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[发明专利]用于光和电容触控双模态交互的传感集成结构-CN202310740693.7在审
发明人：黄沛锦;尹晓宽;杨伟弘;李骏;郭小军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：一种用于光和电容触控双模态交互的传感集成结构，由若干传感单元构成，每个传感单元包括一个用于寻址的开关晶体管、一个用于采集电容触控及光信号的传感晶体管和一个用于存储传感电荷的三个存储电容，本发明将电容触控传感和光传感利用一个开关晶体管、一个传感晶体管和一个存储电容集成实现光和电容双模态传感交互功能，不仅提高了器件的集成度，提高了分辨率，而且具有更低的制作成本和驱动成本。
用于光和电容双模交互传感集成结构

[发明专利]薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片及其制备方法-CN202210606517.X有效
发明人：郭小军;欧阳邦;陈苏杰;宋亚文;沈超超;尹晓宽;唐伟 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提供的薄膜晶体管型生化传感微阵列芯片包括：衬底；像素阵列，包括多个参比电极和多个像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管和位于所述薄膜晶体管上方的敏感电极，所述薄膜晶体管的底栅电极电连接所述敏感电极，所述敏感电极表面具有修饰层，多个所述参比电极与多行所述像素单元一一对应；多条行选信号线，分别与多个所述参比电极电连接；多条列读取信号线；多条公共电极线；多个隔离墙，位于所述封装层上方，每个所述隔离墙包围一隔离区域，所述隔离区域连续暴露一行所述像素单元中所有的所述敏感电极和一个所述参比电极。本发明有利于提高芯片集成度，并减少串扰和功耗。
薄膜晶体管生化传感阵列芯片及其制备方法

[发明专利]光传感器、光传感装置及其制备方法-CN202010527767.5有效
发明人：郭小军;尹晓宽;侯霄;唐伟;陈苏杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种光传感器、光传感装置及其制备方法。所述光传感器包括：衬底；光电晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖于所述源电极和所述漏电极表面的光敏半导体层；第一透明钝化层，位于所述衬底表面且包覆所述光电晶体管；薄膜光敏器件，位于所述第一透明钝化层表面、且与所述光电晶体管错位设置，所述薄膜光敏器件包括位于所述第一透明钝化层表面的下触发电极、位于所述下触发电极表面的光敏功能层、以及位于所述光敏功能层表面的上触发电极；第二透明钝化层，位于所述第一透明钝化层表面且包覆所述薄膜光敏器件。本发明提高传感阵列的刷新速率，降低了功耗。
传感器传感装置及其制备方法

[发明专利]基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构-CN202310512186.8在审
发明人：郭小军;郑炼凯;陈苏杰;尹晓宽;欧阳邦;邓立昂 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构。所述基于多种薄膜晶体管三维集成的半导体结构包括：衬底；N层薄膜晶体管层，沿第一方向依次叠置，每层所述薄膜晶体管层包括若干个薄膜晶体管，且至少存在两层所述薄膜晶体管层中的所述薄膜晶体管的类型不同；N层所述薄膜晶体管层中的至少一层所述薄膜晶体管层用于形成传感电路、至少一层所述薄膜晶体管层用于形成存储电路、以及至少一层所述薄膜晶体管层用于形成计算和信号处理电路，且至少存在两层所述薄膜晶体管层形成的所述电路的类型不同。本发明提高了半导体结构的集成度。
基于多种薄膜晶体管三维集成半导体结构

[发明专利]有源面板级扇出型封装结构及其制备方法-CN202210174290.6在审
发明人：郭小军;邓立昂;尹晓宽;韩磊;欧阳邦;李骏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供的有源面板级扇出型封装结构包括：衬底；有源薄膜晶体管接口电路层，位于所述衬底顶面，包括有源薄膜晶体管接口电路；互连层，位于所述有源薄膜晶体管接口电路层上且电连接所述有源薄膜晶体管接口电路；顶层外设器件，位于所述互连层上且电连接所述互连层；顶层芯片晶粒，位于所述互连层上且电连接所述互连层，所述顶层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片；底层外设器件，位于所述衬底底面且电连接所述互连层；底层芯片晶粒，位于所述衬底底面且电连接所述互连层，所述底层芯片晶粒为未经封装的硅基集成电路芯片。本发明实现了对待封装硅基芯片进行功能扩展。
有源面板级扇出型封装结构及其制备方法

[发明专利]一种含噻唑并噻唑单元的聚合物、制备方法及其用途-CN202010923463.0有效
发明人：刘丙永;尹晓宽;杨伟;张清;郭小军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种含噻唑并噻唑单元的聚合物，其具有如下所述的结构式：所述的聚合物为基于2,5‑双(3‑((2‑乙基己基)噻吩‑2‑基)噻唑并[5，4‑d]噻唑(CTZ)的聚合物。所述聚合物具有良好的溶解性，较好的热稳定性以及空气稳定性，所述聚合物失重5％的温度达284℃。载流子迁移率达到了该类型分子的最高水平，其氮气条件下，空穴迁移率达到2.3cm2V‑1s‑1；空气条件下，其迁移率达到1.5cm2V‑1s‑1。并且，该聚合物的合成处理简单高效利于大量制备。可广泛应用于有机太阳能电池、有机光电晶体管及有机场效应晶体管等领域，具有潜在的商业应用价值。
一种噻唑单元聚合物制备方法及其用途

[发明专利]一种显示组件、显示装置和指纹识别方法-CN202010246037.8在审
发明人：赵阳;吴欣凯;刘俊彦;郭小军;贺虎;尹晓宽;侯霄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供一种显示组件、显示装置和指纹识别方法。显示组件包括显示面板和位于显示面板出光面之上的指纹识别模组，指纹识别模组包括多个指纹识别单元，每个指纹识别单元均至少包括一个光电晶体管和一个开关晶体管；光电晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层的制作材料包括有机半导体材料，第一漏极和第一栅极部分交叠形成第一电容；开关晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极。指纹识别模组包括第一金属层，第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极均位于第一金属层，且第一漏极和第二源极相连。本申请能够增大指纹反射光的准直性，提升指纹识别的准确度，同时降低显示组件结构和工艺的复杂度。
一种显示组件显示装置指纹识别方法

[发明专利]一种有机发光显示面板和显示装置-CN202010246044.8在审
发明人：刘俊彦;赵阳;吴欣凯;郭小军;贺海明;刘至哲;邓立昂;尹晓宽 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种有机发光显示面板和显示装置。显示面板包括基板、位于基板之上的驱动单元和发光单元；驱动单元包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管；驱动晶体管为有机薄膜晶体管，驱动晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层和第一栅极之间间隔有第一绝缘层；开关晶体管为低温多晶体薄膜晶体管，开关晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层和第二栅极之间间隔有第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层为不同的绝缘层，第二栅极位于第二有源层的远离基板的一侧。本申请能够同时满足驱动晶体管和开关晶体管的特性需求，保证显示亮度的稳定性，满足高刷新率和高分辨率对开关速度的需求。
一种有机发光显示面板显示装置

[发明专利]一种显示组件、显示装置和驱动方法-CN202010246056.0在审
发明人：赵阳;吴欣凯;刘俊彦;郭小军;贺海明;侯霄;尹晓宽 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提供一种显示组件、显示装置和驱动方法。显示组件包括显示面板和位于显示面板出光面之上的功能模组，功能模组中功能单元至少包括一个光电晶体管和一个开关晶体管；光电晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层的制作材料包括有机半导体材料，第一有源层位于第一栅极远离显示面板的一侧，第一漏极和第一栅极部分交叠形成第一电容；开关晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二源极和第一漏极相连；功能单元包括位于第一有源层之上且与第一有源层绝缘交叠的透明电极。功能模组能够同时实现指纹识别和触控功能，降低显示组件结构和工艺的复杂度，有利于减小显示组件整体厚度，提升指纹识别准确度。
一种显示组件显示装置驱动方法

[发明专利]一种含二苯甲酮基的可光交联型空穴传输材料及其制备方法与应用-CN202010767667.X有效
发明人：孙文建;尹晓宽;张清;郭小军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种含二苯甲酮基的可光交联的空穴传输材料及其制备方法与应用；所述空穴传输材料是以TFB为母核，二苯甲酮为交联基团的聚合物空穴传输材料，化学结构式如下：式中，x,y均为摩尔分数，0x＜1，0＜y1。该材料薄膜在紫外辐射下形成三维网络结构实现材料的交联，得到具有抗溶剂性的交联材料，使得全溶液法制备发光器件得以实现。交联后的材料具有高的空穴注入与传输能力，性能明显优于商业化TFB空穴传输材料这种光交联方法不需要加入引发剂或催化剂，交联时间较短、反应过程无副产物、需要的紫外激发波长较长(365nm)对材料伤害程度小以及交联前后对空穴传输材料的电学及光学性质影响较小。
一种含二苯甲酮基交联空穴传输材料及其制备方法应用

[发明专利]一种含联二炔基的交联空穴传输材料及其制备方法与用途-CN202010801937.4在审
发明人：孙文建;尹晓宽;张清;郭小军 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种含联二炔基的交联空穴传输材料及其制备方法与用途，属于有机光电技术领域；所述空穴传输材料以4，4，‑双(N‑咔唑)‑1，1，‑联苯为母核，联二炔为交联基团的聚合物空穴传输材料。该材料在联二炔基聚合物在紫外光或加热的条件下发生自由基偶合反应，形成三维网络结构实现材料交联，得到具有抗溶剂性的交联材料，实现全溶液法制备发光器件。这种光交联方法不需要加入引发剂或催化剂，反应温度低、交联时间较短、反应过程无副产物、以及交联前后对空穴传输材料的电学及光学性质影响较小。本发明所得的交联空穴传输材料适合溶液法制备有机电致发光显示器件，在溶液法制备有机电子领域具有广阔的应用前景。
一种含联二炔基交联空穴传输材料及其制备方法用途

[发明专利]一种Al-Ni-Y-Ca系铝基非晶态合金及其制备方法-CN201510691932.X在审
发明人：刘祖铭;张伟亮;谢跃煌;麻梦梅;尹晓宽;周舒青 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C22C45/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种Al-Ni-Y-Ca系铝基非晶态合金及其制备方法，涉及非晶态合金领域。该铝基非晶态合金的名义化学成分为Al_85-xNi₇Y₈Ca_x（0﹤x﹤6），原子百分比为(Al+Ca):Ni:Y=85:7:8。所述合金采用甩带法制备，采用Ar气保护，喷射压力0.8MPa，铜辊转速30m/s，真空度为0.1~2Pa。所得铝基非晶态合金体系简单，成本低廉，具有良好的非晶形成能力和热稳定性，具有广泛的应用前景。
一种 al ni ca 系铝基非晶态合金及其制备方法

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