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[发明专利]含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法-CN202310292012.5在审
发明人： 小林直贵;泷泽彼方;三井亮;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法。本发明课题为提供在多层抗蚀剂法中抑止超微细图案的崩塌的效果高，可形成LWR优良的抗蚀剂图案，且相对于已知的含硅的下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性及湿式剥离性，同时兼顾相对于已知的金属硬掩膜材料具有优良的填埋特性的含硅的金属硬掩膜形成用组成物。该课题的解决手段为一种含硅的金属硬掩膜形成用组成物，其特征为含有：(A)金属氧化物纳米粒子，(B)不含含芳香环的有机基团的热交联性聚硅氧烷(Sx)，及(C)溶剂。
金属硬掩膜形成组成图案方法

[发明专利]金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法-CN202310194659.4在审
发明人： 小林直贵;郡大佑;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及金属氧化膜(抗蚀剂下层膜)形成方法。一种金属氧化膜形成用组成物，其特征为含有(A)金属氧化物纳米粒子、(B)为选自下列通式(I)、通式(II)及通式(III)中的一种以上表示的化合物及/或分子量5000以下的聚合物的流动性促进剂、及(C)有机溶剂，该(A)金属氧化物纳米粒子与该(B)流动性促进剂的重量比例为10/90～90/10。
金属氧化形成组成图案方法

[发明专利]抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法-CN202211478179.2在审
发明人： 小林直贵;郡大佑;山本靖之;佐藤裕典;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题的解决手段是一种抗蚀剂下层膜材料，特征为含有：(A)具有下述通式(1A)表示的化合物的树脂、及(B)有机溶剂；前述通式(1A)表示的化合物的Mw/Mn为1.00≤Mw/Mn≤1.25，前述通式(1A)中，X为下述通式(1B)表示的基团，前述通式(1B)中，R1为氢原子、碳数1～10的有机基团、及下述通式(1C)表示的结构中的任一者，构成前述R1的结构中，令氢原子的比例为a，并令碳数1～10的有机基团或前述通式(1C)表示的结构的比例为b时，以(A)成分整体计，符合a+b＝1、0.2≤b≤0.8的关系。
抗蚀剂下层材料图案形成方法以及

[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法以及有机膜形成用化合物及聚合物-CN202211439298.7在审
发明人：郡大佑;小林直贵 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法以及有机膜形成用化合物及聚合物。该课题的解决手段为一种有机膜形成用组成物，其特征为含有：下述通式(I)及/或通式(II)表示的有机膜形成材料、及有机溶剂。式中，R1、R4为氢原子、烯丙基、或炔丙基，R2、R5表示取代基，R6表示氢原子、C1～4的烷基、C2～4的炔基、或C2～4的烯基。m、i表示0或1，k、q表示0～2的整数，n、h、j表示0～2的整数且符合1≤h+j≤4的关系，l、r表示0或1。W为单键或下式(3)表示的2价基团中的任一者。V分别独立地表示氢原子或连接部。
有机形成组成图案方法以及化合物聚合物

[发明专利]抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法-CN202211394286.7在审
发明人：佐藤裕典;郡大佑;小林直贵;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法。本发明提供具有优良的填埋特性、密合性、及良好的平坦化特性的抗蚀剂下层膜材料、使用此材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，其特征为含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的树脂、及(B)有机溶剂，且前述树脂的含量为20质量％以上。
抗蚀剂下层材料图案形成方法

[发明专利]抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法-CN202211393733.7在审
发明人： 小林直贵;郡大佑;新井田惠介;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法。一种抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料，其特征为：含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的聚合物、(B)含有下列通式(2)表示的化合物的残留溶剂脱离促进剂、及(C)有机溶剂，前述(A)聚合物的利用凝胶渗透层析法得到的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，前述(B)残留溶剂脱离促进剂的含量相对于前述(A)聚合物的100质量份为0.1～40质量份，且不含酸产生剂。
抑制半导体图案崩塌填充形成材料处理方法

[发明专利]有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物-CN202211211942.5在审
发明人：郡大佑;小林直贵;山本靖之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物。本发明的目的是提供一种化合物，能形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成材料。本发明的解决手段是一种有机膜形成材料，其特征在于含有下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。该通式(1)中，R1是下述式(2)的任一者，R2表示硝基、卤素原子、羟基、烷基氧基、炔基氧基、烯基氧基、直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、三氟甲基氧基；n表示0或1，m表示1～3的整数，p表示0或1，l表示0～2的整数；W是碳数2～40的2价有机基团。
有机形成材料图案方法以及化合物

[发明专利]有机膜形成用组成物、图案形成方法以及有机膜形成用化合物及聚合物-CN202211182821.2在审
发明人：郡大佑;山本靖之;小林直贵 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种有机膜形成用组成物、图案形成方法以及有机膜形成用化合物及聚合物。本发明的解决手段是一种有机膜形成用组成物，其特征在于含有下述通式表示的有机膜形成材料及有机溶剂。该通式中，R1为氢原子、烯丙基、或炔丙基，R2表示硝基、卤素原子、羟基、碳数1～4的烷基氧基、碳数2～4的炔基氧基、碳数2～4的烯基氧基、碳数1～6的直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、或三氟甲基氧基；m＝0、1，n＝1、2，l＝0、1，k表示0～2的整数，W是碳数1～40的2价有机基团；V各自独立地表示氢原子或连接部分。
有机形成组成图案方法以及化合物聚合物

[发明专利]有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法及图案形成方法-CN201811592270.0有效
发明人：荻原勤;郡大佑;橘诚一郎;美谷岛祐介;小林直贵;野田和美 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]
有机形成组合半导体装置制造用基板方法图案

[发明专利]半导体基板的清洗干燥方法-CN201810366118.4在审
发明人：荻原勤;渡边修;永田岳志;小林直贵;郡大佑 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。
树脂半导体基板清洗液分解去除清洗干燥溶剂置换图案气体接触清洗基板图案倒塌基板加热清洗残留气温

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