专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202211490752.1在审
  • 季爱艳;孙访策;曹子贵;黄冲 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-25 - 2023-05-23 - H01L21/762
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括有源区和隔离区;在衬底上形成浮栅极结构材料层;去除隔离区上的浮栅极结构材料层,在有源区上形成浮栅极结构,并在相邻浮栅极结构之间形成第一凹槽,所述第一凹槽暴露出隔离区表面;形成第二凹槽和侧墙结构,所述侧墙结构位于第一凹槽侧壁表面,所述第二凹槽位于所述第一凹槽底部的隔离区内;氧化所述侧墙结构和第二凹槽侧壁表面和底部表面,在第一凹槽侧壁表面形成第一内衬层,在第二凹槽侧壁表面和底部表面形成第二内衬层;形成第一内衬层和第二内衬层之后,在第一凹槽内和第二凹槽内形成隔离结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202210165374.3在审
  • 季爱艳;孙访策;黄冲 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-04-19 - H01L21/027
  • 本发明提供一种半导体结构的制备方法,包括:提供衬底,在所述衬底上依次形成金属层及图形化的光刻胶层,所述金属层包含铜和铝;判断所述图形化的光刻胶层是否需要返工;当判定所述图形化的光刻胶层需要返工时,依次执行灰化工艺及湿法清洗工艺,以去除所述图形化的光刻胶层;对所述衬底执行退火工艺。通过在光刻返工后增加一步退火工艺,使所述金属层中在灰化工艺中由于温度变化产生的难以刻蚀的铝的theta相转化为其它容易刻蚀的空间结构,均匀所述金属层各处的刻蚀速度,避免出现金属残留及小丘缺陷。
  • 一种半导体结构制备方法

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