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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、和液晶显示装置-CN201010103981.4有效
发明人： 山口弘高;高取宪一 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种没有减小开口率的垂直取向型薄膜晶体管阵列基板。具备：绝缘层上形成的蚀刻停止层；在包括所述蚀刻停止层的所述绝缘层上形成的钝化层；形成在所述钝化层并且通过所述蚀刻停止层的凹部；形成在包括所述凹部的所述钝化层上并且与所述凹部相对应而凹下的像素电极；所述蚀刻停止层由透明半导体构成。
薄膜晶体管阵列及其制造方法液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置-CN200810175142.6无效
发明人： 山口弘高;松村正清;谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管、集成电路和液晶显示装置。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。本发明提供一种薄膜晶体管，包含：在玻璃基板上的结晶化的半导体薄膜上设置的源区和漏区；在上述半导体薄膜上在上述源区和漏区间设置的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上设置的栅电极；在上述栅电极、上述源区和漏区上设置的第2绝缘膜；以及在该第2绝缘膜中设置的、设置有用于与上述栅电极、上述源区和漏区的至少一个取得电接触的导电体层的接触孔，其特征在于：上述接触孔的剖面形状是长方形状，该接触孔的剖面形状的长边方向的长度尺寸大于等于其短边方向的长度尺寸的1.4倍。
薄膜晶体管集成电路液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和使用了网目调型掩模的曝光方法-CN200810175143.0无效
发明人： 山口弘高;松村正清;谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法。本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。薄膜晶体管的制造方法都包含在经掩模将来自光源的光线照射到玻璃基板的抗蚀剂上后对该抗蚀剂进行显影而在上述抗蚀剂上形成接触孔的工序，使用i线作为上述光线。
薄膜晶体管制造方法使用网目调型掩模曝光

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管、集成电路、液晶显示装置和使用了网目调型掩模的曝光方法-CN200610071921.2无效
发明人： 山口弘高;松村正清;谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的课题在于形成完全贯通抗蚀剂的接触孔。薄膜晶体管的制造方法都包含在经掩模将来自光源的光线照射到玻璃基板的抗蚀剂上后对该抗蚀剂进行显影而在上述抗蚀剂上形成接触孔的工序，使用i线作为上述光线。
薄膜晶体管制造方法集成电路液晶显示装置使用网目调型掩模曝光

[发明专利]结晶装置和结晶方法-CN03809603.X无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种结晶装置包括照射一块移相掩模版(1)的照明系统(2)和布置在所述移相掩模版和一层半导体膜(4)之间的光学路径中的图像形成光学系统(3)。用具有反向峰值图形部分的光强分布的光束照射所述半导体膜，所述光强分布的光强在对应于移相区的部分中最低以形成结晶半导体膜。该照明系统具有提供给定波长范围的光束的一个光源。所述图像形成光学系统设置成使所述移相掩模版和所述半导体膜光学地共轭，并具有对应于所述给定波长范围的像差，以形成在所述中间部分没有强度隆起的反向峰值图形部分的光强分布。
结晶装置方法

[发明专利]结晶装置、结晶方法及相位转换机构-CN03158410.1无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-09-09 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶装置，具备：照明系统(2)，照射使非单晶半导体膜结晶的照明光；以及相位转换构件(1)，该相位转换构件(1)包括以形成直线边界的方式邻接、且以第1相位差透过从照明系统(2)来的照明光的第1和第2区域，该相位转换构件(1)对照明光进行相位调制，以便光强度具有在与边界相对应的非单晶半导体膜上的位置附近降低的逆峰图形的光强度分布。相位转换构件(1)还具有微小区域，从边界朝第1和第2区域的至少一方扩展，以第2相位差对第1和第2区域的至少一方透过从照明系统(2)来的照明光。
结晶装置方法相位转换机构

[发明专利]晶化装置、用于晶化装置的光学部件和晶化方法-CN03148959.1无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种晶化装置，包括：光照系统(2)，照射相移掩模(1)，并以具有反转峰值型光强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)，该反转峰值型光强度分布在对应于相移掩模(1)的相移部分的点具有最小光强度，以便制备结晶的半导体膜；波前分离元件(3)，设置在光照系统(2)和相移掩模(1)之间的光路上；波前分离元件(3)，将光照系统(2)提供的光束波前分离为多个光束，并且在对应的相移部分或该部分附近会聚这些波前分离的光束。
化装用于光学部件方法

[发明专利]结晶装置、结晶方法、薄膜晶体管以及显示装置-CN03133128.9无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-07-24 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。
结晶装置方法薄膜晶体管以及显示装置

[发明专利]晶化设备、用于晶化设备的光学部件、晶化方法、薄膜晶体管和显示器-CN03147124.2无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。
设备用于光学部件方法薄膜晶体管显示器

[发明专利]曝光方法及装置-CN03110416.9无效
发明人：辻川晋;谷口幸夫;山口弘高;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-04-09 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种曝光方法及装置，其目的是降低支撑光罩及具有感光材的被曝光物的支撑机构移动的驱动机构所承受的物理性负荷，并将驱动机构制作成简单的结构。本发明的曝光方法，包含：使来自曝光用光源的至少部分光，入射到支撑在支撑机构的光罩的入射步骤；使来自光罩的透过光，从与入射到光罩的光入射方向不同的方向入射到支撑于支撑机构的感光材，并使前述透过光成像在感光材的成像步骤；旋转支撑机构，使来自光源的光得以沿着圆周方向变化其入射在光罩的照射位置的旋转步骤；在支撑机构的旋转中，使照射到光罩及感光材的光的照射位置在旋转面内，朝着与圆周方向不同的方向变化的照射位置变更步骤。
曝光方法装置

[发明专利]曝光方法及装置-CN03120289.6无效
发明人：辻川晋;谷口幸夫;山口弘高;松村正清 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的目的，是在于将用以支持屏蔽以及感光材所需的空间更为缩小。本发明的曝光方法包括：使来自曝光用光源的光的至少一部分，入射到支持于支持装置的前述屏蔽的入射步骤；以及引导来自前述屏蔽的反射光，使其成像在支持于前述支持装置的前述感光材，从与光源的光入射到前述屏蔽的入射方向不同的方向接收该反射光的成像步骤。
曝光方法装置

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