“宗安慧”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]负热膨胀材料及其制造方法-CN202080002709.9有效
发明人：山崎芳树;宗安慧;三上充 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2020-01-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01B33/24 文献下载
摘要：一种负热膨胀材料，其特征在于，所述负热膨胀材料包含MxSryBazZn2Si2O7(其中，M为Na、Ca中的任意一种以上，x+y+z＝1，0＜x≤0.5，0.3＜z＜1.0)，并且表现出负膨胀特性的斜方晶结构的主晶相的XRD峰强度INTE与背景强度IBG满足INTE/IBG＞15的关系。本发明的课题在于提供低比重的负热膨胀材料，还提供Ba量少的负热膨胀材料。
热膨胀材料及其制造方法

[发明专利]氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜-CN202111358250.9在审
发明人： 宗安慧;奈良淳史 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。本发明的目的在于提供一种能够形成功函数高的膜的氧化物溅射靶。
氧化物溅射及其制造方法以及薄膜

[发明专利]氧化物溅射靶及其制造方法、以及使用该氧化物溅射靶形成的氧化物薄膜-CN201980004774.2有效
发明人：奈良淳史;宗安慧 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。
氧化物溅射及其制造方法以及使用形成薄膜

[发明专利]Cu-W-O溅射靶和氧化物薄膜-CN202110422866.1在审
发明人： 宗安慧;长田幸三;奈良淳史 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及Cu‑W‑O溅射靶和氧化物薄膜。一种Cu‑W‑O溅射靶，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的溅射靶，其中，所述Cu‑W‑O溅射靶的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。一种氧化物薄膜，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的薄膜，其中，W和Cu的含有比率以原子比计满足0.5≤W/(Cu+W)＜1。本发明的课题在于，提供一种能够形成功函数高的膜并且体积电阻率低的溅射靶。
cu 溅射氧化物薄膜

[发明专利]氧化物薄膜和用于制造该薄膜的溅射靶用氧化物烧结体-CN201980002388.X有效
发明人：奈良淳史;宗安慧 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种氧化物薄膜，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.0。另外，一种氧化物烧结体，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.1，MoO2相的归属于(‑111)面的XRD峰强度IMoO2与背景强度IBG的关系满足IMoO2/IBG＞3。本发明的课题在于提供一种氧化物薄膜以及适合于该薄膜的形成的溅射靶用氧化物烧结体，所述氧化物薄膜具有以下优异的特性：反射率和透射率低、具有优异的光吸收能力、而且可溶于蚀刻液中、容易加工，另一方面，耐候性高、不易发生经时变化。
氧化物薄膜用于制造溅射烧结