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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]静电卡盘-CN201480050762.0有效
发明人： 安德鲁·M·怀特;詹姆斯·凯乐 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于在高温下植入离子的静电卡盘。此静电卡盘包括绝缘基底，其上配置了导电电极。介电顶层配置于电极上。阻隔层配置于介电顶层上，使其位于介电顶层和工作件之间。此阻隔层用来阻止粒子从介电顶层迁移至夹在卡盘上的工作件。在一些实施例中，阻隔层上施加保护层以避免磨损。通过阻隔层阻止金属粒子从介电顶层迁移到工作件，从而维持工作件的完整性，提高工作件的良率。
静电卡盘阻隔

[发明专利]在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程-CN201480048369.8有效
发明人： 安德鲁·M·怀特;乔纳森·吉罗德·英格兰;拉杰许·普拉撒度 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供一种在三维结构中产生经掺杂的垂直通道的制程，其中垂直通道由氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠所包围，所述制程包括：穿过氧化物‑氮化物‑氧化物堆叠蚀刻出孔洞；沿着孔洞中的侧壁沉积多晶硅材料；以及使用多个高能离子布植来将掺质离子植入多晶硅材料中，多个高能离子布植各具有至少200keV的植入能量，且其中多个高能离子布植的至少一个是使用至少1MeV的植入能量来进行。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。
垂直 nand 元件掺杂多晶晶体管通道方法

[发明专利]窄半导体结构的离子植入技术-CN201580012194.X在审
发明人： 安德鲁·M·怀特;克理帕南·维伟克·理奥 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种处理半导体装置的方法包含：对薄晶体半导体结构执行包括第一离子的第一离子植入，第一离子剂量将所述薄晶体半导体结构的第一区域非晶化；对至少所述薄晶体半导体结构的所述第一区域执行包括掺杂剂物质的掺杂剂离子的第二离子植入；以及在所述第一植入之后，执行所述半导体装置的至少一次退火，其中在所述第一植入和所述第二植入与所述至少一次退火之后，所述薄晶体半导体结构形成不具有缺陷的单晶区域。
半导体结构离子植入技术

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