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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氮化铝系半导体深紫外发光元件-CN201710851492.9有效
发明人： 山本秀一郎;上田吉裕 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，包括导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、及包括发光层的氮化铝系半导体层结构体，导电性支承基板与氮化铝系半导体层结构体夹着多孔质金属膜以电连接的方式接合，发光峰值波长为220nm以上300nm以下。由此，能够提供发光效率较高且成品率得到改善的纵型结构的氮化铝系半导体深紫外发光元件。
氮化半导体深紫发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201611167309.5有效
发明人：泽村诚;山本秀一郎;伊藤茂稔 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种提高了光取出效率的包含Al_xGa_yN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。
半导体发光元件

[发明专利]氮化物半导体激光器芯片及其制造方法-CN200810099971.0有效
发明人：山下文雄;伊藤茂稔;山本秀一郎;川上俊之 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：在一种具有抑制氮化物半导体层上的台阶生成的结构的氮化物半导体激光器芯片中，衬底以(1－100)面为主表面，谐振器端面垂直于主表面，而且，在形成谐振器端面的解理表面中，至少在条带形波导的一边，形成刻入部分，作为朝向氮化物半导体层的表面开口的刻入区域。
氮化物半导体激光器芯片及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体激光元件及其制造方法-CN200610163101.6有效
发明人：川上俊之;山崎幸生;山本秀一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01S5/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体激光元件及其制造方法。所述半导体激光元件包括：基板；设置在该基板表面的氮化物半导体层，该氮化物半导体层包括产生激光的有源层和防止有源层的恶化的防蒸镀层；形成在该氮化物半导体中以作为光限定区域的条形波导；由解理该氮化物半导体层而形成的镜面；和形成在该镜面的至少在该条形波导的一侧的沟槽，该沟槽形成为在该氮化物半导体层的表面具有开口的雕刻区域，该沟槽具有位于该防蒸镀层的附近的底表面。形成在镜面上的表面变形通过设置在该表面变形起始位置附近的该沟槽重置，从而防止了表面变形在发射激光的条形波导中形成。这使得高产率制造氮化物半导体激光元件成为可能。
氮化物半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200480018816.1无效
发明人： 山本秀一郎;小河淳;石田真也;神川刚 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-06-18 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座(103)上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极(211)形成在导电衬底的前面上，第二电极(212)形成在导电衬底的背面上。安装有氮化物半导体发光芯片的次底座(103)安装在管座(105)上，由此形成氮化物半导体发光器件。
氮化物半导体发光器件及其制造方法

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