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[发明专利]一种TAGG磁光晶体的生长方法-CN202310748768.6在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种TAGG磁光晶体的生长方法，包括以下步骤：选用原料为纯度高于99.99％的Gd2O3、Tb4O7和Al2O3按照比例进行配制并进行研磨；采用等静压法在200MPa下进行压制，得到紧密的片状混合料；将片状混合料置于烧结炉内以进行烧结得到多晶原料；将多晶原料置于铱金坩埚内，然后将铱金坩埚置于生长炉进行加热，同时通入生长气氛，然后进行下拉使其进行生长；生长结束之后将晶体由生长炉内的铱金坩埚内拉脱，然后将其置于过渡炉内以50℃/h的速率进行降温，减少了晶体后续的加工步骤，降低了后续的加工难度和加工成本，同时，采用下拉的方式极大的降低了生长周期，同时节省了原料的用量，降低了生长成本。
一种 tagg 晶体生长方法

[发明专利]一种坩埚下降法生长的氧化镓晶体-CN202310899807.2在审
发明人：罗毅;龚瑞;朱毅 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚下降法生长的氧化镓晶体，属于氧化镓晶体技术领域，将氧化镓粉末压制、烧结得到生长原料，装入铂铑合金坩埚中升温除水，抽真空后充入氧气维持生长炉内压力为1.5‑1.6MPa，在1810‑1820℃保温2‑3h，使生长炉内压力为1.1‑1.15MPa，在1770‑1780℃下进行晶体生长，得到晶体；将晶体在950‑1050℃的条件下退火1.5‑2h，降温至300‑350℃后自然冷却，得到坩埚下降法生长的氧化镓晶体；氧气流通过程中对铂铑合金坩埚外围的热量进行协调，有助于降低温差引起的应力收缩，便于维持铂铑合金坩埚的力学性能，同时可以避免熔体过冷，从而避免氧化镓晶体出现裂纹。
一种坩埚下降生长氧化晶体

[发明专利]一种TGGG磁光晶体的生长方法-CN202310748773.7在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种TGGG磁光晶体的生长方法，包括以下步骤：称取Gd2O3、Tb4O7和Ga2O3原料，加热烧结得到多晶料，对加热烧结得到多晶料进行球磨处理，得到多晶粉料混料，将多晶粉料混料置于离心机内，然后对多晶粉料混料进行筛选，将离心筛选之后的多晶粉料置于坩埚内，再将盛有多晶粉料的坩埚放入晶体生长炉内，使得坩埚内的多晶粉料熔化，将熔化之后的多晶粉料置于晶体生长炉之内进行引晶，得到单晶材料，对生长完成的单晶材料进行降温处理，得到TGGG磁光晶体，有效的保证了TGGG磁光晶体生长的稳定性，有效的提升了成品率和合格率。
一种 tggg 晶体生长方法

[发明专利]铌酸锂晶体多角度抛光处理装置-CN202310758975.X在审
发明人：罗毅;龚瑞;叶正铭 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了铌酸锂晶体多角度抛光处理装置，包括机座，在机座上固定设置有支撑机体且位于支撑机体的一侧转动设置支撑座，并在支撑座的侧面呈环形阵列设置若干外固定块用于夹持铌酸锂晶体，另外，在机座上位于支撑座的一侧对称滑动设置立架，并在两个立架之间转动设置悬架，再在悬架上滑动设置抛光组件，用来对铌酸锂晶体进行抛光处理，抛光组件滑动设置在悬架上且悬架呈半圆形，同时悬架为转动设置，所以抛光组件所能抛光的面呈一个球形，有效地满足了铌酸锂晶体多角度抛光的要求。
铌酸锂晶体角度抛光处理装置

[实用新型]隔离度测试用隔离器内芯距离微调控制结构-CN202321308480.9有效
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了隔离度测试用隔离器内芯距离微调控制结构，包括底板，底板的顶部固定设置有若干固定座，固定座的顶部设置有连接杆，最外侧的连接杆设置有激光器；与激光器相邻的连接杆上设置有可变光阑，可变光阑远离激光器一侧设置有起偏器，起偏器远离可变光阑一侧设置有载物台，载物台周围设置有电磁场；载物台远离起偏器的一侧设置有检偏器，检偏器远离载物台的一侧设置有探测接头；通过设置了载物台与检偏器，载物台附近的电磁场与晶体配合，使载物台上的晶体与与磁场的旋转角度为45度，方便为后续的测量最大光强和最小光强；起偏器与检偏器自身能够进行相对转动，从而使能够在检测隔离度的过程中对自身进行微调控制。
隔离测试隔离器距离微调控制结构

[发明专利]一种掺铁钽酸锂晶片的抛光工艺-CN202111546555.2在审
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺铁钽酸锂晶片的抛光工艺，属于晶片加工技术领域。该抛光工艺包括水平机械打磨、水平机械抛光和化学机械抛光，本发明采用组合抛光工艺，对于粗糙度小于1nm的晶片，抛光时间缩短至1.45h，相较于传统的抛光工艺抛光时间缩短20.9％。此外，本发明还公开一种复合抛光液，将市售的不规则碳酸铈在羧甲基纤维素钠溶液体系重新配置，得到的氧化铈晶型呈类球状，晶体粒度一致性高，对晶片的研磨更加均匀，同时以乙基纤维素为膜材将氟化胺包覆在修形氧化铈的表面，氟化胺以磨粒为载体对晶片均匀腐蚀，配合低面压高转速抛光，使得表面粗糙度易于达到1nm，不仅大大提高了晶片的抛光效率，同时也为更高精度抛光提供思路。
一种掺铁钽酸锂晶片抛光工艺

[发明专利]一种用于TGG晶片检测的光学检测系统-CN202210388738.4有效
发明人：罗毅;龚瑞;吴行宝;王丽 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TGG晶片检测的光学检测系统，属于TGG晶片检测技术领域，包括晶片光性库、规划模块、检测模块和服务器；所述晶片光性库用于进行TGG晶片的光学特性数据储存；所述规划模块用于进行TGG晶片的光学检测规划，设置TGG晶片检测方案，获取TGG晶片检测区，并根据获得的TGG晶片检测方案在TGG晶片检测区布设相应的检测设备；所述检测模块用于进行TGG晶片的光学检测，通过设置规划模块，为企业设置TGG晶片检测方案，根据设置的TGG晶片检测方案进行检测设备的布设和后续TGG晶片的检测，实现TGG晶片的自动化和智能化检测，大大提高TGG晶片的检测效率。
一种用于 tgg 晶片检测光学系统

[发明专利]一种大尺寸铌酸锂晶片及其加工方法-CN202210488874.0有效
发明人：罗毅;龚瑞;许伙长 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸铌酸锂晶片的加工方法，包括以下步骤:步骤1：通过制备富锂多晶料、熔化、提拉生长工艺，得到大尺寸铌酸锂晶体；步骤2：将切割后的大尺寸铌酸锂晶片研磨，双面减薄，得到表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片；然后，置于抛光装置中进行处理，得到大尺寸铌酸锂晶片，本发明通过制备富锂多晶料、熔化、提拉生长、研磨，双面减薄和抛光等工艺制备得到大尺寸铌酸锂晶片；该大尺寸铌酸锂晶片的加工方法具有工艺简单，一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的铌酸锂晶片表面平坦度高。
一种尺寸铌酸锂晶片及其加工方法

[发明专利]一种铽镓石榴石晶体及其生长方法-CN202111671316.X有效
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种铽镓石榴石晶体及其生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明铽镓石榴石晶体的生长方法，包括以下步骤:(1)将氧化铽和氧化镓干燥后混料得到混合料；(2)将混合料压块后置于高温炉烧结得到多晶原料；(3)将多晶原料置于铱坩埚中在温场中心熔融得到熔融液，将籽晶下入熔融液液面下进行晶体生长，得到铽镓石榴石晶体。本发明将混合料置于高温炉中依次进行四次烧结，充分对混合料进行多晶合成，减少后续晶体生长过程中的氧化镓的挥发，在晶体生长过程中控制温场梯度，确保晶体生长过程中不会发生扭曲现象，有效避免晶体生长螺旋的情况发生，得到一种大尺寸铽镓石榴石晶体。
一种石榴石晶体及其生长方法

[发明专利]一种TSAG晶体及其生长方法-CN202211369226.X在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种TSAG晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述TSAG晶体由TSAG粉体经提拉法制备而成，制备过程中，控制升温速率、晶体转速和提拉速度，同时，晶体旋转设置为顺时针，然后经过缩颈、放肩、等径、收尾脱离操作，制备的TSAG晶体的宏观质量良好，完整无开裂，无包裹物，无宏观缺陷和散射光路，生长过程中选择了合适的转速和提拉速度，同时TSAG晶体旋转设置为顺时针，充分保证了TSAG晶体的均匀生长，TSAG晶体冷却后进行1500℃高温空气退火，使得TSAG晶体内部应力得到充分释放，最终制得的TSAG晶体在280‑1550nm波段范围内透过率达到81.5％。
一种 tsag 晶体及其生长方法

[发明专利]一种Ce掺杂的GAGG晶体及其生长方法-CN202211363618.5在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ce掺杂的GAGG晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述Ce掺杂的GAGG晶体包括粉体制备和晶体生长过程，粉体制备中，通过将原料按照化学计量式CexGd(3‑x)AlyGa(5‑y)O12进行配料后，在酸性溶液中搅拌混合，再加入沉淀剂和分散剂，经陈化、离心、抽滤、洗涤、干燥、研磨和煅烧，得粉体，粉体经过中频感应加热，通过控制升温速率、温度和提拉速率、转速等参数，再经缩颈、放肩、等径、收尾、脱离和降温操作后，得Ce掺杂的GAGG晶体。本发明制备的Ce掺杂的GAGG晶体的宏观质量良好，完整无开裂，并且，Ce掺杂的GAGG晶体在280‑800nm波段范围内透过率达84.2％。
一种 ce 掺杂 gagg 晶体及其生长方法

[发明专利]一种晶体生长用智能控制系统-CN202211358023.0在审
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长用智能控制系统，涉及晶体生长技术领域，解决了现有技术无法对晶体生长过程进行精确控制，影响晶体生长质量和效率的技术问题；本发明中的中枢控制模块与数据采集模块和生长控制模块相连接；数据采集模块与若干类型数据传感器相连接，生长控制模块与晶体生长设备相连接；本发明获取晶体生长整个过程的视频数据，基于视频数据构建或者及时更新晶体生长模型；将晶体生长模型与构建的标准晶体模型进行比较，根据二者差异确定控制参数，通过生长控制模块对晶体生长设备进行控制；本发明通过晶体生长模型来实现监控，降低了成本和劳动强度；通过与标准晶体模型进行比较来确定晶体生长设备的调整幅度，实现高精度的自动化调节。
一种晶体生长智能控制系统

[发明专利]一种YIG微波滤波晶体及其生长方法-CN202211240869.4在审
发明人：罗毅;龚瑞;叶正铭;许伙长 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种YIG微波滤波晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，包括以下步骤：根据晶体分子式Y3‑xBiXFe5(1‑y)O12，将称量好的原料和无水乙醇混合，球磨，得到一次球磨料；将一次球磨料预烧结，得到YIG预烧料；将YIG预烧料、无水乙醇和助剂，球磨，烘干，得到YIG前驱体粉料；向YIG前驱体粉料中加入聚乙烯醇水溶液，造粒，成型，得到素坯样品；将素坯样品烧结，得到YIG微波滤波晶体，本发明采用固相反应法，以氧化铋作为取代物，使用Bi离子取代YIG铁氧体中十二面体次晶铬中心位置的Y离子，加入助剂使个原料之间混合均匀，得到的晶体具有较低的介电常数和铁磁共振线宽，适用于微波滤饼器中。
一种 yig 微波滤波晶体及其生长方法

[发明专利]一种GGG磁制冷晶体及其生长方法-CN202211200539.2在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种GGG磁制冷晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，第一步、溶解：得到离子混合溶液；第二步、沉淀：向离子混合溶液中加入添加剂，控制温度为20℃，加入饱和碳酸氢铵水溶液，至不再产生气体为止，将反应体系过滤，得到沉淀；第三步、烧结：将得到的沉淀加热，采用阶梯式缓慢增温，温度增加至1400℃采用搅拌桨进行搅拌，保持2h，得到多晶；第四步、提拉生长：长出单晶体。本发明中在进行提拉反应之前通过沉淀法制备多晶原料，然后再进行提拉生长，减少Ga203的挥发问题，提高单晶的光学质量；相对于单一液相共沉淀法和固相反应法，更易于控制产品质量，工序更加简单。
一种 ggg 制冷晶体及其生长方法

[发明专利]一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用-CN202211358000.X在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B13/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用，包括以下步骤：步骤一：采用液相外延法制备铋掺钇铁石榴石晶体；步骤二：按照摩尔比称量制备熔体的粉末状氧化物原料，将氧化物原料混合搅拌均匀；步骤三：将搅拌混合均匀的氧化物原料添加到铂金制成的坩埚中，在1050℃下熔化至少12h得到熔体；步骤四：衬底GGG的清洗，将GGG衬底依次经过三氯乙烯，去离子水漂洗；酸溶液，去离子水漂洗；碱溶液，去离子水清洗和氨水，去离子水漂洗，最后异丙醇蒸馏；通过清洗工艺对GGG衬底进行清洗，高洁净度的GGG衬底不仅可以使得熔体内金属离子完美附着，有效减小膜内缺陷产生，还可以减少杂质离子进入熔体，保证膜内成分的稳定。
一种铋掺钇铁石及其晶体生长方法以及应用

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