113A)连接，第1保护元件栅极电极(115)与第1保护元件欧姆电极(123A)和第2保护元件欧姆电极(123B)的至少一方连接。第2元件区域(106B)的面积小于第1元件区域(106A)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200810161045.1无效
发明人： 山际优人;佐治隆司;金子佐一郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在高耐压半导体开关元件中，在开关动作所需的第1发射极区域(104)之外，形成与电流检出电路电连接、而且通过读出电阻123)与第1发射极区域(104)电连接的第2发射极区域(110)。在第2发射极区域(110)上，不形成发射极电极，而在与第2发射极区域(110)邻接的部分的基极区域(103)，形成发射极电极。在具有对高耐压半导体开关元件进行过电流保护功能的半导体装置中，加大流过读出电阻的电流和流过高耐压半导体开关元件的电流之比，从而减少过电流保护功能动作的电流值的离差。
半导体装置