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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]保存植物叶的处理方法-CN02141092.5无效
发明人： 安藤敏夫;上田善弘;关山正 -专利权人：日建兰塔康姆株式会社
申请日： 2002-07-16 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： A01N3/00 文献下载
摘要：为装饰目的，现有的使切花在长时间内类似于天然花外观的处理方法包括的步骤有除去玫瑰等切花的组织水，使聚乙二醇渗透至曾经被组织水充满的组织中，然后染色。将切花与叶包装在一起作为商品出售。然而，通常叶比花瓣厚，并且其叶脉具有栅栏作用。因此，存在的问题是难以很好地溶出水和叶绿素，在外观上导致染色的不规则。解决上述问题的本发明是保存植物叶的处理方法，其中将植物叶浸泡到脱水溶剂中，使该脱水溶剂代替叶中的组织水，然后将其浸泡到含有聚乙二醇和丙酮的渗透用溶液中，使聚乙二醇渗透以取代脱水溶剂，然后用着色物质染色，其特征在于所述脱水剂为由丙酮和乙醇组成的混合物。
保存植物处理方法

[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法-CN01132856.8无效
发明人：佐藤英纪;林良之;安藤敏夫 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 2001-07-31 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过在具有高图形密度区和低图形密度区的半导体晶片的主表面上淀积均匀厚度的氮化硅膜来制造半导体集成电路器件的方法。它是这样实现的用单晶片冷壁热CVD反应器在具有高栅极图形密度区和低栅极图形密度区的衬底上淀积氮化硅膜时,设定氨(NH3)与单硅烷(SiH4)的流速比,使其与在平的衬底上淀积氮化硅膜时的流速比相比更大。
半导体集成电路器件制造方法

[其他]抛光装置-CN85102892无效
发明人： 安藤敏夫 -专利权人：株式会社名南制作所
申请日： 1985-04-15 - 公布日： 1987-01-21 - 主分类号： B24B21/00 文献下载
摘要：在一台抛光装置中，一条抛光带紧压住要抛光的工件的工作位置。这种抛光装置包括从上述抛光带的一部份，清洗液对着运行的抛光带，通过液体的压力除去附在抛光带的磨粒粉末；一个吸取清洗液的工具放置在与清洗液喷射工具相反的位置以使它适合吸取和回收使用过的清洗液，该清洗液是从液体喷射工具喷射到抛光带上。
抛光装置

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