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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610474846.8有效
发明人：金成玟;姜智秀;柳炳赞;朴宰贤;李宥利;车东镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201610325750.5有效
发明人：金成玟;姜智秀;朴宰贤;申宪宗;Y.李 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410140427.1有效
发明人：金成玟;姜智秀;李东奎;车东镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供有源鳍和包括设置在有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；通过执行设置在第一沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第一蚀刻而形成第二沟槽；通过执行设置在第二沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第二蚀刻而在场绝缘膜中形成第一区域和第二区域，第一区域邻近有源鳍设置并具有第一厚度，第二区域相比于第一区域与有源鳍间隔开设置并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及在有源鳍和场绝缘膜上形成栅极结构。
场绝缘膜半导体器件第一区域蚀刻第二区域侧壁制造栅极结构绝缘膜邻近

[发明专利]形成半导体结构的方法和半导体器件-CN201410069205.5有效
发明人：金成玟;姜智秀;李东奎;车东镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。
形成半导体结构方法半导体器件

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