专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件的制作方法-CN201110247681.8有效
  • 王红超;汪晨怿;殷冠华;孙军康 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-08-26 - 2011-12-07 - H01L21/027
  • 一种半导体器件的制作方法,包括下列步骤:提供基底,所述基底具有待刻蚀层;在所述待刻蚀层上形成第一光刻胶层,所述第一光刻胶层上具有第一开口图形;以第一光刻胶层为掩膜,刻蚀部分厚度的待刻蚀层,形成第一开口;去除第一光刻胶层后,在所述待刻蚀层上形成第二光刻胶层,所述第二光刻胶层上具有第一开口图形;以第二光刻胶层为掩膜,刻蚀待刻蚀层,使第一开口达到预定深度。本发明有效保护被遮蔽器件,防止刻蚀载体对被遮蔽器件产生影响,保证了半导体器件的可靠性及良率。
  • 半导体器件制作方法

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