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[发明专利]用于等离子体蚀刻工件的方法及装置-CN201710363139.6有效
发明人： 尼古拉斯·洛奈;马克西姆·瓦瓦拉 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种在硅基板中等离子体蚀刻一个或多个特征的方法，所述方法包括以下步骤：使用循环蚀刻工艺进行主蚀刻，在该循环蚀刻工艺中沉积步骤和蚀刻步骤交替重复；以及进行过蚀刻以完成所述特征的等离子体蚀刻；其中：该过蚀刻包括一个或多个第一类蚀刻步骤和一个或多个第二类蚀刻步骤，所述第一和第二类蚀刻步骤中的每个步骤都包括通过离子轰击所述硅基板来进行蚀刻；以及所述一个或多个第二类蚀刻步骤期间的离子轰击相对于所述一个或多个第一类蚀刻步骤期间的离子轰击具有向内的倾斜。本发明还提供了一种用上述方法蚀刻硅基板的装置。
用于等离子体蚀刻工件方法装置

[发明专利]支撑件-CN201910882394.0在审
发明人： 尼古拉斯·洛奈 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种支撑件，该支撑件包括：包括上表面的静电卡盘；盖，该盖定位在静电卡盘上以覆盖静电卡盘的上表面，盖包括与静电卡盘的上表面相邻的第一面、用于支撑衬底的第二面以及延伸穿过盖以允许冷却气体从第二面流到第一面的一个或多个导管；其中，盖由介电材料制成。
支撑