“娄凯华”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件-CN202111206784.X在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果，进而提高钉扎效果。
一种钉扎铁磁层结构及其制造方法电磁器件

[发明专利]一种SOT-MRAM及其制造方法-CN202111206785.4在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOT‑MRAM及其制造方法，该SOT‑MRAM包括基片、设置在基片上的多个存储单元。每个存储单元包括沉积在基片上的SOT层、设置在SOT层上的磁性隧道结。还包括至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且反铁磁绝缘层的磁矩方向与SOT层中写入电流的方向平行。通过在每个磁性隧道结的侧面添加设置至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且还使反铁磁绝缘层的磁矩方向与写入电流的方向平行，能够给自由层提供一个面内磁场，用于SOT‑MRAM的无外磁场翻转，解决SOT‑MRAM由于写入过程中需要施加一个外磁场而无法大规模集成的问题。且所添加设置在反铁磁绝缘层由于环绕磁性隧道结设置，从而还具有保护磁性隧道结不被周围环境影响的作用。
一种 sot mram 及其制造方法