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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]胶原蛋白结构体及胶原蛋白结构体的制造方法-CN201380005501.2有效
发明人： 小仓孝之;田中启友;大场康弘;服部俊治 -专利权人：株式会社日皮
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： A61L27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种胶原蛋白结构体，其特征在于：由平均直径为1～5μm的胶原纤维构成，含水量为0～15(w/w)％，胶原蛋白密度为50～800mg/cm3。将胶原蛋白酸性溶液调节至中性以生成胶原纤维，之后通过过滤等形成胶原蛋白浓度为12～50(w/v)％的粗胶原纤维。将该粗胶原纤维模制成规定形状，之后进行干燥即可制得。由于该胶原蛋白结构体是以胶原蛋白分子缔合形成的胶原纤维为材料，所以细胞浸润性优异，并且胶原蛋白密度与机体内的胶原蛋白组织等价，所以将其填充在机体的缺损部时组织再生力优异，可适用于再生医疗用人工材料等。
胶原蛋白结构制造方法

[发明专利]胶原粉末和/或胶原衍生物粉末及其制造方法-CN201180037728.6有效
发明人：田中启友;小仓孝之;服部俊治;松田刚一;小林善胜;大井章司 -专利权人：株式会社日皮
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C08H1/00 文献下载
摘要：本发明提供胶原粉末和/或胶原衍生物粉末及其制造方法，该制造方法的特征在于，将含有12～50质量％的平均粒径1～1,000μm的胶原沉淀物和/或胶原衍生物沉淀物的粗胶原沉淀物分散于亲水性有机溶剂中，分离固形物，进行干燥。由于通过分散于亲水性有机溶剂中可将沉淀物脱水，因此可以将所得的上述所述固形物通过风干进行干燥。而且，由于扩大了比表面积，所得胶原粉末和/或胶原衍生物粉末的溶解性良好，且由于平均粒径为8～1,000μm，操作性良好。
胶原粉末衍生物及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件、半导体器件及其制造方法-CN200410044696.4有效
发明人：岩田浩;小仓孝之;柴田晃秀 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-05-20 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种包括存储单元的半导体存储器件，各个存储单元包括：形成在半导体衬底上的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的栅电极；位于栅电极下方的沟道区；分别排列在沟道区相对侧上的成对的源区和漏区，此源区和漏区具有与沟道区相反的导电类型；以及分别位于栅电极的相对侧上的存储功能单元，各个存储功能单元包括电荷保持部分和抗耗散绝缘体，此电荷保持部分由用来储存电荷的材料组成，抗耗散绝缘体用来通过使电荷保持部分分隔于栅电极和衬底二者而防止储存的电荷被损耗，其中，栅电极侧壁和与其彼此面对的电荷保持部分侧面之间的距离(T2)适应于和电荷保持部分底部与衬底表面之间的距离(T1)不同。
半导体存储器件半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法、半导体装置、便携电子设备以及IC卡-CN200410044756.2有效
发明人：岩田浩;小仓孝之;柴田晃秀;足立浩一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明的半导体存储装置，包括场效应晶体管，其在半导体基片1上具有栅绝缘膜2、栅电极3、一对源极/漏极扩散区13a、13b。包括覆盖膜21，其由以覆盖栅电极3的上面及侧面的状态，在基片1上形成的具有存储电荷的功能的绝缘体构成。包括层间绝缘膜23，其在覆盖膜21上相接形成。包括接触部件25、25，其在各源极/漏极扩散区13a、13b上分别在上下方向贯通层间绝缘膜23与覆盖膜21，并与该源极/漏极扩散区13a、13b电连接。覆盖膜21及层间绝缘膜23由可选择性蚀刻的材料来构成。这样，可消除过删除及由此引起的读出不良的问题，可提高可靠性。
半导体存储装置及其制造方法便携电子设备以及 ic

[发明专利]半导体器件及其制造方法，便携式电子设备和集成电路卡-CN200410043186.5有效
发明人：岩田浩;小仓孝之;柴田晃秀 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体开关元件(31)和半导体存储元件(32)分别具有栅电极(3)、一对源区/漏区(13)和沟道形成区(19)。在半导体存储元件(32)的栅电极(3)的相对侧上提供具有电荷存储功能的存储功能体(25)。在半导体存储元件(32)中，当施加电压到栅电极(3)时，从源区/漏区(13)之一流到源区/漏区(13)中另一个的电流量随着保持在存储功能体(25)中的电荷量变化。
半导体器件及其制造方法便携式电子设备集成路卡

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