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[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201380026450.1无效
发明人：松本直树;小山纮司;小津俊久;吉村正太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子体处理装置(1)通过使导入至处理容器(2)的处理气体等离子化，从而对收容在处理容器(2)的内部的晶圆(W)进行处理。等离子体处理装置(1)具备中央导入部(55)、周边导入部(61)、流量调整部以及控制部(49)。中央导入部(55)将含有Ar气体、He气体和蚀刻气体中的至少任意一者的处理气体导入至晶圆(W)的中央部。周边导入部(61)将处理气体导入至晶圆(W)的周边部。流量调整部用于调整自中央导入部(55)导入至晶圆(W)的中央部的处理气体的流量和自周边导入部(61)导入至晶圆(W)的周边部的处理气体的流量。控制部(49)以处理气体所含有的He气体相对于处理气体所含有的Ar气体的分压比为预定值以上的方式控制由流量调整部进行调整的处理气体的流量。
等离子体处理装置方法

[发明专利]被处理基体的处理方法-CN201280066942.9有效
发明人：井上雅喜;小津俊久;谷川雄洋;吉川润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在一实施方式中，提供一种对在表面上暴露有含有Ni和Si的第1层和含有Si和N的第2层的被处理基体中的第2层进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括：(a)在处理容器内准备被处理基体的工序；以及(b)向处理容器内供给不含有氧而含有碳和氟的第1处理气体并在该处理容器内产生等离子体的工序。
处理基体方法

[发明专利]蚀刻方法和装置-CN201180032822.2有效
发明人： 小津俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种当对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻时能够防止在绝缘膜的底层产生氧等离子体的坏影响的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，使绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对绝缘膜（222）进行蚀刻，直到厚度方向的中途；沉积物去除工序，使第一蚀刻工序结束时残存的绝缘膜（222）暴露于被氧等离子体中，去除沉积在残存的绝缘膜（222）的表面上的沉积物；和第二蚀刻工序，使残存的绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对残存的绝缘膜（222）进行蚀刻。
蚀刻方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201080036920.9有效
发明人： 小津俊久;松本直树;塚本刚史;高井和人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W)，其中，被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。采用本发明，能够减小基板(W)的中心部和周边部的蚀刻速率(ER)等的偏差。因此，基板(W)表面的等离子体处理的均匀性提高。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法-CN201110287142.7有效
发明人：野泽俊久;佐佐木胜;桥本润;吉村正太;小津俊久;西塚哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
等离子体蚀刻处理装置及其方法半导体元件制造

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201080013934.9无效
发明人：金高裕树;小津俊久;高桥正彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体蚀刻方法。一种对衬底进行处理的方法，其用于当在所述衬底上形成掩模图案之后通过蚀刻处理来形成期望的图案，该方法包括以下步骤：在衬底上形成两个层；测量掩模图案以及两个层中一者的蚀刻图案的宽度；以及基于所测量的宽度来调整用在蚀刻处理中的HBr和其他气体中任何一者的流速。这两个层可以包括氮化硅层和有机电介质层。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置-CN200980145127.X有效
发明人：西塚哲也;高桥正彦;小津俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种使用等离子体蚀刻装置的蚀刻方法，该等离子体蚀刻装置具备有处理容器、载置台、微波供给单元、气体供给单元、排气装置、向载置台供给交流偏置电力的偏置电力供给单元和控制交流偏置电力的偏置电力控制单元，其中偏置电力控制单元以下述方式对交流偏置电力进行控制：交替地重复向载置台的交流偏置电力的供给和停止，使得供给交流偏置电力的期间与供给交流偏置电力的期间和停止交流偏置电力的期间的合计期间之比在0.1以上0.5以下。
等离子体蚀刻方法以及装置

[发明专利]数字电路多路复用装置-CN01810314.6无效
发明人： 小津俊久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-03-28 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H04Q11/04 文献下载
摘要：具有选择器3、40kb/sVBD编码部4、8kb/s声音编码部5、传真解调部6和多路复用部7的数字电路多路复用装置进而还包括：从在中继电路1上传送的数据流中检测出64kb/s无干扰信道请求的无干扰信道请求监视部2、利用选择器3输出的PCM信号对有无干扰信道请求的信道生成IP数据包的IP数据包组装部9和向IP网输出IP数据包的IP接口部10。
数字电路多路复用装置