专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]针对电场磁场平行中性粒子分析器的标定装置及系统-CN202320595602.0有效
  • 屈玉凡;臧临阁;罗圆 - 核工业西南物理研究院
  • 2023-03-23 - 2023-06-16 - G01T7/00
  • 本实用新型涉及中性粒子分析器设备,特别涉及针对电场磁场平行中性粒子分析器的标定装置,还涉及一种电场磁场平行中性粒子分析器标定系统,电场磁场平行中性粒子分析器的标定装置,包括离子通道和离子发射源,该离子发射源与离子通道入口连通,该离子通道后端设置有用于对应中性粒子分析器的射出部;所述离子发射源为发射H+,H2+和H3+离子中任意一种或任意多种组合的电子回旋共振离子源,用于通过不同的电流产生不同质量的氢离子。通过采用本针对电场磁场平行中性粒子分析器的标定装置,采用如上述的电子回旋共振离子源,可较为可靠的为NPA投入托卡马克装置使用之前,对其进行质量和能量标定。
  • 针对电场磁场平行中性粒子分析器标定装置系统
  • [发明专利]垂直向中子相机屏蔽与准直结构-CN202111401763.3有效
  • 吴润;臧临阁;屈玉凡 - 核工业西南物理研究院
  • 2021-11-19 - 2023-05-16 - G21B1/25
  • 本发明属于聚变等离子体诊断技术,具体涉及一种垂直向中子相机屏蔽与准直结构。包括外层铅壳、设于外层铅壳上部的准直管、设于外层铅壳下部的后段腔室,以及设于外层铅壳内的填充材料;外层铅壳包括前端铅层和管末铅层,还包括中段侧面铅层、后段外侧铅层和后端铅层,前端铅层和管末铅层之间填充中段填充材料,后段腔室内中心位置设有后段空腔。两侧的中段侧面铅层倾斜固定,这样设计能够较为有效的屏蔽来自外侧环境的γ射线,相较于垂直固定可以节省空间并减少由填充材料引起的γ射线,大幅减少到达中子探测器的散射中子。
  • 垂直中子相机屏蔽结构
  • [实用新型]用于磁约束聚变高温等离子体中性粒子分析的磁体-CN202123214496.7有效
  • 屈玉凡;臧临阁 - 核工业西南物理研究院
  • 2021-12-20 - 2023-03-17 - G21B1/25
  • 本实用新型属于高温等离子体诊断技术领域,具体公开一种用于磁约束聚变高温等离子体中性粒子分析的磁体,该磁体包括磁轭,包裹在磁轭内的永磁铁和磁极,若干块上下布置的磁极之间形成气隙,若干块磁极位于若干块上下布置的永磁铁之间,所述的磁轭的形状为“C”形,永磁铁的结构为上宽下窄的平面状,磁极在气隙前端处至气隙后端处由宽至窄。本实用新型的中性粒子分析的磁体,能够使入射的高能段离子经过更长的偏转距离,在保证偏转效果的前提下,能够有效减小磁场的体积;使气隙内部磁场由低到高,使磁力线弯曲从而对离子轨迹向中平面进行聚焦,由此减小了离子的损失,提高了磁场对离子的传射效率。
  • 用于约束聚变高温等离子体中性粒子分析磁体
  • [发明专利]一种中性粒子分析器及分析电磁场和探测面的布置方法-CN202010595409.8在审
  • 臧临阁;屈玉凡 - 核工业西南物理研究院
  • 2020-06-28 - 2020-09-22 - G01T5/00
  • 本发明属于高温等离子体诊断技术,具体涉及一种中性粒子分析器及分析电磁场和探测面的布置方法,设计直角倒梯形磁场区、倒梯形电场区,电场区倒梯形斜边与磁场区的直角倒梯形斜边平行,之间形成绝缘区,电场区外设置探测面,设计探测面与电场区之间的自由飞行区,根据其与飞行单元的磁场区和电场区尺寸关系确定需满足l1(l1+2l2)/p2=c,确定探侧面位置,H+和D+分别经磁场和电场分别完成在垂直于磁场方向和平行于电场方向上的偏转后,在探测面上,行与行之间,即H+与D+之间实现对不同质量粒子的分辨,同一行上的不同列与列之间实现不同能量粒子分辨。本方法能够使NPA兼具能量分辨和质量分辨的能力。
  • 一种中性粒子分析器分析电磁场探测布置方法

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