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[发明专利]一种钙钛矿异质结叠层电池中底电池的制备方法-CN202310748784.5在审
发明人：宿世超;宫元波;胡海文;王伟;田宏波;李世岚;邹翔 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿异质结叠层电池中底电池的制备方法，具体包括以下步骤：将硅片正背面制绒，沉积硼掺杂硅薄膜层，抛光处理，清洗处理和镀膜。本发明通过采用化学气相沉积的方式在硅片的其中一面沉积一层硼掺杂硅薄膜层，添加了抛光添加剂的碱溶液将未沉积硼掺杂硅薄膜层的硅片金字塔绒面进行抛光处理，形成一面抛光一面制绒的硅片结构，大大的降低了的硅片单面抛光的制备成本，之后采用氢氟酸加氧化剂溶液对硅片进行清洗，以去除硼掺杂硅薄膜层，避免硼掺杂硅薄膜层由于具有非常高的缺陷密度而导致后续电池效率降低。
一种钙钛矿异质结叠层电池制备方法

[发明专利]异质结电池片及其电池组件-CN202310543184.5在审
发明人：魏欣海;田宏波;李世岚;王伟;宿世超;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种异质结电池片及其电池组件。其中包括若干个异质结电池单元，其正面和背面预留分布有电镀焊点，正面和背面上均间隔设有数量相同的铜栅线，异质结电池单元经切割后形成至少两块以上的电池切片，远离所述电镀焊点的电池切片的表面开设有对应的焊盘点；分段式焊带将电镀焊点和焊盘点通过导电胶膜黏接，本发明通过以用铜栅线代替银栅线，同时取消电池片正反两面的主栅线，可大幅度降低异质结电池的制造成本，提高了导电性能；利用切片技术和组件半片工艺，使得本发明不仅可以降低电池片的制作成本，同时提高电池片的受光面积，且铜丝的导电性优于银浆，进一步提高异质结电池组件的转换效率。
异质结电池及其组件

[发明专利]硅异质结太阳电池的制备方法-CN202211590881.8在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：对硅片进行制绒处理，并将完成制绒处理的硅片置于硝酸溶液中进行氧化；将完成氧化的硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，以对硅片背面的金字塔陷光结构进行抛光；抛光完成后，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，并在硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片的正背面均沉积一层透明导电薄膜，并在硅片背面的透明导电薄膜的表面沉积一层导电金属层；在导电金属层的表面沉积一层抗氧化保护层，而后在硅片正面的印刷栅线。本发明提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]晶硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202310070859.9在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提出一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法，该晶硅异质结太阳电池包括硅片；在所述硅片的正面依次层叠的本征非晶硅层、磷掺杂的n型非晶硅层、第一透明氧化层，所述第一透明氧化层包括依次层叠于所述磷掺杂的n型非晶硅层上的第一ITO子层、第二ITO子层以及第三ITO子层；在所述硅片的背面依次层叠的所述本征非晶硅层、硼掺杂的p型非晶硅层、第二透明氧化层、过渡层、金属导电层、抗氧化层以及焊接层，所述第二透明氧化层包括第四ITO子层、第五AZO子层以及第六ITO子层。本发明提出的硅基异质结太阳电池，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
晶硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅基异质结太阳电池的制备方法-CN202211590882.2在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，所述制备方法包括：将硅片进行制绒处理；将制绒好的硅片置于磷扩散炉内进行磷扩散吸杂，以形成磷扩散掺杂N+扩散层；将硅片背面的磷硅玻璃层去除；将背面去除磷硅玻璃层的硅片进行抛光，并去除硅片正面的磷硅玻璃层，裸露出N+扩散层；对硅片进行清洗，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片正背面各沉积一层透明导电层，接着在硅片正背面印刷导电浆料栅线，并对导电浆料栅线进行固化。本发明提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够解决传统异质结太阳电池的制备工艺中存在的发电效率较低的问题。
硅基异质结太阳电池制备方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备方法-CN202211554339.7在审
发明人：周子超;叶圣桥;宿世超;李世岚;田宏波;王伟;宫元波;谢明;刘军;李剑;范晓波;吴莉娟;孙林 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司;国家电投集团江西电力有限公司新昌发电分公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池的制备方法，具体包括：选用正背面已沉积透明导电薄膜层的太阳能电池片；在PVD或RDP载板夹具上放置mask图形模板，其中mask图形模板上切割或者刻蚀有若干闭合实线区域，通过PVD或RPD等方法在沉积透明导电薄膜层后的N型晶硅衬底的背面依次沉积高导电层和抗氧化保护层栅线，高导电层采用铜金属；所述抗氧化保护层为锡、银、铝、钛、铬、镍等金属及其合金或导电的氧化物和氮化物；在背面已沉积抗氧化保护层的N型晶硅衬底的背面再沉积第二层透明导电薄膜层，本发明通过增加第二层透明导电薄膜层，增加了高导电层与第二层透明导电薄膜层之间的接触面积，从而增加了结合力，避免脱栅的情况发生。
一种异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202211530546.9在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，包括N型单晶硅片受光面叠设第一N+扩散层、本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶氧化硅层、第三N型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；背光面叠设第二N+扩散层、本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；受光面设置第一N+扩散层，能提供额外的场钝化效果提升少数载流子寿命，背光面引入第二N+层扩散与P型非晶硅层形成更强的PN结内建电场，提高电池转化效率，双面沉积多层非晶硅层，保留高钝化效果，提高电池的光生电流，降低光生载流子传输时的电阻损失。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]叠层太阳电池-CN202123110417.8有效
发明人：高翔;王彩霞;墙子跃;吴瑶;赵晓霞;宫元波;刘雨奇;田宏波;王伟;宗军;范霁红 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叠层太阳电池，所述叠层太阳电池包括隧穿层、设置于所述隧穿层上表面的钙钛矿电池和设置于所述隧穿层下表面的晶硅电池，所述钙钛矿电池上设有透光孔，所述透光孔为超快激光法加工制备的盲孔，所述透光孔沿所述钙钛矿电池厚度方向由所述钙钛矿电池的上表面延伸至所述钙钛矿电池的空穴传输层。本实用新型实施例的叠层太阳电池，采用超快激光法在钙钛矿电池上开设透光孔，实现了全光谱的透过，从而补偿底电池的电流来保证顶电池和底电池的电流匹配。
太阳电池

[发明专利]一种叠层TCO薄膜、硅异质结电池及其制备方法-CN202111432647.8在审
发明人： 宫元波;赵晓霞;田宏波;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层TCO薄膜，依次包括第一TCO薄膜层、第二TCO薄膜层和第三TCO薄膜层，其中，所述第一TCO薄膜层和第三TCO薄膜层为ITO薄膜层，第二TCO薄膜层为IWO或ICO薄膜层。本发明的叠层TCO薄膜，采用三叠层膜结构，近非晶硅与近金属电极端的TCO薄膜利用了不同ITO薄膜与非晶硅及金属电极能够形成良好接触的优势，中间主体TCO层利用了IWO或ICO薄膜低载流子浓度高载流子迁移率的优势，将该叠层TCO薄膜作为硅异质结电池的透明导电层，有利于降低电池电学和光学损失，提高电池短路电流密度和填充因子。
一种 tco 薄膜硅异质结电池及其制备方法

[发明专利]具有分区差异化TCO薄膜的硅异质结太阳电池-CN202111062515.0在审
发明人：赵晓霞;王伟;田宏波;王雪松;宫元波;王彩霞;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种具有分区差异化TCO薄膜的硅异质结太阳电池，包括硅异质结主体、第一TCO层、第二TCO层和栅线，第一TCO层设在硅异质结主体的上表面，第二TCO层设在硅异质结主体的下表面，栅线分别设在第一TCO层的上表面和第二TCO层的下表面，第一TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜，栅线与低阻TCO薄膜相对设置；和/或，第二TCO层包括相连的高透TCO薄膜和低阻TCO薄膜，栅线与低阻TCO薄膜相对设置。本发明有利于电池获得高的短路电流密度，还有利于提高填充因子，在不同区域弱化光学性能与电学性能的关联性，拓宽工艺窗口，进一步提高电池性能。
具有分区异化 tco 薄膜硅异质结太阳电池

[发明专利]硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法-CN202110887924.8在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;王雪松;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳电池中TCO薄膜和Cu种子层的制备方法，包括：a、在PVD设备内对形成有非晶硅薄膜的硅异质结电池正背表面进行TCO1薄膜沉积；b、将所述沉积TCO1薄膜后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行铜种子层沉积；c、将所述沉积铜种子层后的硅异质结电池在所述PVD设备内进行TCO2薄膜沉积。本发明的方法通过PVD技术形成TCO1/铜种子层/TCO2结构，并且采用真空退火处理，沉积形成的TCO2薄膜保证了真空退火无论在PVD腔室内或者设备外均可进行，有效改善了TCO薄膜与铜的界面质量，从而提高了电池性能。
硅异质结太阳电池 tco 薄膜 cu 种子制备方法

[发明专利]用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法-CN201911350645.7在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;宗军;田宏波;周永谋;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对设置的表面上的非晶硅薄膜；在第一特定环境中，在非晶硅薄膜的表面上沉积形成第一ITO薄膜，第一特定环境中包括水汽。由此，非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面以及第一ITO薄膜内部形成大量的氢原子，氢原子的还原能力能够阻止非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面形成氧化硅，进而提高非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面质量和界面性能，提高界面之间的载流子的输运。
用于硅异质结太阳电池 ito 薄膜制备方法

[发明专利]用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法-CN201911316635.1在审
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;周永谋;田宏波;李洋;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法。该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。
用于硅异质结电池 ito 薄膜制备方法

[实用新型]硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜-CN201922326551.8有效
发明人：王伟;赵晓霞;宫元波;田宏波;宗军;周永谋;李洋;杨文魁 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。
硅异质结太阳电池透明导电氧化物薄膜

[发明专利]硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法-CN201910807485.8在审
发明人：王伟;田宏波;赵晓霞;周永谋;宫元波;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，所述基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜；在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜；在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜；沉积导电ITO薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。由此，上述方法可以制备性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜。
衬底晶硅硅异质结太阳电池缓冲基底溅射沉积导电沉积制备非晶硅薄膜制备性能

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