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[发明专利]一种无中间相的高硬度TiB2-CN201910604867.0有效
发明人：胡美华;毕宁;刘明明;李尚升;宿太超;胡强 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种无中间相的高硬度TiB2‑B4C陶瓷复合材料的高压制备方法及其应用，所述制备方法包括如下步骤：将纯度为99％的TiC和纯度为99.9％的B粉，按照摩尔比为1：6的比例进行配料；以无水乙醇为液体混合介质，在行星球磨机上将配料混合球磨4小时，得到混合均匀的混合物；混合物进行真空干燥处理，得到干燥的混合粉末；混合粉末倒入合金模具进行预压成型，得到一定尺寸的圆柱块体；预压成型的圆柱形混合料组装于叶蜡石合成块内；组装后的叶蜡石合成块进行干燥处理；干燥的叶蜡石合成块置于国产六面顶高压设备内进行高压原位反应制备TiB2‑B4C陶瓷复合材料。本发明具有工艺过程简单、制备时间短、样品纯度高、致密性好等优点，可广泛用于特种陶瓷的制备。
一种中间硬度 tib base sub

[发明专利]一种快速制备CuFeSe2-CN201811630771.3有效
发明人：秦丙克;籍永华;白志玲;宿太超;朱红玉;张金柱 -专利权人：六盘水师范学院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：一种快速制备CuFeSe2的方法，按化学式CuFeSe2的化学计量比，取Fe粉和Se粉在惰性气体保护下均匀混合，然后粉压成型，经烧结模具组装后在真空炉内460～540℃温度范围烧结并保温，在保温30～180min之后，随炉冷却至室温后取出样品。与现有技术相比，本发明采用真空高温烧结的方法，即可快速制备出单相的CuFeSe2热电材料，样品均匀分布微孔。
一种快速制备 cufese base sub

[发明专利]一种常压快速制备FeTe2-CN201811630750.1有效
发明人：秦丙克;籍永华;朱红玉;白志玲;宿太超;张金柱 -专利权人：六盘水师范学院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：一种常压快速制备FeTe2的方法，按化学式FeTe2的化学计量比，取Fe粉和Te粉在惰性气体保护下均匀混合，然后粉压成型，经烧结模具组装后在真空炉内803～923K温度下常压烧结并保温，在保温1～180min之后，随炉冷却至室温后取出样品。与现有技术相比，本发明无需高压，在常压条件下采用真空高温烧结的方法，即可快速制备出单相的FeTe2热电材料，样品均匀分布微孔，样品内部晶体结构成空间立体网状。
一种常压快速制备 fete base sub

[发明专利]一种无色宝石级金刚石大单晶合成用装置-CN201910670140.2有效
发明人：李尚升;尤悦;胡美华;宿太超;胡强;聂媛 -专利权人：河南飞孟金刚石工业有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种无色宝石级金刚石大单晶合成用装置，包括：合金发热管、绝缘耐火壁、腔体；其中，按照从外到内的顺序依次设置合金发热管、绝缘耐火壁、腔体。按照从上到下的顺序，腔体依次包括石墨层、第一触媒层与第二触媒层、晶种。石墨层为内部中空、底端开口的圆柱状结构，中空部分呈圆T型形状，且开口向下；第一触媒层也为圆T型形状，且第一触媒层充满石墨层的圆T型中空部分；石墨层与第一触媒层下面为圆柱状第二触媒层；第二触媒层底端中心处有晶种。本发明所述一种无色宝石级金刚石大单晶合成用装置具有生长速度较快、有利于排杂、无色金刚石大单晶合成质量与产量均比较高等特点，可广泛应用于金刚石合成领域。
一种无色宝石金刚石大单晶合成装置

[发明专利]一种用于无色宝石级金刚石生长的冷压金属触媒的制备方法-CN201811250605.0有效
发明人：胡美华;毕宁;李尚升;宿太超;胡强 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：本发明公布一种用于无色宝石级金刚石生长的冷压金属触媒的制备方法。本发明的的金属触媒的制备方法包含两个部分：第一，按质量比均匀混合的金属粉装填入粉末成型模具，模具在～10‑1Pa条件下抽真空处理，真空处理的装填有混合金属粉的模具至于100～200MPa的四柱液压机内冷压成型，脱模，得到一定高度的混合金属的圆柱体。该方法的特点是无需高温合金化或热压烧结，不受金属熔炼或者烧结设备的限制；第二，均匀混合的金属触媒的成分为CoxFe95‑xAl5(x＝20～40)，Co占合金的总质量比例在20～40wt.％之间可调。使用该方法制备的金属触媒，采用高温高压下的金刚石生长的温度梯度法，可生长优质无色宝石级金刚石晶体，生长的金刚石晶体的颜色达到F级及以上，净度在VS级及以上。
一种用于无色宝石金刚石生长金属触媒制备方法

[发明专利]一种立方结构CoSbS热电化合物的制备方法-CN201910057458.3有效
发明人：朱红玉;宿太超;胡强;胡美华;李尚升;贺春元;杜保立;杨曼曼;杜景阳 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种立方结构CoSbS热电化合物的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1)将原料置于球磨罐中，所述原料包括按一定摩尔比混合的Co粉、Sb粉和S粉；步骤2)湿法球磨；步骤3)对经湿磨后的产物进行干燥处理，得到干燥粉末前驱物；步骤4)对所得到的粉末前驱物压制成块体；步骤5)将压制成的块体进行高压合成，得到立方结构CoSbS化合物，其中，在所述步骤(5)中高压合成是在高温高压装置上进行的，合成过程包括将块体样品包裹氮化硼绝缘管，装入叶腊石合成块中，进行高压合成，采用的合成压力为大于2GPa。本发明的方法可以有效获得立方结构的CoSbS热电化合物，工艺简单周期短。
一种立方结构 cosbs 热电化合物制备方法

[发明专利]一种固相反应法快速制备CoSb3-CN201811629220.5有效
发明人：秦丙克;籍永华;朱红玉;白志玲;宿太超;张金柱 -专利权人：六盘水师范学院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B22F3/23 文献下载
摘要：一种固相反应法快速制备CoSb3的方法，按化学式CoSb3的化学计量比取Co粉、Sb粉，在球磨罐中真空球磨混料，之后取出粉压成型，经烧结模具组装后在真空炉内内烧结，并保温1～180min之后，随炉冷却至室温后即得。与现有技术相比，本发明在723～923K的温度范围内，采用真空球磨混料结合高温固相反应法，可以制备出单相的方钴矿型热电材料，实验得到的单相方钴矿样品均匀分布微米级的孔洞，微孔直径10μm左右，样品内部晶粒结构细小，晶粒直径位于微纳米级。
一种相反快速制备 cosb base sub

[发明专利]一种SnTe纳米复合材料及其制备方法和应用-CN201711059730.9有效
发明人：李洪涛;郅惠博;王彪;赵永胜;杨曼曼;宿太超 -专利权人：上海海关工业品与原材料检测技术中心
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供一种SnTe纳米复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：1)将按一定摩尔比混合的Ge、Sn及Te粉原料置于密闭容器中；2)向密闭容器中注入无水乙醇并进行去氧和/或保护处理，然后将密闭容器固定在球磨机上，进行球磨；3)对球磨后的产物进行干燥处理，得到干燥粉末；4)对所得到的干燥粉末压制成块体；5)将压制成的块体进行加压烧结，得到致密SnTe纳米复合材料。本发明的制备方法成本低廉、制备周期短、工艺简单、合成温度低、节约能源、适合大规模工业生产，并且制备得到的块体纳米复合材料致密度高，热导率低。
一种 snte 纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高硬度聚晶金刚石烧结设备及相应烧结方法-CN201710735347.4有效
发明人：胡强;吴静;李尚升;宿太超;胡美华;王健康;于昆鹏;韩飞 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高硬度聚晶金刚石烧结设备及相应烧结方法，所述高硬度聚晶金刚石烧结设备包括六面顶压机、高硬度聚晶金刚石烧结组件以及直流电源，所述高硬度聚晶金刚石烧结组件包括：加热管、绝缘管、熔渗腔、金属粘结剂、金刚石粉。本发明得到的金刚石聚晶维氏硬度值在9.8N载荷下为106GPa，比同载荷下国内传统金刚石聚晶的维氏硬度高51％；4.9N载荷下为150GPa，高于人工合成的金刚石单晶(100)面的维氏硬度(90GPa)。
一种硬度金刚石烧结设备相应方法

[发明专利]一种高温固相反应法制备FeSb2的方法-CN201811630784.0有效
发明人：秦丙克;籍永华;白志玲;宿太超;朱红玉;张金柱 -专利权人：六盘水师范学院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：一种高温固相反应法制备FeSb2的方法，其特征在于，按化学式FeSb2的化学计量比取Fe粉和Sb粉，在球磨罐中真空球磨混料，之后取出粉压成型，采用烧结模具组装后，在真空气氛炉内固相反应烧结。本发明在773～923K的温度范围内，利用高温固相反应法考察了FeSb2的制备规律。制备出的样品进行了XRD和SEM分析，并对样品的电阻率和Seebeck系数进行了测试分析，结果表明：在温度610℃保温3h的制备条件下，可以合成单相的多晶体化合物FeSb2。制备出的样品内部存在不均匀的微米级孔洞。样品在测试温度为923.15K时获得最大的Seebeck系数36.34μV/k，并在此条件下获得最大功率因子185.89μW/(m·k2)。
一种高温相反法制 fesb2 方法

[发明专利]立方氮化硼颗粒增强铝基复合材料-CN201810109893.1有效
发明人：胡美华;毕宁;李尚升;宿太超;胡强 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种立方氮化硼颗粒增强铝基复合材料。本发明的立方氮化硼颗粒增强铝基复合材料中，立方氮化硼的体积分数在1～40％之间可调。本发明的立方氮化硼颗粒增强的铝基复合材料制备时间短、工艺简单，生产成本低。采用本发明的块体铝基复合材料致密度高、洁净纯、具有较高的硬度。与现有技术相比，本发明的立方氮化硼颗粒增强铝基复合材料，采用高压条件，氮化硼颗粒的体积分数在1～40％之间变化；复合材料的相对密度在96.33～98.51％，布氏硬度在31.65～90.24HB，热导率在181.5～198.5W·m
立方氮化硼颗粒增强铝基复合材料铝基复合材料体积分数第三相复合材料制备化学反应氮化硼颗粒立方氮化硼生产成本低布氏硬度传统方式高压条件复合材料烧结热导率可调块体热压无压制备洁净

[发明专利]一种快速合成大体积高导电多孔金刚石电极的方法-CN201710735864.1有效
发明人：胡强;李尚升;宿太超;胡美华;吴静;王健康;于昆鹏;韩飞 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速合成大体积高导电多孔金刚石电极的方法，所述方法包括：在高温高压条件下，在石墨加热管中利用特定比例的金刚石为原料结合金属粘接剂来进行大体积高导电多孔金刚石电极的合成。本发明与现有技术相比，较不含硼的金刚石，由于硼的作用使含硼金刚石表面溶解和沉积金刚石都变得困难，但是微量石墨和细粒度金刚石颗粒的加入为原本不容易成键的含硼金刚石颗粒的成键带来了意想不到的促进作用，保证了材料的快速合成(10min缩短为3min)；合成时间(3min)合成材料厚度达到5～7mm，与CVD法(几十个小时以上合成1mm左右)相比大大缩短了合成时间。
一种快速合成体积导电多孔金刚石电极方法

[发明专利]一种热电化合物快速制备方法-CN201610309491.7有效
发明人：朱红玉;宿太超;李尚升;胡强;胡美华;樊浩天 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热电化合物快速制备方法，所述制备方法包括如下步骤：1)配料步骤、2)湿法球磨步骤、3)干燥步骤、4)压制步骤和5)合成步骤。本发明的制备方法省去了原有制备方法中的干磨步骤，仅通过湿磨进行材料的混合，通过控制压制过程中的温度和压力，就可以直接获得性能优异的热电化合物。本发明的方法制作成本低廉、制备周期短、工艺简单、节约能源、降低能耗、适合大规模工业生产。本发明的制备方法适用于PbSe、PbS等热电化合物的制备。采用本发明的制备方法所制备出的热电化合物的块体材料致密度高，电阻率和热导率低，具有较高的热电性能。
一种热电化合物快速制备方法

[发明专利]一种TeBi热电化合物-CN201710077547.5有效
发明人： 宿太超;朱红玉;李尚升;胡美华;胡强 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种TeBi热电化合物，所述TeBi热电化合物由Te单质和Bi单质通过高压烧结而制成，其中Te的摩尔百分比大于等于99.5％，Bi的摩尔百分比小于等于0.5％。本发明的TeBi热电化合物组分简单，最佳工作温度在500～600K，填补了热电化合物在此温度范围内的空白。并且，该TeBi热电化合物制备材料简单周期短，工艺简单，节约能源，适合大规模工业生产。本发明的TeBi热电化合物致密度高，电阻率和热导率低，因而具有较高的热电性能，其无量纲品质因子高达0.88(@600K)。
一种 tebi 热电化合物

[发明专利]一种基于Te单质的热电材料制备方法-CN201710077552.6有效
发明人： 宿太超;杨曼曼;朱红玉;胡美华;胡强;李尚升 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于Te单质的热电材料制备方法。所述制备方法包括如下步骤：1)将原料置于球磨罐中，所述原料包括按一定摩尔比混合的Te粉和掺杂元素粉末，原料包括99％以上的Te，以及Bi、Sb或Ag中的任意一种或几种的混合物；2)对球磨罐进行去氧和/或保护处理，并将经处理的球磨罐固定在球磨机上，以预定转速进行湿法球磨，持续预定时间段；3)对经湿磨后的产物进行干燥处理，得到干燥粉末；4)对所得到的干燥粉末进行研磨，并将经研磨后的粉末压制成块体；5)将压制成的块体进行高压烧结，得到Te基热电材料。本发明的方法工艺简单、周期短，适合大规模工业生产。基于单质进行生产，生产过程易控、成品率高。
一种基于 te 单质热电材料制备方法

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