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[发明专利]电容式传感器-CN201210162784.9无效
发明人：古久保英一;若林大介;宫岛久和;大渕正夫;青木亮 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01D5/241 文献下载
摘要：电容式传感器包括固定电极和通过梁部分由支座部分可动支撑的可动电极。固定电极和可动电极彼此相对，在其间夹有间隙，从而组成检测单元。检测适合间隙的尺寸的电容，以检测预定的物理值。连接到支座部分的梁部分的端部和连接到可动电极的梁部分的端部的至少之一设置有调节应力的应力调节单元。大板部分和小板部分相对于为扭转运动的中心的梁部分非对称形成，根据与小板部分相对的第一固定电极和与大板部分相对的第一固定电极相对于作为参考的对称轴的梁部分对称设置的状态考虑扭转中心的偏移量，与大板部分相对的第一固定电极在接近梁部分的方向，而与小板部分相对的第一固定电极在远离梁部分的方向。
电容传感器

[发明专利]电容式传感器-CN200780015491.5有效
发明人：古久保英一;若林大介;宫岛久和;大渕正夫;青木亮 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：电容式传感器(1)包括固定电极(6)和通过梁部分(4)由支座部分(3)可动支撑的可动电极(5)。固定电极(6)和可动电极(5)彼此相对，在其间夹有间隙，从而组成检测单元。检测适合间隙的尺寸的电容，以检测预定的物理值。连接到支座部分(3)的梁部分(4)的端部(4a)和连接到可动电极(5)的梁部分(4)的端部(4b)的至少之一设置有调节应力的应力调节单元(30)。
电容传感器

[发明专利]传感器装置及其制造方法-CN200680044187.9无效
发明人：奥户崇史;铃木裕二;竹川宜志;马场彻;后藤浩嗣;宫岛久和;片冈万士;西条隆司 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有小的传感器波动特性和优良抗电噪声特性的传感器装置。该传感器装置具有传感器单元，该传感器单元包括具有开口的框架、保持在开口中相对于框架可移动的可移动部和用于输出基于可移动部的位置移动的电信号的检测部。该传感器装置还具有封装基板，该基板由半导体材料形成并结合于该传感器单元的表面上。该封装基板在面对传感器单元的表面上具有电绝缘膜，并且该电绝缘膜的活化表面在室温下直接结合于传感器单元的活化表面上。因此，该封装基板结合于传感器单元上。
传感器装置及其制造方法

[发明专利]传感器装置及其制造方法-CN200680044182.6无效
发明人：奥户崇史;铃木裕二;竹川宜志;马场彻;后藤浩嗣;宫岛久和;片冈万士;西条隆司 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：提供了一种具有稳定传感器特性的紧凑型传感器装置及其制造方法。该传感器装置由传感器基板和接合到传感器基板的两个表面的一对封装基板形成。传感器基板具有带开口的框架、保持在开口中可相对于框架移动的移动部分、和用于根据移动部分的位移输出电信号的探测部分。通过使用惰性气体的原子束、离子束或等离子体在传感器基板的框架和封装基板上形成表面激活区域。通过在室温时在传感器基板的表面激活区域与每个封装基板之间形成直接接合，可避免由在接合部分的残余应力导致的问题。
传感器装置及其制造方法

[发明专利]电容传感器-CN200710091401.2有效
发明人：古久保英一;宫岛久和 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明披露了一种电容传感器，该电容传感器包括误差补偿单元，在作为边缘部分的固定电极的一部分和活动电极的一部分在检测单元错位的方向上彼此相对并保持一定间隙的布置中，误差补偿单元利用根据错位引起的间隙的变化的电容的变化，减小检测单元中由梳齿部分彼此错位产生的电容的检测误差。
电容传感器

[发明专利]半导体加速度传感器及其制备方法-CN200410061836.9无效
发明人：吉田仁;片冈万士;宫岛久和;赤井澄夫;若林大介;后藤浩嗣;森井诚 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：一种半导体加速度传感器包括：框架2，其内具有开口21；挠性横梁3，从框架2延伸到框架2的开口内；重物5，悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动；压电电阻器4，安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6，每个风挡部分6覆盖开口21的一部分，该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围，并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53，每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此，增加每个制动器的断裂强度，并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。
半导体加速度传感器及其制备方法

[发明专利]机械形变量检测传感器-CN03138275.4无效
发明人： 宫岛久和;荒川雅夫;薮田明;阪井淳 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明涉及机械形变量检测传感器。传感器构造体1由硅基片构成，通过对里面一侧的一部分进行各向异性刻蚀形成凹部3，备有矩形框状的支持部分1a、和占据支持部分1a的框内的薄的隔片2。玻璃制的台座4，其中设置用于将流体压力导入凹部3的压力导入孔5，与传感器构造体1的里面接合。在传感器构造体1的表面上在与隔片2两侧的周边部分的中央对应的位置上，为了跨在隔片2和支持部分1a的边界上而设置炭毫微管电阻元件61，62。与这些炭毫微管电阻元件61，62一起，将组成用于取出检测信号的电桥电路的用作基准的电阻元件63，64配置固定在支持部分1a的表面上。
机械形变检测传感器