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- [发明专利]发光装置及其制造方法-CN201310381486.3在审
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山田孝夫;梅宅郁子;铃木亮
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日亚化学工业株式会社
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2013-08-28
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2014-03-26
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H01L33/48
- 提供一种将发光元件倒装式安装于支撑体的发光装置的制造方法，能够实现具有高的光提取效率和高的可靠性双方的发光装置。准备构造体（7），该构造体（7）具有：基板（1）、形成在基板（1）上的半导体层（5）、形成在半导体层（5）上的p侧电极（6a）以及n侧电极（6b）；准备在同一面上具有p侧布线（11a）以及n侧布线（11b）的支撑体（20）；使用包含导电性粒子（21）以及第一树脂（22）的各向异性导电材料（23）将构造体（7）的p侧电极（6a）以及n侧电极（6b）和支撑体（20）的p侧布线（11a）以及n侧布线（11b）分别电连接，之后，从构造体（7）去除基板（1）后，形成发光元件（9’）。
- 发光装置及其制造方法
- [发明专利]半导体发光装置-CN201180066899.1有效
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姥原伸公;出口宏一郎;山田孝夫
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日亚化学工业株式会社
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2011-12-27
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2013-10-16
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H01L33/08
- 本发明提供一种在使用大型粘贴半导体发光元件的半导体发光元件中，使光取出效率提高的技术。本发明的半导体发光装置（90）包含：半导体发光元件（1），其具有依次层积有p型半导体层（43）、活性层（42）以及n型半导体层（41）的半导体层积体（40）和接合于所述半导体层积体（40）的所述p型半导体层（43）侧的导电性支承基板（10）；透光性密封树脂（92），其覆盖所述半导体层积体（40）；荧光体粒子（93），其被包含在所述透光性密封树脂（92）中，其中，所述半导体层积体（40）通过贯通所述p型半导体层（43）、所述活性层（42）以及所述n型半导体层（41）的槽（2）而被分割成至少两个半导体块（45a～45d），所述槽（2）的宽度（W）比所述荧光体粒子（93）的平均粒径小。
- 半导体发光装置
- [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200480034097.2有效
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市原隆志;三贺大辅;楠濑健;山田孝夫
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日亚化学工业株式会社
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2004-11-15
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2006-12-20
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H01L33/00
- 本发明涉及半导体元件及其制造方法，该半导体元件具有：具有相对置的一对主面的基板(11)；层叠在基板(11)的一方主面上的第一传导型半导体层；层叠在第一传导型半导体层上的第二传导型半导体层；形成于第一传导型半导体层与第二传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于第二传导型半导体层上，反射从活性层(14)朝向第二传导型半导体层的光的反射层(16)。该氮化物半导体发光元件将上述基板11的另一方的主面作为主光取出面可以安装在布线基板上。再者，在反射层(16)与第二传导型半导体层之间形成有透光性导电层(17)，在透光性导电层(17)与反射层(16)的界面形成有凹凸面(22)。
- 半导体元件及其制造方法
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