专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN202110751587.X在审
  • 薛晓娥;宿家鑫;田思聪;吴承坤;佟存柱;王立军;迪特尔·宾贝格 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2021-07-02 - 2021-10-15 - H01S5/10
  • 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法,其中的半导体激光器包括从下至上依次层叠的N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、激光器波导层、P型包层、P型盖层、绝缘层和P面电极,从P面电极向下刻蚀至P型包层形成两个光电调控沟道,两个光电调控沟道之间的区域形成中心波导区,两个光电调控沟道的外侧区域形成非注入区。本发明提供的半导体激光器通过光电调控沟道有效抑制高阶侧向模式,改变器件腔内的模式分布,同时光电调控沟道可以起到控制载流子注入的作用,削弱载流子侧向累积效应,改善远场稳定性,通过对载流子分布的调控及抑制FFB效应,改善光束质量。与传统脊型半导体激光器相比,具有光束质量好、远场受电流影响小、亮度高等优点。
  • 半导体激光器及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN201811593627.7有效
  • 佟存柱;宿家鑫;汪丽杰;舒世立;田思聪;张新;王立军 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2018-12-25 - 2020-09-08 - H01S5/22
  • 本发明公开了一种半导体激光器,在传输层背向衬底一侧表面的内脊区设置有剪裁损耗区,在剪裁损耗区设置有盲孔,该盲孔的底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于传输层中倏逝波长度。该盲孔可以通过影响倏逝波来影响半导体激光器中光线传输的光场特性。由于剪裁损耗区为与内脊区任一长边的距离小于内脊区宽边长度的25%,且与内脊区任一宽边的距离小于内脊区长边长度的20%的区域,使得盲孔可以有效的增加半导体激光器中高阶模式的损耗,提高激光的光束质量;同时由于不需要减小半导体激光器波导的宽度,使得半导体激光器具有较高的亮度。本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法,所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。
  • 一种半导体激光器及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN201910491498.9有效
  • 佟存柱;宿家鑫;汪丽杰;田思聪;舒世立;张新;王立军 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2019-06-06 - 2020-09-08 - H01S5/06
  • 本发明公开了一种半导体激光器,在脊型传输层的内脊区表面设置有光电调制阵列,该光电调制阵列包括电流调制阵列和光线调制阵列,电流调制阵列包括多个具有预设厚度的导电单元。上述形貌的导电单元可以使覆盖导电单元的第一电极与脊型传输层接触的表面具有凹凸不平的结构,使得注入电极存在高度差,从而控制FFB效应。而光线调制阵列包括位于盖层表面的盲孔,该盲孔底面与第二包层朝向衬底一侧表面的距离小于脊型传输层中倏逝波长度,使得盲孔可以阻碍激光器两侧高阶模式的传输,从而提高了半导体激光器在大电流注入下的光束质量。本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法,所制得的半导体激光器同样具有上述有益效果。
  • 一种半导体激光器及其制备方法

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