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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]三维存储器件-CN202223355316.1有效
  • 何世伟;戴灿发;刁德天宇;孔果果;朱贤士;余永健 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2022-12-14 - 2023-08-25 - H10B41/35
  • 本实用新型公开了一种三维存储器件，包括一衬底、设置在衬底上的一堆叠结构，以及贯穿堆叠结构的一存储串结构。堆叠结构包括交替设置的多个导电层和多个电介质层。存储串结构包括一导电柱，以及介于导电柱与堆叠结构之间幷且围绕着导电柱的一存储层，其中存储层包括多个第一凸出部，分别填充在导电层和电介质层之交界处的多个第一凹陷中，可改善存储单元之间的电性隔离，减少写入或读取时相邻存储单元之间的信号干扰问题。
  • 三维存储器件
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202310429115.1在审
  • 吴冈;葛明茹;孔果果;何世伟;杨望沁;余永健 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-08-18 - H01L29/06
  • 本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、底电介质层、闸极电介质层、通道结构以及金属氮化物层。漏极与源极在垂直方向上堆叠设置，闸极设置在漏极与源极之间。底电介质层设置在源极与闸极之间。通道结构设置在漏极与源极之间并电性连接漏极与源极，通道结构部分设置在闸极内，并包括在水平方向上依序堆叠的通道层与绝缘层。闸极电介质层设置在通道结构与闸极之间。金属氮化物层设置在闸极电介质层与闸极之间。如此，可隔绝闸极电介质层与闸极的直接接触，改善半导体器件的操作表现。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [实用新型]一种三维存储器件-CN202222212401.6有效
  • 孔果果;庄梦琦;童宇诚;梁毅浩 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2022-08-22 - 2023-05-12 - H10B41/10
  • 本实用新型属于存储器件的技术领域，具体涉及一种三维存储器件。一种三维存储器件，包括：衬底；以及存储堆叠结构；所述存储堆叠结构设置在所述衬底上；所述存储堆叠结构包括：多组导电‑电介质层对；所述存储堆叠结构具有第一区域和第二区域；所述第一区域的上半部的所述导电‑电介质层对堆叠成阶梯状；所述第一区域的下半部的所述导电‑电介质层对具有相互切齐的第一侧壁；所述第二区域的上半部的所述导电‑电介质层对具有相互切齐的第二侧壁；所述第二区域的下半部的所述导电‑电介质层对堆叠成阶梯状。在此设置下，三维存储器件可获得更为优化的结构完整性，而增进其组件效能。
  • 一种三维存储器件
  • [实用新型]一种半导体装置-CN202223422911.2有效
  • 孔果果;吴冈;葛明茹;何世伟;朱贤士;陈俊坤 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-04-28 - H01L29/06
  • 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括源极结构、栅极结构、第一开孔、半导体结构、栅极介电层、绝缘结构以及空隙。栅极结构设置在源极结构之上。第一开孔在垂直方向上贯穿栅极结构。半导体结构部分设置在第一开孔中，且栅极结构的至少一部分位于半导体结构在水平方向上的两相对侧。栅极介电层设置在第一开孔中且位于半导体结构与栅极结构之间。绝缘结构的至少一部分设置在第一开孔中，半导体结构的至少一部分位于绝缘结构与栅极介电层之间，且空隙位于绝缘结构中。如此，可达到改善半导体装置操作表现的效果。
  • 一种半导体装置
  • [发明专利]一种半导体装置及其制造方法-CN202211644161.5在审
  • 孔果果;吴冈;葛明茹;何世伟;朱贤士;陈俊坤 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-04-07 - H01L29/06
  • 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括源极结构、栅极结构、第一开孔、半导体结构、栅极介电层、绝缘结构以及空隙。栅极结构设置在源极结构之上。第一开孔在垂直方向上贯穿栅极结构。半导体结构部分设置在第一开孔中，且栅极结构的至少一部分位于半导体结构在水平方向上的两相对侧。栅极介电层设置在第一开孔中且位于半导体结构与栅极结构之间。绝缘结构的至少一部分设置在第一开孔中，半导体结构的至少一部分位于绝缘结构与栅极介电层之间，且空隙位于绝缘结构中。如此，可达到改善半导体装置操作表现的效果。
  • 一种半导体装置及其制造方法
  • [实用新型]三维存储器件-CN202123107759.4有效
  • 孔果果;何世伟;周运帆;朱冬祥;吴冈;戴灿发;赖建雄 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2021-12-10 - 2022-05-31 - H01L27/11524
  • 本实用新型公开了三维存储器件，包括衬底，其包括第一区以及第二区。包括交替层叠的多个导电层和电介质层的存储堆叠结构，设置在所述衬底上并且自所述第一区延伸至所述第二区，其中所述第二区上的所述存储堆叠结构包括阶梯结构，其中所述阶梯结构的台阶分别包括一所述导电层以及一所述电介质层，且所述导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入，显露出所述电介质层的部分底面。导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入可减少导电层与后续制作的字线接触插塞发生短路的问题。
  • 三维存储器件
  • [实用新型]金属互连结构及半导体器件-CN202121654627.0有效
  • 孔果果;周运帆;何世伟;朱贤士;赖建雄;夏勇 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2021-07-20 - 2021-12-14 - H01L23/48
  • 本申请提供一种金属互连结构及半导体器件，该金属互连结构包括依次叠层设置的衬底、刻蚀停止层和保护层；贯穿所述保护层和所述刻蚀停止层的接触孔；其中，所述接触孔包括贯穿所述保护层并延伸至所述刻蚀停止层内的第一部分，以及设置于所述刻蚀停止层内并与所述接触孔的第一部分连接的第二部分；所述接触孔的第一部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角小于所述接触孔的第二部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角；覆盖所述接触孔侧壁和底部的扩散阻挡层。所述接触孔的第一部分和第二部分的连接处位于所述刻蚀停止层处，过渡平缓，不会形成尖锐的角，扩散阻挡层的覆盖性较好，大大减少了互连结构之间的短路问题。
  • 金属互连结构半导体器件
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