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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410046657.1有效
发明人： 小嵜正芳;藤井隆弘 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括直径为2英寸或更大的半导体衬底；以及堆叠在半导体衬底上的使用包含氮化镓（GaN）的材料的N型半导体层。在N型半导体层区域的面上的多个位置处，碳（C）浓度的多个测量值的中值等于或低于1.0×1016cm‑3。中值与其他测量值之差的最大值低于5×1015cm‑3。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管、半导体器件和半导体晶体生长方法-CN200910133694.5无效
发明人：平田宏治;小嵜正芳;千田昌伸;柴田直树 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
场效应晶体管半导体器件半导体晶体生长方法

[发明专利]半导体器件-CN200780019660.2无效
发明人：城川润二郎;铃木彰;小嵜正芳;平田宏治 -专利权人：丰田合成株式会社;学校法人立命馆
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供一种具有包含AlGaN层和GaN层的AlGaN-GaN异质结结构的半导体器件，该器件显示出不随时间变化的薄层电阻。如图1所示，在具有包含AlGaN层1和GaN层2的AlGaN-GaN异质结结构的半导体器件中，当AlGaN的Al摩尔分数(x％)和AlGaN层的厚度(y nm)满足关系x+y＜55、25≤x≤40和y≥10时，y小于临界厚度，由此在AlGaN层中不产生裂缝。因此，本发明提供尽管Al摩尔分数较高但仍显示出几乎不随时间变化的薄层电阻的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]场效应晶体管、半导体器件、其制造方法和半导体晶体生长方法-CN200580018798.1无效
发明人：平田宏治;小嵜正芳;千田昌伸;柴田直树 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
场效应晶体管半导体器件制造方法半导体晶体生长

[发明专利]含有Ⅲ族元素基氮化物半导体的电子器件-CN200610127080.2无效
发明人： 小嵜正芳;平田宏治 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式Al_xGa_1－xN代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式Al_yGa_1－yN代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃－1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃－800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5－20nm的厚度。
含有元素氮化物半导体电子器件

[发明专利]场效应晶体管-CN200610127814.7无效
发明人： 小嵜正芳;平田宏治 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，包括具有沟道的沟道层和位于沟道层上的载流子供应层，所述载流子供应层含有由式Al_xGa_1－xN代表的半导体，其中x大于0.04并小于0.45。沟道在沟道层和载流子供应层之间的界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，式Al_xGa_1－xN中的x随与第一界面的距离增加而单调下降。沟道层可以是氮化镓结晶体。沟道层可以是未掺杂的。界面处的载流子供应层的式Al_xGa_1－xN中的x大于或等于0.15且小于或等于0.40。
场效应晶体管

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