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[实用新型]一种脉冲氙灯电源控制电路-CN202320443815.1有效
发明人： 安俊明;刘扬诗祺;许梦涵;俞莉佳 -专利权人：无锡格林通安全装备有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05B41/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及电源控制电路技术领域，具体提供了一种脉冲氙灯电源控制电路，所述控制电路包括主控芯片U1、晶振电路、第一电压比较电路、LLC升压电路、加热电路，所述晶振电路、第一电压比较电路、输入电压电路、LLC升压电路、加热电路均连接主控芯片U1；所述LLC升压电路包括储能电路、上电控制电路、第二电压比较电路；所述加热电路包括第三电压比较电路、加热控制电路、加热控制电路；本实用新型根据脉冲闪烁氙灯的放电特性，能够更加安全稳定的提高电压，达到点亮脉冲氙灯电压值；控制电路利用单片机来设计电路，能够更加便捷安全的控制氙灯闪烁频率脉冲氙灯电源控制电路，以及能够解决脉冲氙灯的频率调控问题，进而提高脉冲氙灯的工作效果。
一种脉冲氙灯电源控制电路

[发明专利]一种可调延时线芯片及其制作方法-CN202110503089.3有效
发明人：吴丹;尹小杰;张家顺;王亮亮;王玥;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供一种可调延时线芯片及其制作方法，可调延时线芯片包括基底层、波导芯层、上包层以及温控层；基底层具有一光刻面；波导芯层设于光刻面上，波导芯层内用以光波传播；上包层设于波导芯层的外侧面上，呈包覆波导芯层设置；温控层设于上包层背向波导芯层的侧壁面上，温控层用以控制温度变化；其中，波导芯层的折射率呈大于基底层和上包层的折射率设置。波导芯层设于基底层与上包层之间，光波在波导芯层内折射传播，温控层控制温度变化，通过热光效应，温度越高，折射率会增大，改变波导芯层的折射率，进而控制波导芯层的延时可调节，延时精度可从亚皮秒量级到数皮秒量级。
一种可调延时芯片及其制作方法

[发明专利]二氧化硅光波导芯片性能的修正方法及装置-CN202310309165.6在审
发明人：崔鹏伟;王玥;张家顺;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化硅光波导芯片性能的修正方法及装置，涉及光子集成领域，该方法包括：将图形掩膜版固定在二氧化硅光波导芯片的上方；在图形掩膜版上方施加光照；通过调节光照的参数来改变光波导结构的折射率，对二氧化硅光波导芯片的性能进行修正。该方法操作简单，能大幅度提升二氧化硅光波导芯片性能的修正效率。
二氧化硅波导芯片性能修正方法装置

[发明专利]抗辐射硅基二氧化硅光波导器件-CN202211290809.3在审
发明人：崔鹏伟;王玥;张家顺;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，衬底(1)；下包层(2)，生长在所述衬底(1)上；芯层(3)，生长在所述下包层(2)上，在所述芯层(3)中设有光波导器件(5)；上包层(4)，生长在所述芯层(3)上；其中，所述芯层(3)的折射率大于所述下包层(2)和上包层(4)的折射率，所述芯层(3)、上包层(4)和下包层(2)的材料为掺杂氟的二氧化硅材料。该抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，在芯层和上下包层中掺杂氟，氟的引入增大较高能量状态缺陷结构的断网几率，随着氟含量的增加，缺陷浓度将随之下降，缺陷吸收能显著降低，减少了辐射致衰减带来的光损耗，提高了光波导器件的抗辐射性能。
辐射二氧化硅波导器件

[发明专利]一种光纤阵列及其制作方法-CN202011419737.9有效
发明人：尹小杰;张家顺;王亮亮;王玥;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G02B6/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤阵列及其制作方法，其中，该光纤阵列，包括：定位基板；固定在定位基板上的多组光纤组；以及设置在该定位基板上的多组定位沟槽组，其中，每组定位沟槽组用于支撑一组光纤组，不同光纤组被相应的定位沟槽组支撑在不同的定位高度。本发明主要解决现有技术中的光纤阵列在与多层的硅光芯片器件进行耦合时无法精确耦合的问题。
一种光纤阵列及其制作方法

[发明专利]一种宽温高稳定性温度自适应平坦化补偿装置-CN201810427042.1有效
发明人：周天红;张家顺;安俊明;钟飞;吴远大 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温高稳定性温度自适应平坦化补偿装置，包括底板和至少两个温度驱动器，底板包括移动部Ⅰ、移动部Ⅱ和旋转连接轴；在移动部Ⅰ侧端设置有凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ，在移动部Ⅱ侧端设置有凸耳Ⅲ，凸耳Ⅰ、凸耳Ⅱ和凸耳Ⅲ相对应，在凸耳Ⅰ和凸耳Ⅲ之间、凸耳Ⅱ和凸耳Ⅲ之间分别安装有温度驱动器，且温度驱动器之间至少有一个温度驱动器的一端固定、另一端活动，至少有一个温度驱动器的两端固定；底板的膨胀系数和温度驱动器的膨胀系数不同。本发明装置采用二个或二个以上温度驱动器；可以根据环境的变化而自动发生移动，从而补偿PLC光波导器件的温度依赖性，使其温度补偿曲线更为平坦化，并且采用至少三个旋转轴来增加其可靠性及稳定性。
一种宽温高稳定性温度自适应平坦补偿装置

[发明专利]用于量子密钥分发的解码芯片及解码方法-CN202010824987.4有效
发明人：李骁;安俊明;王玥;王亮亮;张家顺;尹小杰;吴远大 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：一种用于量子密钥分发的解码芯片，包括：输入波导，用于接收传输待解码的光信号；定向耦合器，包括第一定向耦合器、第二定向耦合器以及第三定向耦合器，所述第一定向耦合器用于将输入光分成两束光，第二定向耦合器及第三定向耦合器用于实现光量子干涉；相位调制器，包括第一相位调制器以及第二相位调制器，用于对光信号相位进行调制；延时线结构，用于使光信号产生延时，同时抑制温度对误码率的影响；输出波导，用于输出解调后的光信号。本发明的解码芯片可实现分束比可调，使双时间隙脉冲光功率平衡，因而优化干涉可见度，减小误码率。本发明的解码芯片的干涉可见度相对于温度变化不敏感，即由光器件引起的误码率相对于温度变化不敏感。
用于量子密钥分发解码芯片方法

[实用新型]一种底盘可水平面360°旋转的自动点胶装置-CN202220185297.3有效
发明人：石贞贞;安俊明;俞莉佳;刘扬诗祺 -专利权人：无锡格林通安全装备有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及点胶领域，具体为一种底盘可水平面360°旋转的自动点胶装置，包括底部的内壁卡接有基座的转台和上表面的一侧安装有上下电机的底板，所述转台的中部设置有可与基座连接的定位柱，所述转台下方的中部设置有旋转电机，所述上下电机的顶端可与横臂的一端连接，所述横臂的另一端安装有调节杆，所述调节杆的一端安装有胶管，所述调节杆的表面设置有调节螺圈。该底盘可水平面360°旋转的自动点胶装置，通过定位柱、基座和转台的设置，转台可以以定位柱为圆心在基座上面转动，平面滚针轴承嵌置在转台与基座之间，减少转动时的卡滞阻力，然后通过上下电机和横臂的设置，通过电机运作横臂在竖直方向上下移动。
一种底盘水平面 360 旋转自动装置

[实用新型]一种用于弧面结构套件的定位打孔装置-CN202220343382.8有效
发明人：石贞贞;安俊明;俞莉佳;刘扬诗祺 -专利权人：无锡格林通安全装备有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B23B41/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于弧面结构套件的定位打孔装置，包括外罩、中间芯座、挡芯轴、定位件；所述中间芯座安装在所述外罩内；所述挡芯轴安装在所述中间芯座上；所述外罩内部设有用于放置弧面结构件Ⅰ的放置区，所述放置区位于所述中间芯座的外周；所述中间芯座的表面用于与弧面结构件Ⅱ接触；所述挡芯轴包括固定端和活动端；所述固定端安装在所述中间芯座上，所述活动端用于与弧面结构件Ⅱ适配安装；所述定位件设置在所述外罩上，且位于所述放置区内；所述外罩上还安装有供打钻工具伸入并在待打孔弧面结构套件的圆弧面上打孔的钻套。本实用新型结构新颖，可有效提升机械行业结构件的孔位精度，解决套件在弧面上孔位安装时匹配性较差的问题。
一种用于结构套件定位打孔装置

[发明专利]一种用于单光子干涉可见度的测量装置及方法-CN201910692918.X有效
发明人：李骁;安俊明;王玥;任梅珍;王亮亮;张家顺;尹小杰;吴远大 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01J9/02 文献下载
摘要：一种用于单光子干涉可见度的测量装置及方法，装置包括：激光器(1)、光斩波器(2)、可调光衰减器(3)、待测AMZI(4)、门控式单光子探测器(5)、计算机(9)、信号发生器(6)、光功率计(8)，以及相位调节系统(7)。利用该方法可以确定单光子探测计数随待测AMZI(4)相位变化的曲线，根据曲线中单光子探测计数的最大值和最小值计算单光子干涉可见度。可以直接对任意延时AMZI干涉仪单光子干涉可见度进行测量，并且可测量单个AMZI干涉仪单光子干涉的可见度。
一种用于光子干涉可见度测量装置方法

[发明专利]多层耦合结构-CN202110439580.4有效
发明人：李绍洋;王玥;王亮亮;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提出一种多层耦合结构，包括：衬底层、包层，包层中依次层叠设有多个波导层。其中，各波导层中均设有传输波导结构和耦合波导结构，其中耦合波导结构包括两段不同的渐变型波导结构。光信号经第一波导层输入，通过倏逝波耦合的方式，通过中间各个波导层不断向上耦合，最终在第N波导层输出，从而能够实现输入光向任意波导层的传输。本公开中的多层耦合结构尺寸小、耦合效率高，使得整个多层耦合芯片满足小型化、高性能的要求。
多层耦合结构

[发明专利]模斑转换器及其制备方法-CN202111447888.X在审
发明人：吴丹;王玥;李绍洋;张家顺;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开提供了一种模斑转换器，应用于半导体技术领域，包括：自下而上依次设置的衬底层、下包层、第一波导层、中包层、第二波导层和上包层，第一波导层包括依次沿长度方向连接的第一波导部分、第二波导部分和第三波导部分，第一波导部分，用于接收光信号，并将光信号传输给第二波导部分，第二波导部分，用于将光信号传输给第三波导部分，第三波导部分，用于将光信号通过倏逝波耦合的方式传输给第二波导层。本公开还提供了一种模斑转换器的制备方法。
转换器及其制备方法

[发明专利]一种光接收集成芯片-CN202111329800.4在审
发明人：李绍洋;王玥;王亮亮;张家顺;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供一种光接收集成芯片，包括阵列波导光栅以及探测器阵列；阵列波导光栅包括多个输出波导；探测器阵列包括对应多个输出波导设置的多个探测器端口以及设于探测器端口与输出波导之间的多个第一波导结构；其中，第一波导结构包括呈相邻设置的锥形部以及延伸部，沿远离延伸部的方向，锥形部的截面宽度呈逐渐增加设置，锥形部的端部形成输入端，延伸部的端部形成输出端，输入端光路连接至输出波导上，输出端光路连接至探测器端口上。第一波导结构形成一锥形结构，避免因折射率突变而引起模式失配，造成较大的传输损耗，防止阵列波导光栅输出的高阶模式部分的功率丢失而影响带宽性能。
一种接收集成芯片

[发明专利]一种宽带宽阵列波导光栅-CN202111329798.0在审
发明人：李绍洋;王玥;王亮亮;张家顺;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带宽阵列波导光栅，包括阵列波导光栅以及第一波导结构；阵列波导光栅包括依次光路连接的输入波导以及输入平板波导；第一波导结构设于输入波导与输入平板波导之间，第一波导结构包括呈相对设置的初始端以及末尾端，初始端光路连接至输入波导上，末尾端光路连接至输入平板波导上，自初始端朝向末尾端，第一波导结构的截面宽度呈逐渐增大设置，形成一弧型结构。
一种宽带阵列波导光栅

[发明专利]多层三维光连接结构-CN202110439104.2有效
发明人：李绍洋;王玥;王亮亮;吴远大;安俊明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提出一种多层三维光连接结构，包括：层间耦合结构和交叉波导结构。其中，层间耦合结构采用倏逝波耦合的方案，利用两段曲率不同的渐变型波导，在缩短耦合尺寸的同时依然能够保证较高的耦合效率，大大缩短了芯片的面积，节省了成本；交叉波导结构采用展宽的多模波导来增加对光的限制，提高了隔离度，保证了各层间的信号传输不受干扰。本公开中的多层三维光连接结构能够对工艺误差具有一定的容忍度，在实际的生产加工中更具优势。
多层三维连接结构

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